专利名称：具有阴极缓冲层的有机el元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及能够应用于平板显示器和照明用光源的有机EL元件。特别是以高成 品率提供以低驱动电压工作的、消耗电力低的有机EL元件。
背景技术：
近年来，对于有机电致发光元件(以下也称为有机EL元件)的实用化的研究正在 积极开展。由于有机EL元件能够以低电压实现高电流密度，所以期待实现高的发光亮度和 发光效率。在该有机EL元件中，设置有夹持有机EL层的2个电极，取出光一侧的电极需求高 的透射率。作为这样的电极的材料，通常使用透明导电性氧化物(TC0)材料(例如铟-锡 氧化物(IT0)、铟-锌氧化物(IZ0)、铟-钨氧化物(IW0)等)。这些材料具有约5eV的比较 大的功函数，因此一般多用于向有机材料的空穴注入输送电极(阳极)的形成。但是也有 时将TC0材料用于电子注入输送电极(阴极)的形成。有机EL元件的发光通过有机EL层中的发光层材料的向最高占有分子轨道(HOMO) 注入的空穴、和向最低非占有分子轨道(LUM0)注入的电子生成的激子的激励能缓和时将 光放出而得到。一般而言，为了有效地进行向发光层的空穴注入输送和电子注入输送，使用 具有包括1个或多个电荷输送层的层叠结构的有机EL层。能够使用的电荷输送层包括空 穴注入输送层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层等。最近，在日本特开平4-297076号公报、日本特开平11-251067号公报、日本特表 2004-514257 号公报、M. Pfeiffer 等 Organic Electronics, 4 (2003)，89-103、城户淳二等 Applied Physics Letters，73 (20)，2866-2868 (1998)等文献中，以有机EL元件的进一步低 耗电化为目的，提出向上述具有层叠结构的有机EL层的电荷输送层掺杂杂质的技术(参照 专利文献1 3以及非专利文献1 2)。另外，在日本特表2003-519432号公报中，提出了 使用具有P-型半导体性的有机化合物(六氮杂三亚苯基(HAT)类)形成空穴注入输送层 或空穴输送层的方案(参照专利文献4)。杂质掺杂技术的目的在于，通过提高电荷输送层中的电荷的有效迁移率和/或降 低从电极向电荷输送层的电荷注入势垒，降低有机EL元件的驱动电压。该技术是与无机半 导体的P型掺杂和n型掺杂同样的技术。在空穴注入输送层或空穴输送层的情况下，通过 在构成这些层的空穴输送材料中，混合作为杂质的电子接受性高的材料(受主)，能够降低 来自电极的空穴注入势垒(阳极的功函数与相邻接的空穴输送材料的HOMO能级之差)和/ 或提高空穴输送材料中的空穴的有效迁移率。在电子注入层或电子输送层的情况下，通过 在电子输送材料中混合作为杂质的电子提供性高的材料(施主)，能够降低来自电极的电 子注入势垒(阴极的功函数与相邻接的电子输送材料的LUM0能级之差)和/或提高电子 输送材料中的电子的有效迁移率。通过向电荷输送层的载体掺杂技术，能够提高电荷(空穴或电子)的有效迁移率， 减低整体(bulk)的电阻本身。根据该结果，能够不提高有机EL元件的驱动电压而使电荷输送层的膜厚增厚。电荷输送层的膜厚的增加能够有效地抑制附着在基板上的微粒引起的 阳极_阴极间短路所导致的元件缺陷。特别是在平板显示器中，能够有效地抑制阳极_阴 极间短路所导致的像素缺陷、线条缺陷等，能够提高显示器的生产成品率。专利文献1 日本特开平4-297076号公报专利文献2 日本特开平11-251067号公报专利文献3 日本特表2004-514257号公报专利文献4 日本特表2003-519432号公报非专利文献1 :M. Pfeiffer 等，Organic Electronics, 4 (2003), 89-103非专利文献2城户淳二等，Applied Physics Letters，73 (20)，2866-2868 (1998)
发明内容
但是，一直以来通常作为向电子注入输送层掺杂的施主性杂质使用的Li等的低 功函数的碱金属，存在对氧和水分不稳定的缺点。另外，已知通常电子注入输送层所使用的 电子输送材料也对氧和水分不稳定，并且很多电子输送材料的电子注入输送性能因暴露于 氧或水分而降低。在形成从基板一侧起至少依次具有阴极、电子注入输送层和发光层的有机EL元 件时，在形成于基板上的阴极的正上方，形成上述那样的掺杂有施主性杂质的电子注入输 送层。此时，电子注入输送层的施主性杂质和/或电子输送材料受到阴极表面吸附的氧和 /或水分的影响，有时会产生以下问题(1)无法发挥所期望的电子注入输送性能，(2)电子 向发光层的输送受到阻碍，(3)驱动电压上升，(4)随着驱动时间的经过、提供同一电流密 度的驱动电压上升等。特别是在具有用TC0材料形成的阴极的有机EL元件的情况下，由于TC0材料的形 成工艺、电子注入输送层形成前的搬运气氛、阴极的表面处理工艺等的影响，有时在阴极表 面吸附氧和/或水分，很可能出现上述那样的问题。本发明的有机EL元件包括基板、阴极、阳极和设置在阴极与阳极之间的有机EL 层，其特征在于阴极与基板直接接触，有机EL层与阴极直接接触，并且依次包括由受主性 有机物形成的阴极缓冲层、电子注入输送层和发光层，上述受主性有机物由化学式(1)所 示的六氮杂三亚苯基衍生物构成， (式中，R分别独立，选自氢原子、碳数为1 10的烃基、卤素、烷氧基、芳基氨基、 酯基、酰胺基、芳香族烃基、杂环基、硝基、腈(-CN)基)。在此，受主性有机物可以由化学式 (2)所示的六氮杂三亚苯基六腈构成。 另外，电子注入输送层可以含有施主性杂质。并且，阴极可以包括氧化物透明导电 膜材料的层。发明效果本发明的有机EL元件，从基板一侧起至少依次具有阴极、由上述HAT衍生物形成 的阴极缓冲层、电子注入输送层、发光层。因此，具有以下显著的优点防止吸附于阴极的氧 和/或水分损害电子注入输送层的电子注入输送性能，确保电子向发光层的供给；降低有 机EL元件的驱动电压；防止随着驱动时间的经过而提供同一电流密度的驱动电压的上升。 并且，能够在不导致电压增大的情况下使有机EL层的膜厚增厚阴极缓冲层的膜厚的量，因 而能够抑制电流泄漏和像素缺陷的产生，提高有机EL元件的品质和制造成品率。
图1是表示本发明的有机EL元件的示意图。图2是表示实施例和比较例的有机EL元件的电流_电压特性的曲线图。符号说明100 有机EL元件；110 基板；120 阴极；121 反射层；122 透明层；130 有机EL 层；131 阴极缓冲层；132 :电子注入输送层；133 发光层；134 空穴输送层；135 空穴注 入输送层；136 阳极缓冲层；140 阳极。
具体实施例方式本发明的有机EL元件包括基板、阴极、阳极和设置在阴极与阳极之间的有机EL 层，其特征在于阴极与基板直接接触，有机EL层与阴极直接接触，并且依次包括由受主性 有机物形成的阴极缓冲层、电子注入输送层和发光层，上述受主性有机物由化学式(1)所 示的六氮杂三亚苯基(HAT)衍生物构成，
R R(式中，R分别独立，选自氢原子、碳数为1 10的烃基、卤素、烷氧基、芳基氨基、 酯基、酰胺基、芳香族烃基、杂环基、硝基、腈(-CN)基)。图1表示本发明的有机EL元件的一个结构例。在图1的有机EL元件100中，在
基板110上，层叠阴极120、有机EL层130和阳极140，有机EL层130从阴极120 —侧起依 次包括阴极缓冲层131、电子注入输送层132、发光层133、空穴输送层134、空穴注入输送层 135和阳极缓冲层136。在此，空穴输送层134、空穴注入输送层135和阳极缓冲层136是可 以任意选择设置的层。另外，在图1中表示阴极120由反射层121和透明层122构成的例子。有机EL层130的层结构只要满足阴极缓冲层131与阴极120直接接触、并且在阴 极缓冲层131上依次层叠有电子注入输送层132和发光层133的条件，没有特别的限制。在 此，可以任意选择性地在电子注入输送层132与发光层133之间存在电子输送层。例如可 以采用如下所示的结构。(1)阴极缓冲层(2)阴极缓冲层(3)阴极缓冲层(4)阴极缓冲层(5)阴极缓冲层 入输送层(在上述结构中，左端的阴极缓冲层131与阴极120直接接触，右端的层与阳极 140直接接触)。另外，为了将来自有机EL层130(发光层133)的发光向外部取出，阴极120或阳 极140至少一个为透光性。也可以使阴极120和阳极140两者都为透光性。可以根据目的 用途，选择使阴极120或阳极140中的哪一个为透光性。下面，针对各层依次进行详细说明。[基板110]作为基板110，通常使用玻璃基板。或者也可以由聚酰胺，聚碳酸酯，聚对苯二甲 酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸-1，4_环己烷二 甲醇酯、聚亚乙基-1，2-二苯氧基乙烷_4，4' -二羧酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯 树脂，聚苯乙烯，聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸酯树脂 类，聚砜，聚醚砜，聚醚酮，聚醚酰亚胺，聚氧化乙烯，降冰片烯树脂等的高分子材料形成基 板110。在使用高分子材料的情况下，基板110可以是刚性的，也可以是挠性的。或者在不 将有机EL层130的发光通过基板110向外部取出的情况下，也可以使用硅等半导体或陶瓷 等化学不透明的材料形成基板110。[阴极120]阴极120，以阴极120或阳极140中的任一个为透光性为条件，可以为光反射性，也 可以为透光性。为了使阴极120为光反射性，可以如图1所示由反射层121和透明层122构成阴 极120。此时，优选采用反射层121与基板110接触、并且透明层122与有机EL层130接触 的结构。反射层121可以使用高反射率的金属、高反射率的非晶合金或高反射率的微晶性 合金形成。高反射率的金属包括4138、1^、211、110、1、附、(>等。高反射率的非晶合金包 括NiP、NiB、CrP和CrB等。高反射率的微晶性合金包括NiAl、银合金等。透明层122可以 使用ITO、IZO、IWO、AZ0 (掺杂A1的锌氧化物)等的TC0材料形成。
/电子注入输送层/发光层 /电子注入输送层/发光层/空穴注入输送层 /电子注入输送层/电子输送层/发光层/空穴注入输送层 /电子注入输送层/发光层/空穴输送层/空穴注入输送层 /电子注入输送层/电子输送层/发光层/空穴输送层/空穴注
另一方面，为了使阴极120为透光性，可以由透光性层和电荷注入金属层构成阴 极120。在这种情况下，为了顺利地进行对有机EL层130的电子注入，优选透光性层与基板 110接触、电子注入金属层与有机EL层130接触。透光性层可以使用上述TC0材料形成。 电子注入金属层可以使用具有小的功函数(4.0eV以下)的金属、合金、导电性化合物以及 它们的混合物形成。能够使用的材料的具体例包括钠、钠_钾合金、镁、锂、镁_银合金、铝 /氧化铝、铝_锂合金、铟、稀土类金属等。或者也可以仅以上述的电子注入金属层或透光性层中的任一个构成阴极120。阴极120可以通过使用蒸镀法、溅射法等本技术领域中已知的任意手段，形成上 述材料的薄膜而制作。[阴极缓冲层131]阴极缓冲层131是有机EL层130的阴极一侧的最外层，与阴极120和电子注入输 送层132接触。阴极缓冲层由化学式(1)所示的HAT衍生物形成。 (式中，R同上述定义)。阴极缓冲层131更优选由化学式(2)所示的六氮杂三亚苯基六腈(HAT-CN)形成。
(2)阴极缓冲层131可以具有5 200nm的膜厚。化学式(1)所示的HAT衍生物的电子接受性高、且LUM0深，因此不能在阴极131 和由HAT衍生物形成的阴极缓冲层131之间形成电子注入势垒。因此，可以在不存在电压 降或电压降极低的状态下，从阴极120抽出电子，向电子注入输送层132输送电子。另外， 由于HAT衍生物的整体的电导率为通常在现有技术中使用的电荷输送材料的同等或以上， 因此也能够使整体的电压降(电子通过阴极缓冲层131时的电压降)为极低。并且，HAT衍 生物对氧和水分稳定，不易发生由于暴露于氧和/或水分中而导致的电子的注入输送性能 的降低。并且，HAT衍生物的制膜后的结晶性比一般的非晶性有机材料高。HAT衍生物的高 结晶性能够带来阻断吸附于作为基底的层(即阴极120)的氧和水分透过在其上形成的层 (即电子注入输送层132)的效果。进一步在向电子注入输送层132中掺杂施主性杂质的情况下，以极低的电压降进行从阴极缓冲层131向电子注入输送层132的电子移动。基于以上的特征，能够形成在低驱动电压下得到高电流密度的、消耗电力低的有 机EL元件。另外，(1)能够抑制因吸附于阴极120表面的氧和水分引起的电荷输送性能的 下降，(2)能够不伴随驱动电压的增大而使有机EL层130的膜厚增大阴极缓冲层131的膜 厚的量，因此，能够抑制阴极120与阳极140之间的短路所引起的像素缺陷和线条缺陷的发 生，从而能够实现有机EL元件的品质和制造成品率的提高。[电子注入输送层132]电子注入输送层132是位于阴极缓冲层131与发光层133之间的层。电子注 入输送层132可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、1，3， 5-三(4-叔丁基苯基-1，3，4-噁二唑基)苯(TP0B)等噁二唑衍生物，3-苯基-4-(1'-萘 基)-5-苯基-1，2，4-三唑(TAZ)等三唑衍生物，三嗪衍生物，苯基喹喔啉类，5，5'-双 (二莱基氧硼基)_2，2'-联二噻吩(BMB-2T)、5，5'-双(二莱基氧硼基)_2，2‘ 5'， 2'-联三噻吩(BMB-3T)等噻吩衍生物，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等铝配位化合物等的 电子注入输送材料形成。或者，也可以在主材料中掺杂Li、Na、K、Cs等碱金属，LiF、NaF、KF、CsF等碱金属 卤化物或Cs2C03等碱金属碳酸盐等的施主性杂质，形成电子注入输送层132。可以使用上述 电子注入输送材料作为主材料。通过施主性杂质的掺杂，能够促进来自阴极缓冲层131的 电子的移动。[电子输送层]电子输送层(未图示)是为了调节向发光层133的电子供给量、在电子注入输送 层132与发光层133之间任意选择性地设置的层。电子输送层可以使用上述的电子注入输 送材料形成。特别是在电子注入输送层132中掺杂有施主性杂质的情况下，通过不在电子 输送层中掺杂施主性杂质，能够避免施主性杂质扩散至发光层133而导致消光等的不良影 响。此时，也可以用与电子注入输送层132的主材料相同的材料形成电子输送层。[发光层133]发光层133是使从阴极120注入的电子与从阳极140注入的空穴再结合、进行发 光的层。发光层133的材料可以根据所期望的发光的色调而选择。例如为了得到蓝色至蓝 绿色的发光，可以使用苯并噻唑类、苯并咪唑类、苯并噁唑类等的荧光增白剂，苯乙烯基苯 类化合物，芳香族二次甲基类化合物等，形成发光层133。或者也可以通过使用上述材料作 为主材料，向其中添加掺杂剂，形成发光层133。能够作为掺杂剂使用的材料例如包括已知 作为激光色素使用的茈(蓝色)等。[空穴注入输送层135]本发明中的空穴注入输送层135是为了促进向发光层133供给空穴而任意选择性 地设置的层。空穴注入输送层135可以使用通常在有机EL元件中使用的空穴注入输送材 料、或在有机TFT中使用的p型有机半导体材料形成。能够使用的空穴注入输送材料例如 包括4，4'-双{N-(l-萘基)-N-苯基氨基}联苯(NPB)、2，2' ,7,7'-四(N，N-二苯基 氨基)-9，9'-螺芴(Spiro-TAD)、三(p-三联苯-4-基)胺(p_TTA)、1，3，5-三[4-(3-甲 苯基苯基氨基)苯基]苯(m-MTDAPB)、4，4'，4〃 -三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)等。能 够使用的P型有机半导体材料包括并五苯、并四苯、a，二己基-6-噻吩等。
或者，也可以在主材料中添加四氟四氰基-对醌二甲烷(F4_TCNQ)、FeCl3、Mo03、 V205等受主性杂质，形成空穴注入输送层135。可以使用上述空穴注入输送材料作为主材 料。通过受主性杂质的掺杂，能够促进来自阳极140或阳极缓冲层136的空穴的移动。[空穴输送层134]空穴输送层134是为了调节空穴向发光层133的供给量而在空穴注入输送层135 与发光层133之间任意选择性地设置的层。空穴注入层134可以使用具有三芳基胺部分结 构、咔唑部分结构或噁二唑部分结构的材料等、已知作为有机EL元件中的空穴注入输送材 料或有机TFT中的p型有机半导体材料使用的任意的材料形成。从向发光层133的空穴注 入性的观点出发，优选使形成空穴输送层134的材料的HOMO能级接近形成发光层133的材 料的HOMO能级。具体而言，可以使用用于形成上述空穴注入输送层135的空穴注入输送 材料和P型有机半导体材料，特别是使用NPB、spiro-TAD、p-TTA、TCTA等，形成空穴输送层 134。特别是在空穴注入输送层135中掺杂有受主性杂质的情况下，通过不在空穴输送层 134中掺杂受主性杂质，能够避免受主性杂质扩散至发光层133而导致消光等的不良影响。 此时，可以用与空穴注入输送层135的主材料相同的材料形成空穴输送层。[阳极缓冲层136]阳极缓冲层136是为了缓和形成阳极140时空穴注入输送层135以下的层所受到 的损伤而任意选择性地设置的层。阳极缓冲层136例如可以使用MgAg、Mo03等材料形成。构成有机EL层130的上述的各个层可以使用蒸镀(电阻加热或电子束加热)等 的本技术领域中已知的任意手段形成。[阳极140]阳极140，以阴极120或阳极140中任一个为透光性为条件，可以为光反射性，也可 以为透光性。在使阳极140为透光性的情况下，可以使用上述的TC0材料形成阳极140。以减 小阳极140的电阻和/或控制阳极140的光反射率以及透光率为目的，也可以将TC0材料 层与金属材料薄膜(具有约50nm以下的膜厚)的叠层体用作阳极140。或者以减小阳极 140的电阻为目的，可以与由TC0材料构成的阳极140并行、设置与阳极140连接的辅助电 极(未图示)。辅助电极可以使用低电阻的金属材料形成。在设置辅助电极的情况下，优选 在有机EL层130发光的取出路径以外的部分配置辅助电极。另一方面，在使阴极140为光反射性的情况下，可以将由TC0材料形成的透明层与 反射层的叠层体用作阳极140。此时，优选采用透明层与有机EL层130接触、反射层与透明 层的有机EL层130的相反侧接触的结构。反射层可以使用与阴极120中的反射层121同 样的材料形成。阳极140可以通过使用蒸镀法、溅射法等本技术领域中已知的任何手段，形成上 述材料的薄膜而制作。实施例 以下通过实施例对本发明进行详细的说明。(实施例1)本实施例是，在基板110上依次形成由Ag和IZ0形成的阴极120、阴极缓冲层131、 电子注入输送层132、发光层133、空穴输送层134、空穴注入输送层135、阳极缓冲层136和阳极140的有机EL元件的例子。在玻璃基板110 (纵向50mmX横向50mmX厚度0. 7mm, Corning生产的1737玻 璃)上，使用DC磁控溅射法形成膜厚lOOnm的Ag膜。并且，在Ag膜的上表面，通过DC磁控 溅射法(靶:In203+10wt% ZnO，放电气体:Ar+0. 5% 02，放电压力0. 3Pa，放电电力1. 45W/ cm3，基板搬送速度162mm/min)，形成具有llOnm膜厚的IZ0膜。接着，通过光刻法将Ag膜 和IZ0膜的叠层体加工成2mm宽度的条状，形成具有2mm宽度的反射层121和具有2mm宽 度的透明层122，得到阴极120。接着，在阴极120上，使用电阻加热蒸镀法形成有机EL层130。首先堆积膜厚20nm 的HAT-CN，形成阴极缓冲层131。接着，将三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)和Li共蒸镀，以Alq3 和Li等摩尔的方式共蒸镀，形成膜厚lOnm的电子注入输送层132。在此，电子注入输送 层132中Alq3和Li为等摩尔。接着，将4，4'-双(二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)与4， 4'-双[2-{4-(N，N-二苯基氨基)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)共蒸镀，形成膜厚35mm 的发光层133。在此，DPVBi与DPAVBi的膜厚比为100 3。接着，蒸镀NPB，形成膜厚lOnm 的空穴输送层134。接着，将[4，4'，4〃 -三(3-甲苯基苯基氨基)-三苯胺(m-MTDATA) 与F4-TCNQ共蒸镀，形成膜厚60nm的空穴注入输送层135。在此，m-MTDATA与F4_TCNQ的膜 厚比为100 3。最后蒸镀三氧化钼(Mo03)，形成膜厚40nm的阳极缓冲层136。有机EL层 130的结构层自始至终在不打破真空的环境下形成。接着，不打破真空地将形成有有机EL层130的叠层体向相对靶式溅射装置移动。 接着，经过金属掩模堆积IZ0，形成具有200nm膜厚和2mm宽度的条状阳极140，得到有机EL 元件100。在此，设定阳极140的条状的延伸方向，使其与阴极120的条状的延伸方向正交。最后，不打破真空地将有机EL元件100向等离子体CVD装置移动。接着，使用等 离子体CVD法堆积Si02Na3，以覆盖有机EL元件100的方式形成膜厚3000nm的钝化层(未 图示)。在此，装置内压力(即气体的总压)为lOOPa，作为等离子体产生用电力，施加频率 为13. 56MHz、功率为0. 6kff的RF电力，以300nm/min的速度堆积Si02N0.3。(实施例2)除了将阴极缓冲层131的膜厚变更至50nm之外，重复实施1的步骤，制作有机EL 元件。(比较例)除了不形成阴极缓冲层131之外，重复实施1的步骤，制作有机EL元件。(评价)得到的有机EL元件的电流-电压特性如图2所示。图2表示在以同一电流密度 值比较的情况下，具有由HAT-CN形成的阴极缓冲层的本发明的实施例1和2的有机EL元 件的电压，比不具有阴极缓冲层的比较例的元件的电压低。例如，比较提供0. 01 A/cm2的电 流密度的电压，实施例1的元件的电压比比较例的元件的电压低0. 5V。另外，与实施例1相 比，阴极缓冲层较厚的实施例2的元件的电压也比实施例1的元件的电压高0. 2V，但也比比 较例的元件的电压低0. 3V。并且，将实施例1 2和比较例的有机EL元件在电流密度0. 04A/cm2的条件下连 续驱动800小时。在比较例中，在连续驱动后提供电流密度0. 01 A/cm2的电压，与初始电压 相比增大0. 8V。与此相对，在实施例1和2的元件中，连续驱动后的电压上升停止在0. 3V。
如上所述，在本发明的实施例1和2的有机EL元件中，实现了驱动电压的降低和 防止随着驱动时间的经过而提供同一电流密度的驱动电压的上升。并且，能够不导致电压 增大地使有机EL层的膜厚增厚阴极缓冲层的膜厚的量，因此能够抑制电流泄漏和像素缺 陷的产生。因此，能够提高有机EL元件的品质和制造成品率。
权利要求
一种有机EL元件，包括基板、阴极、阳极和设置在阴极与阳极之间的有机EL层，其特征在于阴极与基板直接接触，有机EL层与阴极直接接触，并且依次包括由受主性有机物形成的阴极缓冲层、电子注入输送层和发光层，所述受主性有机物由化学式(1)所示的六氮杂三亚苯基衍生物构成，式中，R分别独立，选自氢原子、碳数为1～10的烃基、卤素、烷氧基、芳基氨基、酯基、酰胺基、芳香族烃基、杂环基、硝基、腈(-CN)基。FPA00001133126400011.tif
2.如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于所述受主性有机物由化学式(2)所示的六氮杂三亚苯基六腈构成。
⑵
3.如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述电子注入输送层含有施主性杂质。
4.如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述阴极包括透明导电性氧化物材料的层。
全文摘要
本发明涉及从基板一侧起至少依次具有阴极、由HAT衍生物形成的阴极缓冲层、电子注入输送层、发光层的有机EL元件。本发明的有机EL元件，具有以下显著的优点(1)防止吸附于阴极的氧和/或水分损害电子注入输送层的电子注入输送性能，确保电子向发光层的供给，(2)降低有机EL元件的驱动电压，(3)防止随着驱动时间的经过而提供同一电流密度的驱动电压的上升，(4)抑制电流泄漏和像素缺陷的产生，提高有机EL元件的品质和制造成品率。
文档编号H01L51/50GK101855741SQ20088011518
公开日2010年10月6日 申请日期2008年12月25日 优先权日2008年12月25日
发明者李崇, 牧野亮平, 福地隆 申请人:富士电机控股株式会社