专利名称：具有门极连接的半导体开关器件的制作方法
技术领域：
本发明总的来说涉及具有阴极-阳极-门极(cathode-anode-gate)结构的半导 体开关器件，并且特别地它涉及用于半导体开关器件与外部电路单元的电连接的连接器 件。具体地，半导体开关器件包括具有沉积在其上的半导体开关器件的阴极、阳极和门极的 衬底和用于电连接半导体开关器件的阴极、阳极和门极与外部电路的连接部件。
背景技术：
半导体开关器件与外部电路单元的电连接是关键问题(特别地如果该半导体开 关器件必须处理大电流和电压的话)。这样的半导体开关器件的示例是集成门极换向晶闸 管(integrated gate commutatedthyrister，IGCT)。IGCT 是门极可控关断开关，其像绝缘 栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)那样关断，但像晶闸管那样导 通且具有最低导体损耗。集成门极换向晶闸管是用于需要高功率应用的功率开关器件，例 如中等电压驱动器(drive)、牵引、风力转换器、AC激励系统、电池能量存储系统、固态断路 器、牵引线助推器(traction line booster)、牵引功率补偿器和感应加热等。现在构建为 IGCT的半导体开关器件由于它的通用性、效率和成本效率在多种应用中使用。常规的IGCT 器件具有环形结构，例如在图1中示出的结构等。阴极盘CD示为图1中的下表面。在阴极 盘CD上，设置门极盘GD来提供到半导体器件的门极连接。阳极相A设置在外壳H的顶部， 外壳H在外面具有爬电距离(ere印age distance) Cr。图2是在图1中示出的设置的横截面。爬电距离Cr在阳极A和阴极盘⑶之间形 成。在该情况下爬电距离(ere印ing distance) Cr是用例如陶瓷等绝缘材料构成的外壳H 的一部分。为了连接阴极盘CD和门极盘GD到外部电路单元，提供阴极导体C和门极导体 G。本质上，根据目前技术水平这些连接使用两个盘进行，即门极盘GD和阴极盘CD。这些盘 焊接到封装陶瓷。由于机械原因，分开门极盘与阴极盘的陶瓷的厚度大大高于使相离大约 100V的电压的两个电势绝缘所需要的厚度。不利地，该事实导致门极电极和阴极电极之间的大距离使得总回线电感(loop inductance)增加。在用于连接半导体开关器件到外部电路单元的常规连接设置中不利 地形成的电感回线的示例由图2中的标号IL示出。如在图2中示出的杂散电感(stray inductance) IL的杂散电感不利地使半导体开关器件的关断性能变差。根据目前技术水平 的半导体开关器件的另一个劣势是半导体开关器件的尺寸是大的，因为分开门极和阴极盘 的陶瓷外壳的厚度高。
发明内容
从而本发明的目的是提供用于电连接具有阴极盘的半导体开关器件到外部电路 单元的连接部件，该连接部件具有低杂散电感。此外提供具有紧凑尺寸的半导体器件是可 取的。该目的通过根据独立权利要求的用于半导体开关器件到外部电路单元的电连接的连接器件和半导体开关器件实现。另外本发明的优选发展根据从属权利要求。根据本发明的第一方面，提供用于具有阴极盘的半导体开关器件到外部电路单元 的电连接的连接器件，该连接器件包括具有同轴结构的阴极-门极连接单元，其包括用于 电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元的门极导体和阴极导体，其中该阴极 导体包括适用于连接阴极导体到阴极盘的阴极连接端子。根据本发明的另一个方面，提供半导体开关器件，其包括具有沉积在其上的半导 体开关器件的阴极盘、阳极和门极的衬底；和用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到 外部电路单元的连接部件，其中该连接部件包括具有同轴结构的阴极-门极连接单元，其 包括用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元的门极导体和阴极导体，并 且其中该阴极导体包括适用于连接阴极导体到阴极盘的阴极连接端子。根据本发明的再另一个方面，提供半导体开关器件，其包括具有沉积在其上的半 导体开关器件的阴极、阳极和门极的衬底；和用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到 外部电路单元的连接部件，其中该连接部件包括至少两个具有同轴结构的阴极-门极连接 单元，其包括用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元的门极导体和阴极 导体，并且其中该至少两个阴极-门极连接单元对称地设置在阴极盘周围。
本发明的实施例在附图中描绘并且在接着的说明中详细描述。在附图中图1是根据现有技术的半导体开关器件的正视图；图2是根据在图1中示出的现有技术的半导体开关器件的横截面；图3是根据本发明的第一优选实施例的半导体开关器件的正视图；图4示出根据本发明的阴极-门极连接单元的结构；图5示出在图3中图示的半导体开关器件，其中阳极移除使得可以看到半导体开 关器件的内部；图6是在图5中示出的半导体开关器件的横截面视图；图7是根据本发明的第二优选实施例的半导体开关器件的顶视图；图8是根据本发明的第二实施例的半导体开关器件的组合顶视图/截面视图；图9图示不同半导体开关器件的模拟结果，其中杂散电感示为运行频率的函数； 以及图10是作为运行频率的函数的不同半导体开关器件的导体电阻。在图中相同的标号指示相同或相似的部分或步骤。
具体实施例方式本发明基于在常规半导体开关器件(例如集成门极换向晶闸管(IGCT)器件)中 的杂散电感主要由在连接单元中形成的电感回线所引起的想法。本发明的核心概念基于以 下事实杂散电感可以通过连接半导体开关器件到外部电路单元的电感器(inductor)的 适当设置而避免，其中导体设置包括阳极、阴极和门极接点。为了最小化杂散电感，连接半导体开关器件到外部电路单元的门极导体和阴极导体通过同轴设置而彼此相关。可设计这种同轴设置使得用于连接半导体开关器件的门极到外部电路单元的门 极导体形成为阴极-门极连接单元的内部导体并且用于连接半导体开关器件的阴极到外 部电路单元的阴极导体形成为阴极-门极连接单元的外部导体或反之亦然。阴极-门极连 接单元的外部导体和内部导体提供为同轴结构。从而根据本发明的阴极-门极连接单元的 优势是杂散电感可以最小化。根据本发明的第一方面，用于具有阴极盘的半导体开关器件到外部电路单元的电 连接的连接器件包括具有同轴结构的阴极_门极连接单元，其包括电连接半导体开关器件 的阴极和门极到外部电路单元的门极导体和阴极导体，其中该阴极导体包括适用于连接阴 极导体到阴极盘的阴极连接端子。根据本发明的优选发展，阴极_门极连接单元的内部导体通过包括介电材料的绝 缘体与阴极-门极连接单元的外部导体绝缘。根据本发明的另一个优选的发展，阴极_门极连接单元的内部导体通过包括聚合 物或陶瓷基材料的绝缘体与阴极_门极连接单元的外部导体绝缘。优选地，连接器件包括具有小于500 μ m的厚度的绝缘体。根据本发明的第二方面，提供半导体开关器件，其包括具有沉积在其上的半导体 开关器件的阴极盘、阳极和门极的衬底和用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部 电路单元的连接部件，其中阴极导体包括适用于连接阴极导体到阴极盘的阴极连接端子。该连接部件包括具有同轴结构的阴极-门极连接单元，其包括用于电连接半导体 开关器件的阴极和门极到外部电路单元的门极导体和阴极导体。根据本发明的再另一个发展，设计同轴结构使得用于连接半导体开关器件的门极 到外部电路单元的门极导体形成为阴极-门极连接单元的内部导体并且用于连接半导体 开关器件的阴极到外部电路单元的阴极导体形成为阴极_门极连接单元的外部导体。备选 地，阴极导体形成为内部导体而门极导体形成为外部导体。优选地，半导体开关器件是集成门极换向晶闸管(IGCT)。根据本发明的再另一个发展，用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电 路单元的连接部件附加至半导体开关器件的外壳。优选地，半导体开关器件的外壳用绝缘 材料制成。如果外壳用陶瓷材料制成，这是个优势。根据本发明的再另一个优选发展，阴极盘包括阴极极点(cathod印ole)，特别地包 括第一阴极极片(pole piece)和第二阴极极片。根据本发明的再另一个优选发展，阴极_门极连接单元的阴极导体包括用于连接 阴极导体到阴极盘的阴极连接端子。优选地，阴极-门极连接单元的门极导体还包括用于 连接门极导体到外部电路单元的门极连接端子。根据本发明的再另一个优选发展，半导体开关器件的外壳在其的外面包括至少一 个爬电段以便使爬电电流从阳极偏离到阴极盘。根据本发明的第三方面，半导体开关器件包括具有沉积在其上的半导体开关器件 的阴极、阳极和门极的衬底，和用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元 的连接部件。
该连接部件有利地包括至少两个具有同轴结构的阴极_门极连接单元，其包括用 于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元的门极导体和阴极导体，其中该至 少两个阴极-门极连接单元对称地设置在阴极盘周围。根据本发明再另一个的优选发展，阴极-门极连接单元的内部导体通过包括介电 材料的绝缘体与阴极-门极连接单元的外部导体绝缘。优选地，阴极-门极连接的内部导体 通过包括聚合物或陶瓷基材料的绝缘体与阴极-门极连接单元的外部导体绝缘。有利地， 绝缘体具有小于500 μ m的厚度。图3示出根据本发明的优选实施例的半导体开关器件100。如在图3中示出的，半 导体开关器件包括阴极盘102和在阴极盘102顶部与阴极盘102绝缘的门极盘103。用例 如陶瓷材料等绝缘材料制成的外壳104放置在阴极盘102的顶部。外壳可包括用于阴极盘 102与放置在外壳104顶部的阳极101绝缘的爬电段105。爬电段105提供从阳极101到 阴极盘102的爬电距离使得爬电电流经受从阳极101到阴极盘102的扩大距离。这样，改 善了阴极101和阳极盘102之间的绝缘。根据本发明的第一优选实施例，阴极_门极连接单元200提供在外壳104的一侧。 阴极-门极连接单元用于半导体开关器件到外部电路单元的电连接。连接器件用于半导体 开关器件的门极和阴极到外部电路单元的连接。阴极101如在目前技术水平中连接到外部 电路单元。为了避免电感回线(参见图2)，门极和阴极连接提供为同轴设置，如将在本文下 文中参照图4说明。阴极-门极连接包括用于电连接半导体开关器件的阳极和门极到外部 电路单元的同轴结构。阴极_门极连接单元200包括阴极导体202和门极导体203，如在图 3中示出的。阴极-门极连接单元200的内部导体提供为门极导体203，而阴极-门极连接 单元200的外部导体提供为阴极导体202。阴极-门极连接单元200的内部导体202与阴 极_门极连接单元200的外部导体202绝缘。绝缘可包括用介电材料制成的绝缘体。此外，阴极-门极连接200的内部导体203 可通过包括聚合物或陶瓷基材料的绝缘体与阴极_门极连接单元200的外部导体202绝 缘。根据本发明的优选发展，绝缘体具有小于500μπι的厚度。图4详细图示阴极_门极连接单元200。如之前描述的，门极导体203提供为阴 极_门极连接单元200的内部导体，其中阴极导体202提供为阴极-门极连接单元200的 外部导体。阴极-门极连接单元的横截面是圆形的使得同轴设置提供为在图4中示出的。 阴极导体202包括用于连接阴极导体202到阴极盘的阴极连接端子302，如将参照下文图6 示出的。此外，门极导体203包括用于连接门极导体203到外部电路单元(没有示出)的 门极连接端子303。提供绝缘体204以便使阴极导体202与门极导体203绝缘。绝缘可以是空气、例 如聚合物或陶瓷基材料等绝缘材料或本领域中已知的另一个绝缘材料。由于阴极-门极连 接单元200的结构，如例如门极_阴极回线电感的杂散电感最小化。注意到门极-阴极回 线电感是IGCT(集成门极换向晶闸管)的关断性能的最相关的参数。图5是在图3中示出的半导体100的正视图，其中示出半导体开关器件100，其中 阳极101移除。从而，外壳104的内部更详细地图示。注意到本文上文已经描述的部分或 部件没有在另外的说明中详细描述以便简化说明。如在半导体开关器件100的内部视图中
7示出的，阴极盘102包括在外壳104的内部中的第一阴极极片304和第二阴极极片305，其 采用同轴设置。在第一阴极极片304和第二阴极极片305之间，提供门极环201，其与门极 盘103电接触。门极环201必须由阴极-门极连接单元200的门极导体203接触。该连接将在下文参照图6详细描述，其是阴极-门极连接单元连同半导体开关器 件100的部分的横截面。如在图5中图示的，阴极导体202通过绝缘外壳104到达外壳104 的内部，其中门极导体202电连接到阴极盘102。此外，示出阴极-门极连接单元位于阴极 槽301中。注意到即使仅一个阴极-门极连接单元200在图5中示出，可在外壳104的外围 提供超过一个阴极-门极连接单元200，如将在本文下文参照关于本发明的第二优选实施 例的说明的图7和8示出。图6是在图3中示出的沿线A_A(参见图3)的半导体开关器件的一部分的横截面。 根据本发明的同轴门极概念可以清楚地看见。图6示出阴极盘102和阳极101的部分。此 外，衬底112在图的中心部分中示出。此外，描绘了外壳104和爬电段105的部分。在外壳 104和衬底112之间，提供绝缘单元106。在顶侧，衬底112提供为用于与阳极101接触的 阳极接触层107。在衬底112的下部，第一阴极极片304和第二阴极极片305提供用于与阴 极盘102接触。此外，示出门极环201，其由门极导体203接触。此外，在图6中描绘阴极导 体202连接到阴极盘102。从而，图6的横截面显示安装在外壳104的通孔中的阴极-门极连接单元200。为 了使爬电电流能够从阳极101通过爬电段105流到阴极盘102，提供阳极连接110用于连接 外壳104与阳极101。此外，提供阴极连接111用于连接阴极盘102通过外壳104。门极导体203在其的左端提供有门极连接端子303以便使门极环201到外部电路 单元(没有示出)的连接成为可能。此外，阴极导体202通过使用阴极连接端子302电连 接到阴极盘102。从而，电连接在阴极导体202和阴极盘102之间直接和通过阴极连接111 和阴极连接端子302提供，如在图6中描绘的。门极环201通过绝缘层109与环境绝缘，特 别与阴极盘102绝缘。注意到，即使阴极门极连接单元200的圆形横截面在图中(特别在图3、4和5中) 示出，阴极_门极连接单元200和阴极导体202以及门极导体203可具有非圆形的横截面， 例如矩形横截面。本发明不限制于阴极_门极连接单元200的横截面的具体设计。根据在 图3、4、5和6中示出的本发明的第一实施例，阴极导体202和门极导体203之间的距离可 沿整个回线保持在最小值，从而确保最小回线电感。阴极-门极连接单元200位于第二阴极极片的现有阴极槽中(参见图5)。因此， 阴极盘102连接到阴极导体202，其中门极导体203连接到门极环201使得整个半导体开关 器件的容易构建和成本有效的制造是可能的。注意到，在同轴连接内的电绝缘(即，绝缘体 204)可以是非常薄的，因为预期的峰值电压在仅大约100V的范围中。因此主要的要求是绝 缘材料需要与陶瓷外壳104的剩余部分一样是密封的。对于20. . . 30mm的总长度(取决于 IGCT衬底/封装直径)和极少的IOOym的厚度的绝缘体204，可以使用大多数聚合物或陶 瓷基材料。此外，阴极-门极连接单元200的插入将使半导体开关器件100的较廉价的外壳 104成为可能，使得降低制造成本。
图7和8示出根据本发明的第二优选实施例的半导体开关器件的顶视图和横截面 视图。如之前提到的，本发明不限于一个单个阴极-门极连接单元200的提供。提供大量 (至少两个)阴极-门极连接单元200是相当可能的。如在图7中示出的，在半导体开关器 件100的外壳104的外围周围设置许多阴极_门极连接单元200是有利的。如在图7中示出的，十二个阴极_门极连接单元200对称地设置在半导体开关器 件100的外壳104的外围周围。这样，可以改善半导体开关器件100到外部电路单元的电 连接。在图7中示出的阴极-门极连接单元200中的每个采用在本文上文关于图3至6描 述的方式构建。在图8中，根据本发明的第二优选实施例的半导体开关器件100更详细地示出。为 此，除了顶视图(图8(a))，在图8(b)的右侧示出通过阴极_门极连接单元200的中心的横 截面视图。图9和10图示关于具有根据本发明的第一优选实施例的阴极-门极连接单元200 的半导体开关器件与在图ι和2中示出的常规半导体开关器件比较的电感和电阻模拟。在 图9和10中，“同轴门极(coaxgate) ”意思是已经分析了根据本发明的第一优选实施例的 阴极-门极连接单元200的不同设置。在图9和10中，“原始切割(original cut) ”意思 是已经模拟了在图1和2中示出的常规半导体开关器件的电感和电阻行为。如在图9中示出的，电感402绘制为运行频率401的函数。该频率从IOHz示出到 1MHz，其是IGCT的相关运行频率范围。具有标号404的曲线图示如在现有技术中没有同轴 门极的电感分布。具有标号405的曲线同轴门极1、同轴门极2、同轴门极3和同轴门极4 显示具有同轴门极的电感分布。如可以看见的，杂散电感减小高达40% (特别在高频率范 围中)。此外，如参照图10示出的，模拟了使用根据本发明的阴极-门极连接单元200的 设置与在常规半导体开关器件中使用的常规连接比较的电阻。如在图10中示出的，电阻 403绘制为在与在图9中示出的频率范围相同的频率范围中(即在感兴趣的IOHz和IMHz 之间的频率范围中)的运行频率401的函数。曲线406示出如在现有技术中没有同轴门极 的电阻分布，其中标号407指示具有如之前关于图9示出的同轴门极(S卩，具有同轴门极1、 同轴门极2、同轴门极3和同轴门极4)的电阻分布。从在图10中示出的电阻图表，可以得出结论，由根据本发明的优选实施例的阴 极_门极连接单元200提供的电阻403上的增加(与由曲线406指示的常规设置的电阻比 较)是可忽略的。对于本领域内技术人员，基于本文教导，可做出变化和改动而不偏离公开的本发 明和它的更宽的方面，这将是明显的。即，本文上文阐述的所有示例意为示范性和非限制性 的。标号列表100半导体开关器件 202阴极导体101阳极203门极导体102阴极盘 204绝缘体103门极盘 301阴极槽104外壳 302阴极连接端子
9
105爬电段303门极连接端子
106绝缘单元304第一阴极极片
107阳极接触层305第二阴极极片
108阴极接触层401运行频率
109绝缘层402电感
110阳极连接403电阻
111阴极连接200阴极-门极连接单元
112衬底201门极环
404没有同轴门极的电感分布(现有技术)
405具有同轴门极的电感分布
406没有同轴门极的电阻分布(现有技术)
407具有同轴门极的电阻分布
权利要求
一种用于具有阴极盘的半导体开关器件到外部电路单元的电连接的连接器件，所述连接器件包括具有同轴结构的阴极 门极连接单元，其包括用于电连接所述半导体开关器件的阴极和门极到所述外部电路单元的门极导体和阴极导体，其中所述阴极导体包括适用于连接所述阴极导体到所述阴极盘的阴极连接端子。
2.如权利要求1所述的连接器件，其中所述阴极_门极连接单元的内部导体通过包括介电材料的绝缘体与所述阴极-门 极连接单元的外部导体绝缘。
3.如权利要求2所述的连接器件，其中所述阴极-门极连接单元的内部导体通过包括聚合物或陶瓷基材料的绝缘体与 所述阴极-门极连接单元的外部导体绝缘。
4.如权利要求2或3所述的连接器件，其中所述绝缘体具有小于500 μ m的厚度。
5.一种半导体开关器件，包括a)具有沉积在其上的所述半导体开关器件的阴极盘、阳极和门极的衬底；以及b)用于电连接所述半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元的连接部件，其中c)所述连接部件包括具有同轴结构的阴极-门极连接单元，其包括用于电连接所述半 导体开关器件的阴极和门极到所述外部电路单元的门极导体和阴极导体，其中所述阴极导 体包括适用于连接所述阴极导体到所述阴极盘的阴极连接端子。
6.如权利要求5所述的半导体开关器件，其中所述阴极_门极连接单元的内部导体通 过包括介电材料的绝缘体与所述阴极_门极连接单元的外部导体绝缘。
7.如权利要求6所述的半导体开关器件，其中所述阴极-门极连接单元的内部导体通 过包括聚合物或陶瓷基材料的绝缘体与所述阴极_门极连接单元的外部导体绝缘。
8.如权利要求6或7所述的半导体开关器件，其中所述绝缘体具有小于500μ m的厚度。
9.如权利要求6所述的半导体开关器件，其中所述同轴结构设计成使得用于连接所述 半导体开关器件的门极到所述外部电路单元的门极导体形成为所述阴极-门极连接单元 的内部导体并且用于连接所述半导体开关器件的阴极到所述外部电路单元的阴极导体形 成为所述阴极_门极连接单元的外部导体，或在于用于连接所述半导体开关器件的门极到所述外部电路单元的门极导体形成为所述阴 极-门极连接单元的外部导体并且用于连接所述半导体开关器件的阴极到所述外部电路 单元的阴极导体形成为所述阴极-门极连接单元的内部导体。
10.如权利要求5所述的半导体开关器件，其中所述半导体开关器件是集成门极换向 晶闸管。
11.如权利要求5所述的半导体开关器件，其中所述用于电连接所述半导体开关器件 的阴极和门极到外部电路单元的所述连接部件附加到所述半导体开关器件的外壳。
12.如权利要求11所述的半导体开关器件，其中所述外壳用绝缘材料制成。
13.如权利要求12所述的半导体开关器件，其中所述外壳用陶瓷材料制成。
14.如权利要求5所述的半导体开关器件，其中所述阴极盘包括阴极极片。
15.如权利要求5所述的半导体开关器件，其中所述阴极盘包括第一阴极极片和第二阴极极片。
16.如权利要求5所述的半导体开关器件，其中所述阴极-门极连接单元的阴极导体包 括用于连接所述阴极导体到所述阴极盘的阴极连接端子。
17.如权利要求5所述的半导体开关器件，其中所述阴极-门极连接单元的门极导体包 括用于连接所述门极导体到所述外部电路单元的门极连接端子。
18.如权利要求12所述的半导体开关器件，其中所述外壳在其的外面包括至少一个爬 电段以便使爬电电流从所述阳极偏离到所述阴极盘。
19.如权利要求5至18中任一项所述的半导体开关器件，其中所述连接部件包括至少 两个具有同轴结构的阴极-门极连接单元，其包括用于电连接所述半导体开关器件的阴极 和门极到所述外部电路单元的门极导体和阴极导体，其中所述至少两个阴极-门极连接单 元对称地设置在所述阴极盘周围。
20.如权利要求19所述的半导体开关器件，其中所述阴极-门极连接单元的内部导体 通过包括介电材料的绝缘体与所述阴极_门极连接单元的外部导体绝缘。
21.如权利要求20所述的半导体开关器件，其中所述阴极-门极连接单元的内部导体 通过包括聚合物或陶瓷基材料的绝缘体与所述阴极_门极连接单元的外部导体绝缘。
22.如权利要求20或21所述的半导体开关器件，其中所述绝缘体具有小于500μ m的 厚度。
23.如权利要求20所述的半导体开关器件，其中所述同轴结构设计成使得用于连接所 述半导体开关器件的门极到所述外部电路单元的门极导体形成为所述阴极-门极连接单 元的内部导体并且用于连接所述半导体开关器件的阴极到所述外部电路单元的阴极导体 形成为所述阴极-门极连接单元的外部导体，或者在于用于连接所述半导体开关器件的门极到所述外部电路单元的门极导体形成为所述阴 极-门极连接单元的外部导体并且用于连接所述半导体开关器件的阴极到所述外部电路 单元的阴极导体形成为所述阴极-门极连接单元的内部导体。
24.如权利要求19所述的半导体开关器件，其中所述半导体开关器件是集成门极换向 晶闸管。
25.如权利要求19所述的半导体开关器件，其中所述用于电连接所述半导体开关器件 的阴极和门极到外部电路单元的所述连接部件附加到所述半导体开关器件的外壳。
26.如权利要求25所述的半导体开关器件，其中所述外壳用绝缘材料制成。
27.如权利要求25所述的半导体开关器件，其中所述外壳用陶瓷材料制成。
28.如权利要求19所述的半导体开关器件，其中所述阴极盘包括阴极极片。
29.如权利要求19所述的半导体开关器件，其中所述阴极盘包括第一阴极极片和第二 阴极极片。
30.如权利要求19所述的半导体开关器件，其中所述阴极_门极连接单元的阴极导体 包括用于连接所述阴极导体到所述阴极盘的阴极连接端子。
31.如权利要求19所述的半导体开关器件，其中所述阴极_门极连接单元的门极导体 包括用于连接所述门极导体到所述外部电路单元的门极连接端子。
32.如权利要求26所述的半导体开关器件，其中所述外壳在其的外面包括至少一个爬 电段以便使爬电电流从所述阳极偏离到所述阴极盘。
全文摘要
本发明提供半导体开关器件，其包括具有沉积在其上的半导体开关器件的阴极、阳极和门极的衬底，和用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元的连接部件。该连接部件包括具有同轴结构的阴极-门极连接单元，其包括用于电连接半导体开关器件的阴极和门极到外部电路单元的门极导体和阴极导体。
文档编号H01L23/48GK101897021SQ200880121029
公开日2010年11月24日 申请日期2008年11月26日 优先权日2007年12月11日
发明者D·科泰特, T·威克斯特伦, T·斯蒂亚斯尼 申请人:Abb研究有限公司