专利名称：薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的平板显示装置的制作方法
技术领域：
本发明的各方面涉及薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法和包括该薄 膜晶体管的平板显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管通常包括有源层，包括沟道区、源区和漏区；和栅极，形 成在沟道区上。栅极通过栅绝缘膜与有源层电绝缘。有源层通常由诸如非晶硅或多晶硅等半导体材料形成。但是，如果有源 层由非晶硅形成，由于其电子迁移率低而难以实现高速驱动电路。如果有源 层由多晶硅形成，因阈值电压不均匀而需要增加单独补偿电路。使用低温多晶硅(LTPS)制造薄膜晶体管的常规方法包括诸如激光退 火等昂贵工艺。此外，这种方法很难应用于更大尺寸的基板。曰本专利公开2004-273614公开了将含有氧化锌(ZnO )或含有氧化锌(ZnO ) 的化合物半导体作为主成分用作有源层的薄膜晶体管。化合物半导体被评价为具有非晶形状的稳定材料。如果将这样的化合物 半导体用作有源层，则该化合物半导体具有诸多优点，因为薄膜晶体管可在 低于350。C的温度下使用现有的工艺设备来制造。此外，可省略离子注入工艺但是，在对化合物半导体上形成的薄膜进行刻蚀时，化合物半导体会被等离子体损坏。这种损坏降低了化合物半导体的电学性能，导致薄膜晶体管 的阈值电压改变。发明内容本发明的各方面提供一种在钝化层的形成和/或图案化期间具有改善的 抗损伤性的薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管 的平板显示装置。本发明的各方面提供一种抵抗外部光损坏的薄膜晶体管、制造所述薄膜 晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置。本发明的各方面提供一种薄膜晶体管，包括基板；形成在基板上的栅 极；形成在栅极上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上包括化合物半导体氧化物 的有源层；形成在有源层上的钝化层；以及与有源层接触的源极和漏极。所 述钝化层由无机氧化物形成。根据本发明的另一个方面，提供一种制造薄膜晶体管的方法，包括在 基板上形成栅极；在栅极上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成包括化合物半 导体氧化物的有源层；在有源层上形成包括无机氧化物的钝化层；以及形成 与有源层接触的源极和漏极。根据本发明的又一个方面，提供一种平板显示装置，包括相对的第一 基板和第二基板；形成在第一基板上的像素电极，形成在像素电极周围的扫 描线和数据线；与像素电极、扫描线和数据线相连的薄膜晶体管，用于控制 提供给各像素电极的信号；以及注入到第一基板和第二基板之间的密封空间 的液晶。各薄膜晶体管包括形成在第一基板上的栅极；由化合物半导体氧 化物形成的有源层，所述有源层通过栅绝缘膜与栅极绝缘；形成在有源层上 的钝化层；以及与有源层接触的源极和漏才及。所述4屯化层由无才几氧化物形成。根据本发明的又一个方面，提供一种平板显示装置，包括相对的第一 基板和第二基板；形成在第一基板上的有机发光装置；形成在有机发光装置 周围的扫描线和数据线；以及与扫描线、数据线和有机发光装置相连的薄膜晶体管。各有机发光装置包括第一电极、有机薄膜层和第二电极。各薄膜晶体管包括形成在第一基板上的栅极；通过栅绝缘膜与栅极绝缘的化合物半 导体氧化物有源层；形成在有源层上的无机氧化物钝化层；以及与有源层接 触的源一及和漏才及。根据本发明的又一个方面，在源极和漏极形成期间，钝化层可用作刻蚀 停止层，即使有源层被损坏，也可防止沟道层被污染和/或损伤。钝化层能 够通过随后的退火工艺使有源层被修复。因此，本发明的各方面能够防止薄 膜晶体管因有源层受损而使电学性能恶化，并能够改善基板性能。钝化层由 带隙相对较小的无机氧化物形成，从而使其能够有效地吸收外部光。本发明的其它方面和/或优点将在以下的说明书部分进行阐述，其部分 内容在说明书中是显而易见的，或者可通过本发明的实践而理解。
从以下结合附图对实施方式的描述中，本发明的这些和/或其他方面和 优点将变得显而易见并更易于理解图1是根据本发明各方面的薄膜晶体管的横截面图；图2A 2D是制造根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管的方法的 横截面图；图3A和4A是表示漏电流随栅电压变化的曲线图；图3B和4B是表示阈值电压随时间的变化曲线图；图5A是表示不具有钝化层的薄膜晶体管的电学性能曲线图；图5B和5C是表示具有钝化层的薄膜晶体管的电学性能曲线图；图6A和6B是表示根据本发明各方面的薄膜晶体管的电学性能曲线图；图7A和7B是表示根据本发明各方面的薄膜晶体管的可靠性曲线图；图8A和8B是表示晶体管的传输性能随外部光吸收变化的曲线图；图9是根据本发明的示例性实施方式的薄膜晶体管的横截面图；图10是根据本发明示例性实施方式的具有薄膜晶体管的平板显示装置的俯视图；图IIA和11B分别是根据本发明示例性实施方式的具有薄膜晶体管的 平板显示装置的俯视图和横截面图；和图12是图IIA和图11B的有机发光装置的横截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施方式，其实施例表示在附图中，其中，相 同的附图标记在全文中指代相同元件。为了说明本发明的各方面，下面参考附图对实施方式进行描述。所述的示例性实施方式可以以各种不同方式修改 而不背离本发明的精神或范围。因此，附图与说明被认为是性质上的说明而非限制。此外，当某一元件被称为"在另一元件之上"时，它可直接在另一 元件之上，或者有一个或多个插入元件插入其中而间4妻地在该元件上。同样， 当某一元件被称为"与另一元件相连"时，它可直接与该元件相连，或者可 有一个或多个插入元件插入其中而间4妄地与该元件相连。图1是根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管的横截面图。在该薄膜 晶体管中，緩冲层11形成在基板IO上，且栅极12形成在緩冲层11上。通 过栅绝缘膜13与栅极12绝缘的有源层14形成在栅绝缘膜13上，位于栅极 12之上。有源层14可由化合物半导体氧化物形成。在有源层14内提供沟 道区14a、源区14b和漏区14c。沟道区14a与4册4及12重叠。钝化层15形成在有源层14和绝缘膜13上。在钝化层15内形成使源区 14b和漏区14c暴露的接触孔。源极16a和漏极16b形成在钝化层上，且通 过才妄触孔与源区14b和漏区14c 4妻触。有源层14可由化合物半导体氧化物或氧化锌(ZnO)形成。在此的化 合物半导体氧化物是指包括元素周期表中两个或更多个不同族的元素和氧的半导体化合物。有源层14可用镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn )、锆(Zr )、 铪(Hf)和钒(V)中的至少一种离子进行掺杂。钝化层15由无机氧化物 形成。无机氧化物可包括从由4家(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)构成的组中选择的元素，或者可包括硅(Si)或铝(Al)。 图2A 2D是制造根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管的方法的 横截面图。参照图2A，緩沖层11形成在基板IO上，且栅极12形成在緩沖 层11上。栅绝缘膜13形成在栅极12和緩冲层11上。基板10可以是诸如 硅(Si)等半导体基板、诸如玻璃或塑料等绝缘基板、或金属基板。栅极12 可包括A1、 Cr或MoW，或者可包括导电聚合物。4册绝缘膜13可以由诸如 Si02、 SiNx或Ga203等绝缘材料形成。参照图2B，有源层14形成在4册绝缘膜13上，位于4册极12之上。有源 层14包括沟道区14a、源区14b和漏区14c。有源层14可由化合物半导体 氧化物或氧化锌形成。例如，有源层14可由ZnO、 ZnGaO、 ZnlnO、 ZnSnO、 或GalnZnO形成。参照图2C,随后对钝化层15进行图案化，从而形成使源区14b和漏区 14c暴露的接触孔15a。钝化层15由无机氧化物形成，该无机氧化物包括例 如从由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)构 成的组中选择的元素，或者可包括硅(Si)或铝(Al)。钝化层15可由与 化合物半导体氧化物相同的材料形成。例如，钝化层可由ZnO、 ZnGaO、 ZnlnO、 ZnSnO、 GaO、 HfO或GalnZnO形成。或者，钝化层15至少包括 化合物半导体氧化物中包含的一些元素，如Ga203等。钝化层15还可包括 二氧化硅(Si02)、氧化铝(A1203 )或氮氧化铝(AION)。当使用二氧化硅时，设定沉积温度低于30CTC,设定氧气分压为至少 50%。当使用氧化铝时，设定沉积温度低于30CTC,且设定铝(Al)含量为 2~50%。当使用氮氧化铝时，设定氧气分压为约4%,在溅射沉积工艺中， 在氮气和氩气氛围中，使用氧化铝(A1203 )靶材。参照图2D,在钝化层15上及接触孔15a中形成导电层之后，对导电层 进行图案化，,人而形成通过4妻触孔15a与源区14b和漏区14c接触的源才及16a 和漏极16b。源极16a和漏极16b可由金属形成，例如Mo、 MoW、 Al、 AlNd 或AlLiLa等。在对导电层进行图案化的过程中，钝化层15可用作有利于刻蚀工艺的刻蚀停止层。由此在刻蚀工艺中保护有源层14的沟道区14a。也防止了由于 后续工艺的有机材料对有源层14的污染。但是，当钝化层15是由相对于化合物半导体具有低刻蚀选择性的材料 形成时，有源层14会在接触孔15a的刻蚀过程中受损。由此应该相应地选 择材料和/或刻蚀方法。当有源层14受损时，如果在形成源才及16a和漏极16b 之后，在200~ 350。C的温度下、在约10^的真空中以及在氮气(N2 )和氧 气(02)的氛围中使有源层14退火，可修复有源层14。推断化合物半导体的电学性能因等离子体损坏而恶化主要由表面光栅 破损引起的缺氧而产生。因此，本发明各方面通过使用无机氧化物钝化层 15来保护有源层14。也允许通过随后的退火工艺来修复有源层14。推断有 源层14的修复是钝化层15的氧扩散的结果。图3A是表示不含钝化层的薄膜晶体管的漏电流Id (A)随栅电压Vg 变化的曲线图。图3B是表示该晶体管的阈值电压Vth随时间变化的曲线图。 图4A是表示根据本发明各方面包括钝化层15的薄膜晶体管的漏电流Td( A) 随栅电压Vg变化的曲线图。图4B是表示该包括钝化层15的晶体管的阈值 电压Vth随应力时间变化的曲线图。在对源极16a和漏极16b施加10V的 Vd电压期间，进行50小时的测试。设定斥册电压Vg以确保3pA的电流。在图3A和3B的情况下，阈值电压Vth随时间推移在正(+ )向突然增 大，而阈值电压增大使其在约5小时后不能精确测量。相反，在图4A和4B 的情况下，阁值电压Vth的波动宽度低于约IV,并保持稳定超过50小时。在具有多晶硅有源层的常规薄膜晶体管中，钝化层通常由二氧化硅 (Si02)、氮化硅(SiNx)或氧化铝(A1203 )形成。但是，在具有由化合物 半导体氧化物形成的有源层的薄膜晶体管的情况下，如果钝化层是由常规形 成的二氧化硅(Si〇2)、氮化硅(SiNx)或氧化铝(A1203 )形成，其电学性 能会严重下降。推断这种下降是由沉积工艺中的等离子体导致。如果产生损 伤，活性层的载流子浓度可能会由于缺氧而增加。此外，截止电流可能会因增大，导致其S因子减小。图5A是表示其内未形成钝化层的薄膜晶体管的电学性能曲线图。图5B 和5C是表示其内分别形成二氧化硅(Si02)钝化层和氧化铝(A1203 )钝化 层的薄膜晶体管的电学性能曲线图。这些钝化层使用常规工艺形成。如图 5B和5C所示，在形成二氧化硅(Si02)钝化层和氧化铝(A1203 )钝化层 之后，薄膜晶体管的电学性能降低，如I-V (电流-电压)曲线所示。图6A表示了包括GalnZnO钝化层和GalnZnO有源层的薄膜晶体管产 生的结果。图6B表示了包括Ga203钝化层和GalnZnO有源层的薄膜晶体管 产生的结果。与图5A中所示的薄膜晶体管不包括钝化层时的3.3V阈值电压 相比，它们的阈值电压增加了约2.4V(图6A),以及降低了约0.2V(图6B)。图7A和7B是表示根据本发明各方面的包括有源层14和Ga203钝化层 的薄膜晶体管的可靠性曲线图，有源层14通过在3mTorr的压力下沉积 GalnZnO形成。在图7A和7B中，虚线表示阈值电压Vth，实线表示噪声或 突然的电压变化。源电压和漏电压为10V,设定栅电压以确保3|iA的恒流。当测试进行50小时(图7A)和10000小时(图7B)之后，在两种情 形下都有轻微变化。从图7表示阈值电压Vth变化的虚线来看，推断在30000 小时后可能存在1.2V或更低的变化。稳定的电学性能归因于无机氧化物形成的钝化层。换句话说，因为钝化 层包括无机氧化物，钝化层15更易捕获(抑制)沉积工艺中产生的过剩载 流子，从而防止电学性能因过剩的载流子而恶化。而且，本发明的钝化层防止晶体管性能因外部光而恶化。尽管化合物半 导体GalnZnO具有大带隙，如果其吸收光则会产生过剩的载流子，导致漏 电流会产生，且晶体管的性能会降低。特别是与顶栅结构相比，底栅结构对 外部光更壽文感。如图5B所示，如果钝化层15由大带隙的二氧化硅(Si02)形成，则不 能有效阻挡外部光。因此，如图8A所示，晶体管的传输性能降低。在图8A 中，当对源极16a和漏极16b施加5.IV的Vd电压时，薄膜晶体管,皮施力口 0 ~20000勒克斯的光。但是，如图6B所示，在本发明的薄膜晶体管中，钝化层由诸如Gaz03 等具有相对较小带隙的无机氧化物形成，使得外部光易于吸收。因此，如图 8B所示，有源层通过钝化层保护而不受外部光损坏，且防止了因光的光学 吸收而产生的氧分离，保持了晶体管的传输性能。有源层因吸光而恶化会导致包括该薄膜晶体管的显示装置的图像质量 降低及功耗增大。因此，常规的非晶硅薄膜晶体管通常具有能够降低漏电流 的双栅结构、轻微掺杂的漏(LDD)结构或偏置结构。但在这种情况下，存 在接通状态的漏极电流降低且增加额外工艺的问题。但就本发明而言，因为 钝化层由窄带隙的无机氧化物形成，外部光被有效吸收，所以不需要增加用 于补偿电学性能下降的单独工艺或装置。图9是根据本发明的另一个示例性实施方式的薄膜晶体管的横截面图。 虽然图1的薄膜晶体管的钝化层15是跨过有源层14和绝缘膜13而形成， 而图9的薄膜晶体管包括仅在有源层上形成的钝化层25。此外，如图1所 示，源极26a和漏极26b与有源层14的源区14b和漏区14c接触，而不是 穿过钝化层15中的接触孔与之接触。有源层14可由钝化层25保护，且通过源极26a和漏极26b与源区14b 和漏区14c的直接接触还可降低接触电阻。钝化层25可由与钝化层15相同 的材料形成。图9的薄膜晶体管可使用与图1的薄膜晶体管相同的方法制造，区别在 于不是通过将钝化层15图案化来形成接触孔15a，而是在图案化时将部分钝 化层25去除，使得钝化层25仅存在于部分有源层14上。根据本发明各方面的薄膜晶体管可用于平板显示装置。图IO是包括根 据本发明各方面的薄膜晶体管的平板显示装置的俯视图。平板显示装置包括 显示图像的显示板100。显示板100包括相对的第一基板110和第二基板 120，以及布置于其中的液晶层130。扫描线111和数据线112的矩阵布置 在第一基板110上面，且在矩阵上形成像素113。14各像素113包括像素电极115和薄膜晶体管114。薄膜晶体管114与扫 描线111和数据线112连接。薄膜晶体管114控制从扫描线111和数据线 112向各像素电极115提供的信号。薄膜晶体管114可通过图l或图9的薄 膜晶体管来示例，并可根据图2A 2D的制造方法来制造。彩色滤光片121和公共电极122形成在第二基板120的内表面上。起偏 振片116和123分别形成在第一基板110和第二基板120的外表面上。背光 (未示出)可布置于起偏振片116之下。驱动显示板100的驱动器LCD驱 动IC (未示出)固定在显示板100的外围。驱动器将外部供应的电信号转 换成扫描信号和数据信号，分别提供给扫描线111和数据线112。图IIA和11B是平板显示装置的另一个示例性实施方式的俯视图和横 截面图。该平板显示装置包括显示图像的显示板200。显示板200包括具有 像素区220的基板210和布置在像素区220周围的非像素区230。多个有机 发光装置300布置在扫描线224和数据线226的矩阵内并与其连接，所述矩 阵形成在基板210上。扫描线224和数据线226伸展到像素区200中。在非 像素区230中形成使有机发光装置300运转的电源线(未示出)以及将信号 供应给扫描线224和数据线226的扫描驱动器234和数据驱动器236。参照图12，各有机发光装置300包括阳极317、阴极320和形成在阳极 317和阴极320之间的有机薄膜层319。有机薄膜层319包括堆叠的空穴传 输层、有机发光层和电子传输层。有机薄膜层319还可包括空穴注入层和电 子注入层。有机发光装置300可进一步包括控制有机发光装置300运转的薄 膜晶体管和维持信号的电容器。具有图1或图9结构的薄膜晶体管可根据如 图2A ~ 2D所示的本发明的示例性制造方法来制造。参照图IIA和12,在各有机发光装置300中，緩冲层11形成在基板 210上，且4册极12形成在i象素区220内的緩沖层11上。扫描线224与有积; 发光装置300的栅极12及扫描驱动器234连接。数据线226使有机发光装 置300与数据驱动器236连接。接收外部信号的焊盘228可形成在非像素区 230内。包括沟道区、源区和漏区的有源层14形成在栅极12上。有源层14通过栅绝缘膜13与栅极12电绝缘。钝化层15形成在有源层14上，且在钝化层15内形成使有源层14的源 区和漏区暴露的接触孔。源极16a和漏极16b形成在钝化层15上，并通过 接触孔洞与源区14b和漏区14c连接。有机平整层17形成在源极16a和漏一及16b上。在平整层17上形成l吏漏 极16b暴露的孔。阳极317通过孔与漏极16b连接。4象素界定膜318形成在 平整层17上并具有使阳极317暴露的孔。有机薄膜层319形成在暴露的阳 极317上，而阴极320形成在像素界定膜318上并与有才几薄膜层319接触。参照图IIB，密封像素区220的密封基板400布置在上基板210上。密 封基板400通过密封剂410与上基板21(M妻合，从而完成显示^反200。虽然已示出并说明了本发明的若干示例性实施方式，但本领域技术人员 应该理解的是，可以在这些示例性实施方式上进行改变但不背离本发明的原 则和精神，本发明的范围由权利要求书及其等效物限定。
权利要求
1、一种薄膜晶体管，包括基板；形成在所述基板上的栅极；形成在所述栅极和所述基板上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上并通过所述栅绝缘膜与所述栅极绝缘的有源层，所述有源层包括化合物半导体氧化物或氧化锌；形成在所述有源层上的钝化层，包括无机氧化物；和与所述有源层接触的源极和漏极。
2、 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述源极和漏极通过形成在所述 钝化层中的接触孔与所述有源层接触。
3、 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体氧化物包括氧 化锌。
4、 如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体氧化物被镓、 铟、锡、锆、铪和钒中的至少一种离子掺杂。
5、 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述无机氧化物包括所述化合物 半导体氧化物中也包括的元素。
6、 如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体氧化物包括镓、 铟、4易、#■、《合、4凡或它们的组合。
7、 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述无机氧化物包括硅或铝。
8、 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述无机氧化物包括二氧化硅、 氧化铝、氧化镓、氧化铪或氮氧化铝。
9、 如权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括形成在所述基板和所述栅 极之间的緩冲层。
10、 一种制造薄膜晶体管的方法，包括 在基板上形成栅极；在所述栅极上形成4册绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成包括化合物半导体氧化物或氧化锌的有源层； 在所述有源层上形成包括无机氧化物的钝化层；和 形成与所述有源层接触的源极和漏极。
11、 如权利要求IO所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述钝化层的形成 包括在所述钝化层中形成接触孔。
12、 如权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述源极和漏极的 形成包括在所述钝化层上以及在所述接触孔中形成导电层；和 对所述导电层进行图案化形成所述源极和漏极，所述源极和漏极通过所述 接触孔与所述有源层接触。
13、 如权利要求IO所述的制造薄膜晶体管的方法，进一步包括使所述钝化 层退火。
14、 如权利要求IO所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述化合物半导体 氧化物包括氧化锌。
15、 如权利要求14所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述化合物半导体 氧化物被镓、铟、锡、锆、铪和钒中的至少一种离子掺杂。
16、 如权利要求IO所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述无机氧化物包 括所述化合物半导体氧化物中也包括的元素。
17、 如权利要求16所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述化合物半导体 氧化物包括镓、铟、锡、锆、铪、钒或它们的组合。
18、 如权利要求IO所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述无机氧化物包 才舌》圭或铝。
19、 如权利要求IO所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述源极和漏极的 形成包括将所述钝化层用作刻蚀停止层。
20、 如权利要求IO所述的制造薄膜晶体管的方法，进一步包括在所述基板 上形成緩沖层。
21、 一种平板显示装置，包括相对的第一基板和第二基板； 布置在第 一基板上的像素电极；布置在第 一基板上且在所述像素电极周围的扫描线和数据线； 与所述扫描线、数据线和像素电极相连以控制像素电极的操作的薄膜晶体 管，各所述薄膜晶体管包括，形成在所述第 一基板上的栅极，形成在所述栅极和所述第 一基板上的栅绝缘膜，形成在所述栅绝缘膜上并通过所述栅绝缘膜与所述栅极绝缘的有源层， 所述有源层包括化合物半导体氧化物或氧化锌，形成在所述有源层上包括无机氧化物的钝化层，和与所述有源层接触的源极和漏极； 布置在所述第二基板上的公共电极；和 注入到所述第 一基板和第二基板之间的空间中的液晶层。
22、 如权利要求21所述的平板显示装置，其中所述源极和漏极通过形成在 所述钝化层中的接触孔与所述有源层接触。
23、 如权利要求21所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体氧化物包 括氧化锌。
24、 如权利要求23所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体氧化物被 镓、铟、锡、锆、铪和钒中的至少一种离子掺杂。
25、 如权利要求21所述的平板显示装置，其中所述无机氧化物包括所述化 合物半导体氧化物中也包含的元素。
26、 如权利要求25所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体氧化物包 括4家、铟、锡、锆、铪、钒或它们的组合。
27、 如权利要求21所述的平板显示装置，其中所述无机氧化物包括硅或铝。
28、 一种平板显示装置，包括 相对的第 一基板和第二基板；布置在所述第 一基板上的有机发光装置；布置在所述第一基板上并在所述有机发光装置周围的扫描线和数据线； 布置与所述扫描线、数据线和有机发光装置相连的用于控制有才几发光装置 的操作的薄膜晶体管，各所述薄膜晶体管包括，形成在所述第 一基板上的栅极，形成在所述栅极和所述第 一基板上的栅绝缘膜，形成在所述栅绝缘膜上并通过所述绝缘膜与所述栅极绝缘的有源层，所 述有源层包括化合物半导体氧化物或氧化锌，形成在所述有源层上包括无机氧化物的钝化层，和 与所述有源层接触的源极和漏极。
29、 如权利要求28所述的平板显示装置，其中所述源极和漏极伸过所述钝 化层中的孔与所述有源层接触。
30、 如权利要求28所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体氧化物包 括氧化锌。
31、 如权利要求30所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体氧化物被 镓、铟、锡、锆、铪和钒中的至少一种离子掺杂。
32、 如权利要求28所述的平板显示装置，其中所述无机氧化物包括所述化 合物半导体氧化物中也包含的元素。
33、 如权利要求32所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体氧化物包 括4家、铟、锡、4告、铪、钒或它们的组合。
34、 如权利要求28所述的平板显示装置，其中所述无机氧化物包括硅或铝。
35、 一种薄膜晶体管，包括 基板；形成在所述基板上的栅极；形成在所述栅极和所述基板上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上与所述栅极相邻的有源层，所述有源层包括ZnO、 ZnGaO、 ZnlnO、 ZnSnO或GalnZnO 。
36、如权利要求35所述的薄膜晶体管，其中所述钝化层的带隙不大于所述 有源层的带隙。
全文摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的有源层；形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层；以及与所述有源层接触的源极和漏极。
文档编号H01L29/786GK101626036SQ20091013395
公开日2010年1月13日 申请日期2009年4月14日 优先权日2008年7月8日
发明者宋英宇, 崔千基, 李钟赫, 梁熙元, 河载兴, 牟然坤, 郑在景, 郑棕翰, 郑现中, 金光淑, 金民圭 申请人:三星移动显示器株式会社