电子器件及其制造方法

专利名称：电子器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电子器件，以及制造该电子器件的方法。
背景技术：
迄今为止已经开发出的制造电子器件的方法包括，例如， JP-A-2003-309215中披露的方法。根据其中披露的制造方法，多个互连 层顺序地堆叠在支撑衬底上，从而形成多层互连结构，并接着去除该 支撑衬底。在通过去除该支撑衬底而暴露出来的多层互连结构的一个 表面上形成焊球，以便于起到外部电极端子的作用。在该多层互连结 构的另一表面倒装安装电子元件。因此能够得到包括多层互连结构的 电子器件，其中该多层互连结构上安装有电子元件。
除了 JP-A-2003-309215以外，与本发明相关的现有技术还包括 JP-A-S57-7147 ， JP-A-H09-321408 ， JP-A陽H1 1-126978 ， 以及 JP-A-2001-53413。
本发明者已经意识到如下问题。在上面的电子器件中，为了在互 连层与电子元件之间实现精细的连接，在构成该多层互连结构的互连 层中，采用适于微处理的树脂必须被用于电子元件侧上的互连层。另一方面，对于焊球侧上的互连层，通常不需要采用适于微处理的树脂。 因此，从电子器件的制造成本角度来看，期望采用相对便宜的树脂来 用于焊球侧上的互连层。
但是，根据JP-A-2003-309215中披露的制造方法，如已经描述的， 在支撑衬底上顺序地形成多个互连层，用于形成多层互连结构。这就 意味着，在电子元件侧上的互连层之前形成焊球侧的互连层。因此， 比用于电子元件侧上的互连层热分解温度更低的树脂不能被用于焊球 侧上的互连层。这一限制对于选择要被用于焊球侧上的互连层的树脂 来说施加了限制，从而妨碍了降低该电子器件的制造成本。

发明内容
在根据本发明的一个方面中，提供了一种制造电子器件的方法， 包括在支撑衬底上形成第一互连层；去除该支撑衬底；以及在去除 该支撑衬底之后，在第一互连层的表面上形成第二互连层，而在该第 一互连层上初始地配备了支撑衬底；其中形成该第二互连层的步骤包 括在第一互连层中形成第一导电插塞。
根据这样安排的制造方法，在支撑衬底上形成第一互连层，其中 将要在该第一互连层上安装电子元件，并且接着在形成该第二互连层 之前去除该支撑衬底。这种结构消除了如下限制无法釆用比形成第 一互连层更低热分解温度的树脂来形成第二互连层。因此，该方法允 许采用适于微处理的树脂来用于第一互连层，同时采用相对较便宜的 树脂用于第二互连层。
在根据本发明的第二个方面中，提供了一种电子器件，包括第 一互连层；第二互连层，其配备在该第一互连层上并具有外部电极端 子；以及第一导电插塞，其配备在该第一互连层上并且暴露在该第二 互连层一侧的第一互连层的表面上；其中形成该第一互连层的树脂的 热分解温度高于形成该第二互连层的树脂的热分解温度；以及该第二互连层一侧上的第一导电插塞的端面的面积大于与相对端面的面积。
这样构建的电子器件允许采用比形成第一互连层具有更低热分解 温度的树脂来形成第二互连层。因此，可以采用相对便宜的树脂用于 该第二互连层，同时采用适于微处理的树脂用于该第一互连层。
这样，本发明提供了一种器件以及制造该电子器件的方法，其中 该器件能够在互连层与电子元件之间形成精确连接，尽管成本很低。


本发明的上述和其他目标，优点和特征将会通过下面参照附图对
某些优选实施例的说明而变得更加清晰，其中
图1为根据本发明第一实施例的电子器件的剖面图； 图2为用于说明第一互连层与第二互连层之间分界面周围结构的
剖面图3A-3E为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法的 剖面图4A和4B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法 的剖面图5A和5B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法 的剖面图6A和6B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法 的剖面图7A和7B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法 的剖面图8为根据本发明第二实施例的电子器件的剖面图； 图9A和9B为顺序地显示根据第二实施例的电子器件的制造方法 的剖面图IOA和IOB为顺序地显示根据第二实施例的电子器件的制造方 法的剖面图；图IIA和IIC为顺序地显示根据第二实施例的电子器件的制造方 法的剖面图12A和12B为顺序地显示根据第二实施例的电子器件的制造方 法的剖面图13为根据本发明第三实施例的电子器件的剖面图； 图14A和14B为顺序地显示根据第三实施例的电子器件的制造方 法的剖面图15为用于说明实施例的变化的剖面图；以及 图16为用于说明实施例的另一个变化的剖面图。
具体实施例方式
下面将参照说明性实施例来描述本发明。本领域内的技术人员可 以认识到，通过使用本发明的教导可以实现许多替换实施例，并且本 发明并不限于仅用于说明目的的实施例。
在下文中，将参照附图来详细地描述根据本发明的电子器件及其 制造方法的实施例。在全部附图中，相同的数字来表示相同的部件， 并且不会重复对它们的描述。
第一实施例
图1为根据本发明第一实施例的电子器件的剖面图。该电子器件1
包括互连层IO (第一互连层)以及互连层20 (第二互连层)。
该互连层IO包括通路插塞12a (第一导电插塞)，通路插塞12b， 绝缘树脂14以及导体互连16 (第一互连)。在该绝缘树脂14中配备有 通路插塞12a， 12b。如图1中可以清晰的看到，该通路插塞12a为锥 形，它的直径朝着互连层20的方向逐渐增加。因此，该互连层20 — 侧上的通路插塞12a的端面的面积大于相对端面的面积，即将在后面描 述的IC芯片32， 36—侧上的端面。相反，该通路插塞12b为锥形， 它的直径朝着互连层20的方向逐渐减小。因此，该互连层20 —侧上通路插塞12a的端面的面积小于相对端面的面积。该通路插塞12a， 12b 暴露在与该互连层20相对的互连层10的表面上。
该通路插塞12a的导体可以为例如铜(Cu)，镍(Ni)，金(Au) 或银(Ag)。该绝缘树脂14可以由聚酰亚胺树脂、聚苯并瞎唑 (polybenzoxazole，下文称PBO)树脂，苯并环丁烯(benzocyclobutene， BCB)树脂，荷环树脂(cardoresin，苑环聚合物，cardo polymer)或 环氧树脂构成。该聚酰亚胺树脂可以为感光的或者非感光的。在该绝 缘树脂14上配备有导体互连16，以便于与通路插塞12a， 12b相连。
在该互连层10的上表面(第一表面)上安装有IC芯片32， 36 (电 子元件)。该IC芯片32， 36分别通过凸块33， 37倒装连接至导体互 连16。在该IC芯片32与互连层10之间的间隙中装载有下填充树脂 34。同样地，在IC芯片36与互连层10之间的间隙中填充有下填充树 脂38。多个IC芯片36被配置为彼此堆叠在一块。该IC芯片32和IC 芯片36可以分别为例如CPU和堆叠的存储器。该堆叠的存储器由彼此 电连接的三维堆叠的IC芯片(存储器)构成。
该IC芯片32， 36上覆盖有互连层10上配备的封装树脂52。更详 细地，IC芯片32的侧面以及IC芯片36的侧面和上表面覆盖有封装树 脂52。
该互连层10的下表面(第二表面)上配备有互连层20。在平面图 中，该互连层20的面积大于互连层10，并且延伸至互连层10的外部 区域。换句话说，该互连层20从互连层10向外伸出。
该互连层20包括通路插塞22a (第二导电插塞)，通路插塞22b， 以及绝缘树脂24。该通路插塞22a， 22b配备在绝缘树脂24中。该通 路插塞22a, 22b分别与通路插塞12a， 12b相连。该通路插塞22a与通 路插塞12a整体地形成在一块，使得该通路插塞12a, 22a构成了通路插塞12 (中间层通路插塞)。换句话说，互连层10中配备的部分通路
插塞12对应于通路插塞12a，并且互连层20中配备的部分对应于通路 插塞22a。
如图l中可以清晰的看到，该通路插塞22a, 22b为锥形，它的直 径朝着互连层10的方向逐渐减小。因此，该互连层10 —侧上通路插 塞22a， 22b的端面的面积小于相对的端面上的面积，即将在随后描述 的焊球60—侧上的端面的面积。此外，由于如上所述地整体地形成了 该通路插塞12a， 22a，因此彼此相互接触的通路插塞12a， 22a的端面 的面积与通路插塞22a， 12a的面积相同。如同通路插塞12a， 12b，该 通路插塞22a， 22b的导体可以为例如铜(Cu)，镍(Ni)，金(Au)或 银(Ag)。该绝缘树脂24可以由例如环氧树脂构成。由互连层10和互 连层20构成的互连结构在电子器件1中起到插入物的作用。
形成该互连层10的绝缘树脂14的热分解温度高于形成互连层20 的绝缘树脂24的热分解温度。在采用PBO树脂作为绝缘树脂14的情 况下，该热分解温度为例如54(TC。在采用环氧树脂作为绝缘树脂24 的情况下，该热分解温度为例如31(TC。这里的热分解温度是指在该温 度下，以每分钟10。C的加热速率用热天平(thermo balance)测得该树 脂的重量降低5%。这里，在采用相同类型的树脂(例如环氧树脂)作 为绝缘树脂14， 24的情况下，前者应该具有比后者更高的热分解温度。
在延伸出该互连层10的互连层20的区域上安装有IC芯片42和 无源元件44，作为第二电子元件。该无源元件44可以为电容器，例如 去耦电容器。该IC芯片42被封装树脂54覆盖。该无源元件44被树 脂56覆盖，其中该树脂56配备在互连层20向外延伸的区域上。该树 脂56可以是与封装树脂54相同的树脂，或者不同的树脂。
该互连层20具有多层互连结构，包括在多个层中形成的导体互连 26，以及与不同层的导体互连26相连的通路插塞28。该互连层20还配备有与最低层的导体互连26相连的焊球60。该焊球60部分地埋置 在阻焊剂62中。该焊球60起到电子器件1的外部连接端的作用。
参看图2，下面将描述互连层10与互连层20之间的分界面周围结 构的例子。在该例中，配备有粘接金属层72 (第二粘接金属层)，用以 覆盖该通路插塞12。换句话说，该粘接金属层72共同地覆盖该通路插 塞12a， 22a。此外，在与通路插塞12a接触的导体互连16的表面上配 备有粘接金属层74 (第一粘接金属层)。该粘接金属层72与通路插塞 12a上的粘接金属层74接触。因此，该粘接金属层72的一部分被配置 为与绝缘树脂14接触，而另一部分与粘接金属层74接触。另外，配 备有粘接金属层75，以便于覆盖通路插塞28。在通路插塞28上，该 粘接金属层75与导体互连26接触。
优选地，该粘接金属层72， 74由含有Ti(例如，Ti， TiN或TiW 膜)的膜，或者Cr膜构成。
参看图3A-7B，下面将描述制造该电子器件1的方法，作为根据 本发明制造电子器件的方法的第一实施例。在开始详细描述之前，参 照图3A-3E来描述该制造方法的概要。首先，如图3A所示，在支撑衬 底90上形成互连层10 (形成第一互连层的步骤)。该支撑衬底90可以 为硅衬底，陶瓷衬底，玻璃衬底或者金属衬底。
接着如图3B所示，将IC芯片32， 36安装在互连层10上(安装 电子元件的步骤)。如图3C所示，进一步在互连层IO上形成封装树脂 52，以便于覆盖该IC芯片32， 36 (形成封装树脂的步骤)。接着，如 图3D中所示，去除该支撑衬底90 (去除支撑衬底的步骤)。之后，如 图3E所示，在互连层10的下表面上形成互连层20 (形成第二互连层 的步骤)。最后，虽然图中未示出，形成焊球60，从而获得了如图l中 所示电子器件1。现在参看图4A-7B来更详细地描述该制造方法。首先，在支撑衬 底90上配备绝缘树脂14，并在该绝缘树脂14中形成通路插塞12b。 接着，在该绝缘树脂14上形成导体互连16 (图4A)。接着，在该导体 互连16上倒装安装IC芯片32， 36(图4B)。之后，在该互连层10上 配备有封装树脂52，以便覆盖该IC芯片32， 36。可以通过例如模塑、 印刷或者罐封(potting)来形成封装树脂52 (图5A)。接着，去除该 支撑衬底90，以便暴露出该通路插塞12b (图5B)。
在该互连层10上初始配备有支撑衬底，而在互连层10的下表面 上形成了绝缘树脂24，以便延伸至该互连层IO的外部区域。该绝缘树 脂24可以由绝缘膜构成。接着，在从该互连层10向外延伸的绝缘树 脂24的区域上实现IC芯片42和无源元件44。接着，形成封装树脂 54，以便覆盖该IC芯片42 (图6A)。另外，还配备了树脂56，用于 填充在从该互连层10向外延伸的绝缘树脂24的区域上剩余的间隙。 这样，该无源元件44就被树脂56覆盖(图6B)。
接着，形成用于通路插塞12的通孔68a以及用于通路插塞22b的 通孔68b。形成该通孔68a，以便不仅穿透该绝缘树脂24而且还穿透该 绝缘树脂14(图7A)。接着形成通路插塞12和通路插塞22b，以便填 充该通孔68a， 68b。这样，在该实施例中，在形成互连层20的过程中， 通路插塞12a， 22a被形成一体结构的通路插塞12为。
接着，在该绝缘树脂24上形成内嵌(build-up)互连层。该内嵌 互连的形成过程的例子包括在例如环氧树脂的绝缘树脂层中通过半加 成工艺形成导体互连26以及通过激光工艺形成通路插塞28。通过该工 艺，就得到了互连层20(图7B)。之后，通过形成阻焊剂62和焊球60， 就能够得到如图1中所示的电子器件1。
从上面的描述中可以理解的是，在每个图中，在从上方形成的通 孔中形成通路插塞12b的同时，也在从下方形成的通孔中形成通路插塞12a， 22a， 22b。因此，如上所述，通路插塞12b在IC芯片32， 36 一侧具有比相对的一侧更大的端面，以及通路插塞12a， 22a， 22b在焊 球60 —侧上具有比相对的一侧更大的端面。
该实施例具备如下有益效果。通过上面的制造方法，在支撑衬底 90上形成其上安装有IC芯片32， 36的互连层10，并且接着在形成互 连层20之前去除该支撑衬底90。这种结构消除了如下限制，即无法采 用热分解温度比绝缘树脂14的热分解温度更低的树脂来作为绝缘树脂 24。因此，该方法允许采用适于微处理的树脂来作为绝缘树脂14，同 时采用相对较便宜的树脂来作为绝缘树脂24。这样，上述实施例提供 了一种制造电子器件1的方法，该方法能够实现互连层10与IC芯片 32、 36之间的精确连接，而成本很低。
除此之外，在形成互连层20而不是互连层10的工艺期间形成将 被配置在互连层10中的通路插塞12a。这种结构允许在形成配备在互 连层中的导电材料(该实施例中的通路插塞22a， 22b)的同时形成通 路插塞12a，从而有利于减少了制造步骤的数量。上面的过程还促进了 形成通孔。对于该方面，参看图7A以获取更多细节，以很高的位置精 度来形成该通孔68b，这是因为该通孔68b必须指向已经配备的通路插 塞12b。另一方面，该通孔68a将与导体互连16相连，其中该导体互 连的面积大于通路插塞12b，并且因此不需要与通孔68b相同的精确程 度。由于上述原因，同时形成通路插塞12a和通路插塞22a有利于形成 通孔。
此外，在去除该支撑衬底卯时会暴露出该通路插塞12b (参看图 5B)。因此，在去除该支撑衬底90之后进行电检査时该通路插塞12b 可以被用作端子，其能够在较早的阶段检测到加工中的电子器件中的 故障，如果存在的话。这里，并不必须按照这种方式形成通路插塞12b。 作为选择，可以在互连层20的形成过程期间形成互连层10中的全部 通路插塞。该互连层20延伸至互连层10的外部区域。该结构允许确保用于 配备焊球60(即，互连层20的下表面)的足够的区域，同时保持该互 连层10尽可能的小。因此，可以很容易地将该电子器件1安装在另一 个电子器件或母板上，而不会导致成本增加。相反，在互连层10和互 连层20面积相同的情况下，延伸该互连层20促进安装过程会不可避 免地导致互连层IO面积的增加。由于采用了适于微处理的相对昂贵的 树脂来构成互连层10，因此这就很自然地导致增加电子器件1的制造 成本。另一方面，在试图降低成本时降低互连层10的面积就会迫使该 互连层20的面积更小，这样就降低了安装便利性。这样，上面实施例 就消除了这个矛盾并且同时实现了低成本和安装的便利性。
由于在其上形成有导体互连16的图案的支撑衬底90的刚性结构， 因此能够以足够精致的图案形成导体互连16。此外，由于在刚性的支 撑衬底90上连接了该互连层10和IC芯片32， 36,因此能够通过凸块 以精确的间距将互连层10和IC芯片32， 36连接在一块。这有助于降 低互连层的数量，以及减小IC芯片32， 36的尺寸。
进一步，由于在去除该支撑衬底卯之后形成互连层20，因此可以 形成比绝缘树脂14更厚的绝缘树脂24，用于形成互连层20。因此， 该绝缘树脂24获得了更高的应力消除性能，而这导致了该电子器件1 更高的可靠性。
在形成第二互连层的步骤中，采用热分解温度比在形成第一互连 层10的步骤中采用的、用于形成互连层10的绝缘树脂14的热分解温 度更低的树脂作为用于形成互连层20的绝缘树脂24。这种结构允许在 互连层10上适当地形成互连层20。
在该电子器件1中，可以采用热分解温度比用于形成互连层10的 绝缘树脂14的热分解温度更低的树脂作为用于形成互连层20的绝缘树脂24。因此，可以釆用适于微处理的树脂作为绝缘树脂14，同时采 用相对便宜的树脂作为绝缘树脂24。这样，该电子器件1能够实现互 连层10和IC芯片32， 36之间的精确连接，而成本很低。
在该电子器件1中，互连层10和互连层20彼此直接接触，而在 它们之间没有配备芯层。 一般地，芯层中形成的通路插塞比普通互连 层中形成的通路插塞更难微型化(micronize)，因此，配备该芯层就从 整体上妨碍了该电子器件的微型化。没有包括该芯层的电子器件1不 受这些缺点的影响。
配备了该封装树脂52，以便覆盖该IC芯片32， 36。该结构允许 在去除支撑衬底90之后保持该互连层的形状。因此，焊球60能够获 得很高的共面性。特别是在该实施例中，还在从互连层10向外延伸的 互连层20的区域上配备有树脂56，而这就增强了上述效果。
与绝缘衬底相比，采用硅衬底作为支撑衬底90使得热膨胀的效果 最小化。因此，该结构进一步促进了互连层10与IC芯片32， 36之间 连接的微型化。
采用聚酰亚胺树脂，PBO树脂，，BCB树脂，芴环树脂作为绝缘树 脂14允许该绝缘树脂14具有适于微处理的属性。采用环氧树脂作为 绝缘树脂24允许以很低成本形成绝缘树脂24。
配备了粘接金属层72，以便于覆盖该通路插塞12 (参看图2)。该 粘接金属层72用于确保通路插塞12与绝缘树脂14， 24之间的牢固粘 接。此外，在与通路插塞12接触的导体互连16的表面上配备了粘接 金属层74 (参看图2)。该粘接金属层74也确保了导体互连16与绝缘 树脂14之间的牢固粘接。进一步，配备了粘接金属层75，以便于覆盖 该通路插塞28 (参看图2)。该粘接金属层75确保了通路插塞28与绝 缘树脂24之间的牢固粘接。该牢固粘接很自然地导致了提高电子器件l的可靠性。当该粘接金属层72， 74， 75含有Ti，或者由Cr构成时， 该粘接金属层72， 74， 75能够实现与树脂的显著牢固粘接。
该IC芯片42和无源元件44被安装在从该互连层10向外延伸的 互连层20的区域上。该结构能够进一步增强该电子器件1的功能和性
第二实施例
图8为根据本发明第二实施例的电子器件的剖面图。该电子器件2 包括互连层IO (第一互连层)，以及互连层80 (第二互连层)。该互连 层10具有与参照图1中所述类似的结构，除了不包括通路插塞12b以 外。
该互连层80配备在互连层10的下表面上，以便于延伸至该互连 层10的外部区域。该互连层80包括阻焊剂84，以及在该阻焊剂84中 形成的导体互连86 (第二互连)。该导体互连层86与通路插塞12a相 连。该导体互连层86与通路插塞12a整体地形成。该阻焊剂84由热分 解温度比绝缘树脂14的热分解温度更低的树脂构成。该互连层80包 括通路插塞82 (第二导电插塞)，其与导体互连层86相连。该通路插 塞82对应于部分焊球60，更具体地为埋置在阻焊剂84中的一部分。 如图8中可以清晰看到的，该通路插塞82为锥形，并且它的直径朝着 互连层10逐步减小。因此，该互连层10—侧上的通路插塞82的端面 的面积小于相对的端面的面积。
此外，IC芯片92倒装安装在该互连层10的下表面上。换句话说， 该IC芯片92通过凸块93与下表面相连，并且用下填充树脂94来填 充该互连层10与IC芯片92之间的间隙。在从互连层10向外延伸的 互连层80的区域上配备有树脂56。在该实施例中，该树脂56同时覆 盖了该封装树脂52的侧面和顶面。参看图9A-12B，下面将描述制造该电子器件2的方法，作为根据 本发明的制造电子器件的方法的第二实施例。首先，在支撑衬底卯上 形成绝缘树脂14和导体互连16 (图9A)。接着，在导体互连16上倒 装安装IC芯片32， 36 (图9B)。
之后，在互连层10上形成封装树脂52，以便于覆盖该IC芯片32， 36 (图IOA)。接着，去除该支撑衬底90。在该互连层10的下表面上 配备有支撑片91，以便于从该互连层10向外延伸(图10B)。
接着，在该互连层10外部的支撑片91的区域上，配备有树脂56 以便于覆盖该封装树脂52 (图IIA)。之后，该支撑片91被剥去(图 IIB)。接着，形成用于通路插塞12a的通孔69 (图IIC)，并且形成通 路插塞12a和导体互连86，以便于填充该通孔69。这样，在该实施例 中，在该互连层80的形成过程中，同时形成了作为一体的导电材料的 通路插塞12a和导体互连86。
之后，配备了阻焊剂84，以便于覆盖该导体互连86。对该阻焊剂 84进行图案化，以便于形成开口，其中在该开口处将配备焊球60并且 将要安装IC芯片92 (图12A)。在这一阶段，获得了互连层80。接着， 将IC芯片92倒装安装在该互连层IO的下表面上(图12B)。之后通过 形成焊球60，就能够获得如图8中所示的电子器件2。
除了第一实施例提供的有益效果以外，该实施例还具备如下有益 效果。由于该阻焊剂84被用作形成互连层的树脂，因此能够进一步降 低该电子器件2的成本。此外，该电子元件(IC芯片92)不仅实现在 互连层10的上表面上，而且还实现在它的下表面上。该结构进一步增 强了该电子器件2的功能和性能。这里，如图8所示，虽然该凸块93 通过导体互连86与通路插塞12a相连，但是该凸块93也可以直接与通 路插塞12a相连。第三实施例
图13为根据本发明第三实施例的电子器件的剖面图。该电子器件
3包括互连层10，以及互连层80。该电子器件3与图8中所示的电子 器件2的不同之处在于该互连层80具有多层互连结构。在该实施例中， 该互连层80包括在互连层10的下表面上配备的绝缘树脂84a，以及在 该绝缘树脂84a上配备的阻焊剂84b。
根据该实施例的互连层80包括在多层中配备的导体互连86，以及 与该导体互连86相连的通路插塞83 (第二导电插塞)。从图13中可以 清晰的看到，该通路插塞83为锥形，并且它的直径朝着互连层10逐 步减小。因此，该互连层10 —侧上的通路插塞83的端面的面积小于 相对的端面的面积。该电子器件3其余部分的结构与电子器件2类似。
参看图14A和14B，下面将描述制造该电子器件3的方法，作为
根据本发明的制造电子器件的方法的第三实施例。首先，通过参照图 9A-11B描述的过程来形成如图11B中所示的结构。
接着，同时形成通路插塞12a和导体互连86的第一层。接着，配 备了绝缘树脂84a，以便于覆盖该导体互连86。进一步，在该绝缘树脂 84a中形成通路插塞83，以便于与该导体互连86相连。接着，在该绝 缘树脂84a中形成导体互连86的第二层，以便于与该通路插塞83相连。 之后，配备了阻焊剂84b，以便于覆盖该导体互连86的第二层。
接着，对该阻焊剂84b进行图案化，从而在将要形成焊球60以及 要实现IC芯片92的位置上形成开口 (图14A)。在该阶段，得到了互 连层80。之后，将lC芯片92倒装安装在绝缘树脂84a上(图14B)。 之后，通过形成焊球60，就能够得到如图13中所示的电子器件3。该 实施例提供了与第二实施例相同的有益效果。这里，如图13所示，虽 然该凸块93通过导体互连86与通路插塞83相连，但是该凸块93也 可以直接与通路插塞83相连。根据本发明的电子器件及其制造方法并不仅限于上面的实施例， 但是可以进行各种修改。虽然上面的实施例中，为了引用一些例子， 采用了 IC芯片作为将要安装在互连结构的上表面或下表面上的电子元 件的例子，其中该互连结构包括第一和第二互连层，但是该电子元件 也可以为无源元件，例如电容器。此外，该电子器件并不是必须包括 电子元件。
虽然在根据实施例的电子器件中配备了焊球，但是配备焊球并不 是强制性的。在没有配备焊球的情况下，该导体互连的岛部分起到外 部电极端的作用。以参看图1中所示的电子器件1为例，该与焊球60
接触的部分导体互连26相当于岛部分。
在上面的实施例中，该第二互连层延伸至第一互连层的外部区域。 但是该结构不是强制性的，而是该第一和第二互连层可以在平面图上 具有相同的面积。
也可以按照各种方式来修改第一和第二互连层之间的分界面周围
的结构，而不仅限于图2中所示的结构。例如，在实施例中，该导电 材料被载入到整个通孔中，用以形成该通路插塞。但是，该通孔可以 部分地填入导电材料。图15描述了如图2中所示的结构，但是其中通 过部分地填充相关的通孔来形成通路插塞12， 28。这里，虽然用导电 材料部分地填充了该通孔，但是该通路插塞端面的面积被规定为被该 端面的外部圆周所包围的区域的面积。因此，只要通孔的大小相同， 那么端面的面积就是相同的，而与该导电材料是全部还是部分填充该 通孔无关。
进一步，如图16所示，可以配备粘接金属层76(第二粘接金属层)， 以便于共同地覆盖该通路插塞12a和导体互连86。该粘接金属层76与 通路插塞12a上的粘接金属层74接触。这样，该粘接金属层76的整体就与绝缘树脂14或粘接金属层74接触。这样，配备了粘接金属层76 就可以确保通路插塞12a与绝缘树脂14之间的牢固粘接。此外，在图 16中，配备了粘接金属层73，以便于覆盖该通路插塞83 (参看图13)。 该粘接金属层73与通路插塞83上的导体互连86接触。这样，配备了 粘接金属层76就可以确保通路插塞83与绝缘树脂84a之间的牢固粘 接。该粘接金属层73， 76可以由与粘接金属层72， 74， 75中采用的 膜类似的膜构成。
很清楚的是，本发明不仅限于上面的实施例，并且可以在不脱离 本发明的精神和范畴的情况下进行修改和改变。
权利要求
1.一种电子器件，包括第一互连层；第二互连层，其配备在所述第一互连层上并具有外部电极端子；以及第一导电插塞，其配备在所述第一互连层中，并且暴露在所述第二互连层侧上的所述第一互连层的表面上；其中形成所述第一互连层的树脂的热分解温度高于形成所述第二互连层的树脂；以及所述第二互连层侧上的所述第一导电插塞的端面的面积大于相对端面的面积。
2. 根据权利要求1的电子器件，还包括安装在与所述第二互连层相对的所述第一互连层的表面上的电子 元件。
3. 根据权利要求2的电子器件， 其中所述电子元件为IC芯片和无源元件中的一个。
4. 根据权利要求2的电子器件，还包括封装树脂，其配备在所述第一互连层上，以便于覆盖所述电子元 件的侧面。
5. 根据权利要求1的电子器件，还包括第二互连，其配备在所述第二互连层中，并与所述第一导电插塞 相连。
6. 根据权利要求5的电子器件，还包括第二导电插塞，其配备在所述第二互连层中，并与所述第二互连相连。
7. 根据权利要求6的电子器件，其中在所述第一互连层侧上的所述第二导电插塞的端面的面积小 于相对端面的面积。
8. 根据权利要求1的电子器件，还包括第二导电插塞，其配备在所述第二互连层中，并与所述第一导电 插塞相连。
9. 根据权利要求8的电子器件，其中所述第一互连层侧上的所述第二导电插塞的端面的面积小于 相对端面的面积；以及彼此接触的所述第一导电插塞的端面和所述第二导电插塞的端面 的面积相同。
10. 根据权利要求5的电子器件，还包括第二粘接金属层，其共同地覆盖所述第一导电插塞以及所述第二 互连。
11. 根据权利要求IO的电子器件，还包括第一互连，其配备在所述第一互连层中，并与所述第一导电插塞 相连；以及第一粘接金属层，其配备在与所述第一导电插塞接触的所述第一 互连的表面上。
12. 根据权利要求11的电子器件，其中所述第二粘接金属层的整体与形成所述第一互连层的所述树 脂以及所述第一粘接金属层的其中之一接触。
13.根据权利要求8的电子器件，还包括第二粘接金属层，其共同地覆盖了所述第一以及所述第二导电插
14. 根据权利要求13的电子器件，还包括-第一互连，其配备在所述第一互连层中，并与所述第一导电插塞相连；以及第一粘接金属层，其配备在与所述第一导电插塞接触的所述第一 互连的表面上。
15. 根据权利要求14的电子器件，其中部分所述第二粘接金属层与形成所述第一互连层的树脂以及 所述第一粘接金属层中的一个接触。
16. 根据权利要求10的电子器件，其中所述粘接金属层由含有Ti的金属膜以及由Cr构成的金属膜 中的一个构成。
17. 根据权利要求1的电子器件，其中形成所述第一互连层的所述树脂是从如下组中选出的一种， 其中该组由聚酰亚胺树脂，PBO树脂，，BCB树脂，以及芴环树脂构成；形成所述第二互连层的所述树脂为环氧树脂。
全文摘要
本发明涉及一种电子器件。该电子器件包括第一互连层和第二互连层。该第二互连层配备在该第一互连层的下表面上。该第一互连层包括通路插塞(第一导电插塞)。该第二互连层一侧上的通路插塞的端面小于相对端面。该通路插塞暴露在与该第二互连层相对的第一互连层的表面上。形成该第一互连层的绝缘树脂的热分解温度高于形成该第二互连层的绝缘树脂的热分解温度。
文档编号H01L23/498GK101604682SQ20091015181
公开日2009年12月16日 申请日期2007年10月8日 优先权日2006年10月2日
发明者副岛康志, 川野连也, 栗田洋一郎 申请人:恩益禧电子股份有限公司