专利名称：有机电致发光显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光显示器及其制造方法。
背景技术：
在有机电致发光显示器中使用的有机电致发光器件是发光器件，其中的发光层形 成在设置在基板上的两个电极之间。根据发出光的方向，有机电致发光显示器根据顶部发 光方式、底部发光方式或者双发光方式运作。根据其驱动方式，有机电致发光显示器分为被 动矩阵型和主动矩阵型。排列在有机电致发光显示器中的每个子像素都包括晶体管单元、下电极和有机发 光二极管。晶体管单元包括开关晶体管、驱动晶体管和电容器。下电极与包括在晶体管单 元中的驱动晶体管连接。有机发光二极管包括有机发光层和上电极。在这种有机电致发光 显示器中，当扫描信号、数据信号、电源等被提供给以矩阵排列的多个像素电极时，被选择 的子像素发光，从而可以显示图像。然而，在传统的有机电致发光显示器中，在面板内形成的电极的电阻相对较高。因 此，当使用传统的有机电致发光显示器以实现大尺寸显示器时，存在如驱动电压升高和亮 度不均勻的问题。
发明内容
本发明的一方面提供一种制造有机电致发光显示器的方法，包括在基板上形成 晶体管；在晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成下电极，该下电极与每个晶体管的源极 或漏极连接；在下电极上形成提层，该提层具有开口以暴露部分下电极；在提层上形成汇 流电极；形成有机发光层以覆盖下电极、提层和汇流电极；使用激光将有机发光层图案化， 从而暴露位于提层上的至少部分汇流电极；以及在有机发光层上形成上电极，以使上电极 与暴露的汇流电极接触。本发明的另一方面提供一种制造有机电致发光显示器的方法，包括在基板上形 成晶体管；在晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成下电极，该下电极与每个晶体管的源 极或漏极连接；在绝缘层上形成汇流电极，该汇流电极与下电极分开且形成在与下电极相 同的层上；在下电极和汇流电极上形成提层，该提层具有开口以分别暴露下电极和汇流电 极；形成有机发光层以覆盖下电极、提层和汇流电极；使用激光将有机发光层图案化，从而 暴露位于提层上的至少部分汇流电极；以及在有机发光层上形成上电极，以使上电极与暴 露的汇流电极接触。本发明的再一个方面提供一种有机电致发光显示器，包括晶体管，形成在基板 上；在晶体管上的绝缘层；下电极，形成在绝缘层上且与每个晶体管的源极或漏极连接；提层，具有开口以暴露部分下电极；汇流电极，形成在提层上；有机发光层，形成以覆盖下电 极、提层和汇流电极，并且被图案化以暴露至少部分汇流电极；以及上电极，形成在有机发 光层上并与暴露的汇流电极接触。本发明的还一个方面提供一种有机电致发光显示器，包括晶体管，形成在基板 上；在晶体管上的绝缘层；下电极，形成在绝缘层上且与每个晶体管的源极或漏极连接；汇 流电极，形成在与下电极相同的层上，且与下电极分开；提层，具有开口以分别暴露下电极 和汇流电极；有机发光层，形成以覆盖下电极、提层和汇流电极，并且被图案化以暴露至少 部分汇流电极；以及上电极，形成在有机发光层上，并与暴露的汇流电极接触。
所包含的附图用于提供对发明的进一步的理解，并引入组成说明书的一部分，附 解了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。图1是根据本发明的实施例的有机电致发光显示器的示意性框图；图2是表示图1所示的子像素的电路结构的示范图；图3至图16是表示根据本发明的第一实施例制造有机电致发光显示器的方法的 图；图17是根据本发明的第二示例性实施例的有机电致发光显示器的示意性框图；图18是表示图17所示的子像素的电路结构的示范图；图19至图30是表示根据本发明的第二实施例制造有机电致发光显示器的方法的 图。
具体实施例方式在下文中将对本发明的实施例进行详细描述，其例子将在所附的附图中解释。[第一实施例]参见图1和图2，根据本发明第一实施例的有机电致发光显示器可以包括包含以 矩阵排列的子像素SP的面板PNL，提供扫描信号给子像素SP的扫描线SL1，. . .，SLm的扫 描驱动器SDRV，和提供数据信号给子像素SP的数据线DL1，. . .，DLn的数据驱动器DDRV。每个子像素SP可以具有2T (晶体管)IC(电容器)的结构，该2T1C结构包括开关 晶体管Si、驱动晶体管Tl、电容器Cst和有机发光二极管D，或者可以具有在2T1C结构中还 加入另一个晶体管或电容器的结构。在2T1C结构中，包括在子像素SP中的元件可以如下面的方式连接。开关晶体管 Sl具有连接至提供扫描信号SCAN的扫描线SLl的栅极，连接至提供数据信号DATA的数据 线DLl的一端，和连接至第一节点A的另一端。驱动晶体管Tl具有连接至第一节点A的栅 极，连接至第二节点B与提供高电势的第一电源线VDD的一端，和连接至第三节点C的另一 端。电容器Cst具有连接至第一节点A的一端和连接至第二节点B的另一端。有机发光二 极管D具有连接至第三节点C的阳极和连接至提供低电势的第二电源线VSS的阴极。尽管上文描述了包括在子像素SP中的晶体管Sl和Tl有N型结构的例子，然而本 发明的实施并不限制于以上的例子。另外，第一电源线VDD提供的高电势可以比第二电源 线VSS提供的低电势高，并且根据驱动方式，还可以转换第一电源线VDD和第二电源线VSS
5提供的电源的电平。上文描述的子像素SP可以如下运作。当通过扫描线SLl提供扫描信号SCAN时， 开关晶体管Sl导通。当通过数据线DLl提供的数据信号DATA经由导通的开关晶体管Sl 提供到第一节点A时，数据信号以数据电压的形式储存在电容器Cst中。当扫描信号的提 供停止且开关晶体管Sl截止时，响应于储存在电容器Cst中的数据电压，驱动晶体管Tl被 驱动。当通过第一电源线VDD提供的高电势流经第二电源线VSS时，有机发光二极管D发 光。应注意到，上述驱动方式仅为示例，本发明的实施并不限制于此例。可以使用下面的方法制造本发明的有机电致发光显示器。参见图3和4，在基板110上形成晶体管T。晶体管T可以分为将栅极设置在晶体 管底部的底栅型晶体管和将栅极设置在晶体管顶部的顶栅型晶体管。在本实施例中，为了 方便起见，将底栅型的晶体管结构作为例子描述。晶体管T对应于包含在子像素中的驱动晶体管。晶体管T在基板110上形成。基 板110可以由具有良好的机械强度或者测量稳定性的材料制成。基板110可以由例如玻璃 板、金属板、陶瓷板或者塑料板(聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙 二酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂、氟化物树脂等)制成。在下文中描 述制造底栅型晶体管的方法。在基板110上形成缓冲层111。为了保护在后续工序中形成的薄膜晶体管不受到 杂质的影响，例如从基板110释放的碱离子，可以形成缓冲层111，然而也可以省略缓冲层 111。缓冲层111可以由氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)制成。在缓冲层111上形成栅极112。栅极112可以由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金 (Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、或者其合金所组成的群组中选择的一种制成。进 一步地说，栅极112可以为由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd) 和铜(Cu)所组成的群组中选择的一种制成的单层，或者为由其合金制成的多层。可选地， 栅极112可以为由Mo/Al-Nd或者Mo/Al制成的双层。在栅极112上形成第一绝缘层113。第一绝缘层113可以是氧化硅(SiOx)或氮化 硅(SiNx)的单层，或者是其多层，但是并不限制于此。在第一绝缘层113上形成有源层114。有源层114可以包含非晶硅或者多晶硅， 该多晶硅是结晶的非晶硅。虽然未在图中示出，但是有源层114可以包含沟道区、源区和漏 区。源区和漏区可以为P型或者N型杂质掺杂。此外，有源层114可以包含用于降低接触 电阻的欧姆接触层。在有源层114上形成源极115a和漏极115b。源极115a和漏极115b可以由单层 或者多层形成。当源极115a和漏极115b由单层形成时，它们可以由从钼(Mo)、铝(Al)、铬 (Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、或者其合金所组成的群组中选择的任何 一种制成。当源极115a和漏极115b由多层形成时，它们可以由Mo/Al-Nd的双层或者由 Mo/Al/Mo 或 Mo/Al-Nd/Mo 的三层形成。在源极115a和漏极115b上形成第二绝缘层116a。第二绝缘层116a可以由氧化 硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层形成，或者由其多层形成，但是并不限制于此。第二绝缘 层116a可以是钝化层。在第二绝缘层116a上形成第三绝缘层116b。第三绝缘层116b可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层形成，或者由其多层形成，但是并不限制于此。第三绝缘层 116b可以是用于增加表面平整度的抛光层。图示上述晶体管用于帮助理解该示例性实施 例，然而根据掩模工艺，晶体管可以具有不同的结构。参见图5，下电极117与晶体管T的源极115a或者漏极115b连接。换句话说，在 第三绝缘层116b上形成下电极117，以使下电极117与晶体管T的源极115a或者漏极115b 连接。在本实施例中，下电极117可以选择为阳极。选择为阳极的下电极117可以由例如 氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或Al2O3掺杂的ZnO(AZO)的透明导电 材料制成，但是并不限制于此。参见图6，形成提层(bank layer) 118以具有开口 0ΡΝ，通过该开口 OPN暴露部分 下电极117。提层118可以由例如苯并环丁烯(BCB)树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的 有机材料制成，但是并不限制于此。因为当提层118形成时，形成了通过其暴露部分下电极 117的开口 0ΡΝ，所以可以限定子像素的发光区域。参见图7，在提层118上形成汇流电极119。汇流电极119可以由与下电极117相 同或者不同的材料制成。汇流电极119可以具有由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛 (Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中选择的至少一种制成的单层结构或者多层结构。同时， 如图8和9所示，汇流电极119可以以网状(参见图8)或条状(参见图9)形成，但是并不 限制于此。参见图10，当在提层118上形成汇流电极119时，对提层118进行图案化以使部 分提层118被压低，并且可以在压低的部分DEP中形成汇流电极119。在此种情形中，由于 汇流电极119可以变得较厚，所以可以实现较低电阻的电极。参见图11，形成有机发光层120以覆盖下电极117、提层118和汇流电极119。有机 发光层120以覆盖形成在基板110上的下电极117、提层118和汇流电极119的这种方式形 成。参见图12，有机发光层120可以包括空穴注入层120a、空穴传输层120b、发射层120c、 电子传输层120d和电子注入层120e。空穴注入层120a可以起到使空穴的注入平稳的作 用。空穴注入层120a可以由从CuPc(铜酞菁)、PED0T (聚(3，4)-乙烯二氧噻吩)、PANI (聚 苯胺)和NPD (N，N- 二萘基-N，N’ - 二苯基联苯胺)所组成的群组中选择的一种或多种制 成，但是并不限制于此。空穴传输层120b可以起到使空穴的传输平稳的作用。空穴传输层 120b可以由从NPD (N，N- 二萘基-N，N，- 二苯基联苯胺)、TPD (N，N，- 二- (3-甲基苯基)-N， N，-二 _(苯基)_联苯胺)、s-TAD和MTDATA(4，4，，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨 基)_三苯胺)所组成的群组中选择的一种或多种制成，但是并不限制于此。发射层120c 可以包括发射红、绿、蓝或白光的材料，且可以由磷光或荧光材料制成。在发射层是由发射 红光的材料制成的情况下，发射层120c可以由包含基质材料和掺杂剂的磷光材料制成，该 基质材料包括咔唑联苯(CBP)或1，3- 二(咔唑-9-基)(mCP)，该掺杂剂包括从PIQIr (乙 酰丙酮)(二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr (乙酰丙酮)(二(1-苯基喹啉)乙酰丙 酮铱)、PQIr (三(1-苯基喹啉)铱)和PtOEP (八乙基卟啉钼)所组成的组群中选择的一 种或多种。可选择地，发射层120c可以由包括PBD:Eu (DBM) 3 (Phen)或二萘嵌苯的荧光材 料制成，但是并不限制于此。在发射层是由发射绿光的材料制成的情况下，发射层120c可 以由包含基质材料和掺杂剂材料的磷光材料制成，该基质材料包括CBP或mCP，该掺杂剂包 括 Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium)。可选择地，发射层 120c 可以由包括 Alq3(三(8-羟喹啉)铝)的荧光材料制成，但是并不限制于此。在发射层是由发射蓝光的材料制成的情况下，发射层120c可以由包含基质材料和掺杂剂材料的磷光材料制成，该 基质材料包括CBP或mCP，该掺杂剂包括(4，6-F2ppy)2Irpic。可选择地，发射层120c可以 由包括从螺-DPVBiJf、-6P、二苯乙烯苯(DSB)、二苯乙烯基芳烃(DSA)、PFO聚合物和PPV 聚合物所组成的群组中选择的一种或多种荧光材料制成，但是并不限制于此。电子传输层 120d可以起到使电子的传输平稳的作用。电子传输层120d可以由从Alq3(三(8_羟喹啉) 铝)、PBD、TAZjI -PBD、BAlq和SAlq所组成的群组中选择的一种或多种制成，但是并不限 制于此。电子注入层120e可以起到使电子的注入平稳的作用。电子注入层120e可以由 Alq3(三(8-羟喹啉)铝)、PBD、TAZ JI -PBD, BAlq或SAlq制成，但是并不限制于此。应 注意本发明并不限制于上述的例子，可以省略空穴注入层120a、空穴传输层120b、电子传 输层120d和电子注入层120e中的至少一种。参见图13，将有机发光层120图案化以暴露形成在提层118上的汇流电极119。 使用激光L将有机发光层120图案化。如果使用如上所述的激光L将有机发光层120图案 化，从激光L发出的光能转化为热能，于是有机发光层120和汇流电极119的边界部分将升 华。同时，当使用激光L将有机发光层120图案化时，形成汇流电极119的区域可以如图14 中所示完全地图案化，或者如图15中所示局部地图案化。参见图16，在有机发光层120上形成上电极121，以使上电极121可以与暴露的汇 流电极119接触。可以选择上电极121作为阴极。选择作为阴极的上电极121可以具有由 诸如Al、AlNd或Ag的单一材料制成的单层或者多层结构，或者可以具有由诸如Mg:Ag或 Al/Ag的复合材料制成的单层或者多层结构。可选择地，上电极121可以具有由诸如ΙΤ0、 IZO或ITZO的金属氧化物或者由有机导电材料制成的单层或者多层结构，但是并不限制于 此。此处，上电极121可以由上述材料制成，但是为了增强透明性，上电极121形成得很薄。 因此，从有机发光层120发出的光可以沿上电极121的方向传播。如果使用上述方法制造顶部发光型有机电致发光显示器，可以很薄地形成选择作 为阴极的上电极121，以增强透明性。特别地，由于形成在提层118上的汇流电极119和上 电极121可以彼此电连接而不增加掩模工序，所以可以降低上电极121的电阻。具有上述 结构的有机电致发光显示器可以降低驱动电压，从而解决了亮度不均勻的问题。因此，当 使用有机电致发光显示器实现大尺寸显示器时产生的问题(如，驱动电压升高和亮度不均 勻)可以得到改善。[第二实施例]参见图17和18，根据本发明第二实施例的有机电致发光显示器可以包括包含以 矩阵排列的子像素SP的面板PNL，提供扫描信号给子像素SP的扫描线SL1，. . .，SLm的扫 描驱动器SDRV，和提供数据信号给子像素SP的数据线DL1，. . .，DLn的数据驱动器DDRV。每个子像素SP可以具有2T1C结构，该2T1C结构包括开关晶体管Si、驱动晶体管 Tl、电容器Cst和有机发光二极管D，或者可以具有在2T1C结构中还加入另一个晶体管或电 容器的结构。在2T1C结构中，包括在子像素SP中的元件可以如下面的方式连接。开关晶体管 Sl具有连接至提供扫描信号SCAN的扫描线SLl的栅极，连接至提供数据信号DATA的数据 线DLl的一端，和连接至第一节点A的另一端。驱动晶体管Tl具有连接至第一节点A的栅 极，连接至第二节点B与提供高电势的第一电源线VDD的一端，和连接至第三节点C的另一端。电容器Cst具有连接至第一节点A的一端和连接至第二节点B的另一端。有机发光二 极管D具有连接至第三节点C的阳极和连接至提供低电势的第二电源线VSS的阴极。尽管上文描述了包括在子像素SP中的晶体管Sl和Tl有N型结构的例子，然而本 发明的实施并不限制于以上的例子。另外，第一电源线VDD提供的高电势可以比第二电源 线VSS提供的低电势高，并且根据驱动方式，还可以转换第一电源线VDD和第二电源线VSS 提供的电源的电平。上文描述的子像素SP可以如下运作。当通过扫描线SLl提供扫描信号SCAN时， 开关晶体管Sl导通。当通过数据线DLl提供的数据信号DATA经由导通的开关晶体管Sl 提供到第一节点A时，数据信号以数据电压的形式储存在电容器Cst中。当扫描信号的提 供停止且开关晶体管Sl截止时，响应于储存在电容器Cst中的数据电压，驱动晶体管Tl被 驱动。当通过第一电源线VDD提供的高电势流经第二电源线VSS时，有机发光二极管D发 光。应注意到，上述驱动方式仅为示例，本发明的实施并不限制于此例。可以使用下面的方法制造包含上述子像素的有机电致发光显示器。参见图19和20，在基板210上形成晶体管T。晶体管T可以分为将栅极设置在晶 体管底部的底栅型晶体管和将栅极设置在晶体管顶部的顶栅型晶体管。在本实施例中，为 了方便起见，将顶栅型的晶体管结构作为例子描述。晶体管T对应于包含在子像素中的驱动晶体管。晶体管T在基板210上形成。基 板210可以由具有良好的机械强度或者测量稳定性的材料制成。基板210可以由例如玻璃 板、金属板、陶瓷板或者塑料板(聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙 二酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂、氟化物树脂等)制成。在下文中描 述制造顶栅型晶体管的方法。在基板210上形成缓冲层211。为了保护在后续工序中形成的薄膜晶体管不受到 杂质的影响，例如从基板210释放的碱离子，可以形成缓冲层211，然而也可以省略缓冲层 211。缓冲层211可以由氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)制成。在缓冲层211上形成有源层214。有源层214可以包含非晶硅或者多晶硅，该多晶 硅是结晶的非晶硅。虽然未在图中示出，但是有源层214可以包含沟道区、源区和漏区。源 区和漏区可以为P型或者N型杂质掺杂。此外，有源层214可以包含用于降低接触电阻的 欧姆接触层。在有源层214上形成第一绝缘层213。第一绝缘层213可以是氧化硅(SiOx)或氮 化硅(SiNx)的单层，或者是其多层，但是并不限制于此。在第一绝缘层213上形成栅极212。栅极212可以由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、 金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、或者其合金所组成的群组中选择的一种制成。 进一步地说，栅极212可以为由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕 (Nd)和铜(Cu)所组成的群组中选择的一种制成的单层，或者为由其合金制成的多层。可选 地，栅极212可以为由Mo/Al-Nd或者Mo/Al制成的双层。在第一绝缘层213上以覆盖栅极212这样的方式形成第二绝缘层216a。第二绝缘 层216a可以为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层，或者为其多层，但是并不限制于此。 第二绝缘层216a可以是钝化层。在第二绝缘层216a上形成分别与有源层214的源区和漏区接触的源极215a和漏极215b。源极215a和漏极215b可以由单层或者多层形成。当源极215a和漏极215b由单 层形成时，它们可以由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜 (Cu)、或者其合金所组成的群组中选择的任意一种制成。当源极215a和漏极215b由多层 形成时，它们可以由Mo/Al-Nd的双层或者由Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三层形成。在源极215a和漏极215b上形成第三绝缘层216b。第三绝缘层216b可以为氧化 硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层，或者为其多层，但是并不限制于此。第三绝缘层216b 可以是用于增加表面平整度的抛光层。图示上述晶体管用于帮助理解该实施例，然而根据 掩模工艺，晶体管可以具有不同的结构。参见图21，下电极217与晶体管T的源极215a或者漏极215b连接。换句话说，在 第三绝缘层216b上形成下电极217，以使下电极与晶体管T的源极215a或者漏极215b连 接。在本实施例中，下电极217可以选择为阴极。选择为阴极的下电极217可以由Al、AlNd 或Ag制成，且很厚地形成以增加反射能力。参见图21，在与下电极217相同的层上形成与下电极217分开的汇流电极219。 汇流电极219可以具有由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜 (Cu)中的至少一种制成的单层结构或者多层结构。同时，汇流电极219可以以网状(参见 图22)或条状(参见图23)形成，但是并不限制于此。参见图24，形成提层218。提层218包括开口 OPm和0PN2，通过开口 OPm和0PN2 分别暴露下电极217和汇流电极219。提层218可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)树脂、丙烯 酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料，但是并不限制于此。因为当提层218形成时，形成了通 过其暴露部分下电极217的开口 opm，因此可以限定子像素的发光区域，同时可以形成通 过其暴露汇流电极219的开口 0PN2。参见图25，形成有机发光层220以覆盖下电极217、提层218和汇流电极219。形 成有机发光层220，以覆盖形成在基板210上的下电极217、提层218和汇流电极219。参见 图26，有机发光层220可以包括电子注入层220a、电子传输层220b、发射层220c、空穴传输 层220d和空穴注入层220e。参见图27，将有机发光层220图案化以暴露位于第三绝缘层216b上的汇流电极 219。使用激光L将有机发光层220图案化。如果使用如上所述的激光L将有机发光层220 图案化，从激光L发出的光能转化为热能，于是有机发光层220和汇流电极219的边界部分 将升华。同时，当使用激光L将有机发光层220图案化时，形成汇流电极219的区域可以完 全地图案化(参见图28)或者局部地图案化(参见图29)。参见图30，在有机发光层220上形成上电极221，以使上电极221可以与暴露的汇 流电极219接触。可以将上电极221选择作为阳极。选择作为阳极的上电极221可以由 IT0、IZ0、ITZO和AZO (Al2O3掺杂的ZnO)的其中任一制成，但是并不限制于此。如果使用上述方法制造顶部发光型有机电致发光显示器，可以很薄地形成选择作 为阴极的上电极221，以增强透明性。因此，可以防止溅射引起的有机发光层220的损害等 问题。特别地，由于汇流电极219和形成在提层218上的上电极221可以彼此电连接而不 增加掩模工序，所以可以降低上电极221的电阻。具有上述结构的有机电致发光显示器可 以降低驱动电压，从而解决了亮度不均勻的问题。因此，可以避免使用有机电致发光显示器 实现大尺寸显示器时产生的问题(如，驱动电压升高和亮度不均勻)。
选择作为阳极或者阴极的上电极和下电极取决于显示器的发光方向。因此，上电 极和下电极可以选择为阳极或者阴极。前述的实施方式和优点仅仅是示意性的，并不能被解释为对本发明的限制。本教 导可以很容易地应用到其它类型的装置。前面实施方式的描述意在起到说明作用，并不能 限制权利要求的保护范围。对本领域技术人员来说，多种改变、变化和变型是显而易见的。 在权利要求中，装置+功能条款意在覆盖此处描述的实现上述功能的结构，以及结构等价 物和等价的结构。此外，除非在权利要求的限制中明确的出现“意思是”一词，否则不意在 对此限制做出解释。
1权利要求
一种制造有机电致发光显示器的方法，包括在基板上形成晶体管；在所述晶体管上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成下电极，所述下电极与每个所述晶体管的源极或漏极连接；在所述下电极上形成堤层，所述堤层具有开口以暴露部分所述下电极；在所述堤层上形成汇流电极；形成有机发光层以覆盖所述下电极、所述堤层和所述汇流电极；使用激光将所述有机发光层图案化，从而暴露位于所述堤层上的至少部分所述汇流电极；以及在所述有机发光层上形成上电极，以使所述上电极与暴露的汇流电极接触。
2.根据权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中形成所述汇流电极的 步骤还包括以网状或条状形成所述汇流电极。
3.根据权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中所述上电极具有由金 属、金属氧化物和有机导电材料中的至少一种制成的单层，或者具有由金属、金属氧化物和 有机导体材料中的至少两种制成的多层。
4.一种制造有机电致发光显示器的方法，包括 在基板上形成晶体管；在所述晶体管上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成下电极，所述下电极与每个所述晶体管的源极或漏极连接； 形成与所述下电极分开且设置在所述绝缘层上的汇流电极；在所述下电极上形成提层，所述提层具有第一开口以暴露部分所述下电极，还具有第 二开口以暴露至少部分所述汇流电极；形成有机发光层以覆盖所述下电极、所述提层和所述汇流电极； 使用激光将所述有机发光层图案化，从而暴露在所述提层上的至少部分所述汇流电 极；以及在所述有机发光层上形成上电极，以使所述上电极与暴露的汇流电极接触。
5.根据权利要求4所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中形成所述汇流电极的 步骤还包括以网状或条状形成所述汇流电极。
6.根据权利要求4所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中所述上电极具有由金 属、金属氧化物和有机导电材料中的至少一种制成的单层，或者具有由金属、金属氧化物和 有机导电材料中的至少两种制成的多层。
7.一种有机电致发光显示器，包括 晶体管，形成在基板上；在所述晶体管上的绝缘层；下电极，形成在所述绝缘层上且与每个所述晶体管的源极或漏极连接； 提层，具有开口以暴露部分所述下电极； 汇流电极，形成在所述提层上；有机发光层，被形成以覆盖所述下电极、所述提层和所述汇流电极，并且被图案化以暴 露至少部分所述汇流电极；以及上电极，形成在所述有机发光层上，并与暴露的汇流电极接触。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光显示器，其中所述汇流电极是网状或者条状。
9.一种有机电致发光显示器，包括 晶体管，形成在基板上；在所述晶体管上的绝缘层；下电极，形成在所述绝缘层上且与每个所述晶体管的源极或漏极连接； 汇流电极，形成在所述绝缘层上且与所述下电极分开；提层，具有第一开口以暴露部分所述下电极和第二开口以暴露至少部分所述汇流电极；有机发光层，形成以覆盖所述下电极、所述提层和所述汇流电极，并且被图案化以暴露 至少部分所述汇流电极；以及上电极，形成在所述有机发光层上，并与暴露的汇流电极接触。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器，其中所述汇流电极是网状或者条状。
全文摘要
一种制造有机电致发光显示器的方法，包括在基板上形成晶体管；在晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成下电极，该下电极与每个晶体管的源极或漏极连接；在下电极上形成堤层，该堤层具有开口以暴露部分下电极；在堤层上形成汇流电极；形成有机发光层以覆盖下电极、堤层和汇流电极；使用激光将有机发光层图案化，从而暴露位于堤层上的汇流电极；以及在有机发光层上形成上电极，以使上电极与暴露的汇流电极接触。
文档编号H01L51/56GK101882601SQ20091020606
公开日2010年11月10日 申请日期2009年10月20日 优先权日2009年5月6日
发明者俞台渊, 李凤锦, 李在暎 申请人:乐金显示有限公司