专利名称：磨削装置以及磨削方法
技术领域：
本发明涉及对半导体晶片进行磨削加工的磨削装置以及磨削方法。
背景技术：
表面上形成有IC和LSI等器件的半导体芯片是使各种电子设备小型化所必须的 部件。该半导体芯片是这样制造的通过格子状的分割预定线(直线)将大致圆盘状的作 为工件的半导体晶片表面划分为多个矩形区域，在所划分的各矩形区域上形成器件之后， 沿着分割预定线分割出矩形区域。 在这种半导体芯片的制造工序中，在对半导体晶片分割之前，对形成器件的器件 表面相反侧的背面进行磨削使其削薄到既定厚度。由于该半导体晶片的削薄，除了实现电 子设备变小变轻之外，还提高了散热性。然而，削薄后的半导体晶片的刚性比削薄前的半导 体晶片低，存在产生翘曲和搬运风险较高的问题。 于是，为了解决该问题，仅对半导体晶片的背面且与形成器件的器件形成区域对 应的区域进行磨削使其成为凹状，在器件区域的外周区域形成加强用凸部。半导体晶片凭 借该加强用凸部确保了刚性，减少了翘曲和搬运风险。这种形成加强用凸部的半导体晶片 在切割工序之前就被去除了加强用凸部。 以往，作为从这种半导体晶片中去除加强用凸部的磨削装置，已知有通过立轴平 面磨削去除加强用凸部的技术(例如参见专利文献l)。如图6(a)所示，现有的磨削装置将 薄型圆筒状的磨削砂轮54绕着垂直于半导体晶片W的轴线旋转，使位于磨削砂轮54端部 的环状的磨削面54a相对于加强用凸部64在平行的状态下相对地旋转接触，从半导体晶片 W的背面去除加强用凸部64。专利文献1日本特开2007-19379号公报 但是，在上述立轴平面磨削用的磨削装置中，存在着即便磨削砂轮54没有接触， 位于半导体晶片W的加强用凸部64内侧的内底面65a也会损伤的问题。具体而言，在现有 的磨削装置中，磨削砂轮54的磨削面54a平行抵接在加强用凸部64上，因此随着磨削的进 展，磨削面54a与内底面65a的间隔变窄。而且，如图6(b)所示，磨削之中磨粒54b会从磨 削砂轮54脱落到凹部65，磨粒54b被夹在磨削面54a和内底面65a之间，向上拉拽内底面 65a而损伤了半导体晶片W。这种情况下，如图6(c)所示，还可以考虑到在磨削砂轮54的 磨削面54a从内底面65a的上方偏离的位置上对半导体晶片W的加强用凸部64进行磨削， 然而装置会增大相当于磨削砂轮54移动量的大小。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种磨削装置以及磨削方法，其能够在不 使装置变大的前提下，在圆盘状的外周区域上形成了加强用凸部的工件上，抑制在磨削加 强用凸部时损伤工件。 本发明的磨削装置的特征在于，该磨削装置具有保持部，其具有载置工件的载置
3面，在上述载置面上保持上述工件；以及磨削部，其将磨削砂轮抵接于保持在上述保持部上 的上述工件上进行磨削，上述工件的表面具有形成有器件的器件形成区域和上述器件形成 区域周围的外周区域，上述工件以去除背面的与上述器件形成区域对应的区域，且从背面 的与上述外周区域对应的区域突出加强用凸部的方式形成凹部，将上述工件的表面载置在 上述保持部的载置面上，上述磨削装置以上述磨削砂轮的磨削面与上述内底面之间的间隔 相对于上述工件的凹部的内底面向上述凹部内侧扩大的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾 斜地抵接于上述加强用凸部。
本发明的磨削方法的特征在于，其通过磨削装置磨削工件，该磨削装置具有保持
部，其具有载置上述工件的载置面，且在上述载置面上保持上述工件；以及将磨削砂轮抵接
在保持于上述保持部上的上述工件上进行磨削的磨削部，上述工件在表面具有形成有器件
的器件形成区域和上述器件形成区域周围的外周区域，以去除背面的与上述器件形成区域
对应的区域，且从背面的与上述外周区域对应的区域突出加强用凸部的方式形成凹部，将
上述工件的表面载置在上述保持部的载置面上，该磨削方法的特征在于，以上述磨削砂轮
的磨削面与上述内底面之间的间隔相对于上述工件的凹部的内底面向上述凹部的内侧扩
大的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部上进行磨削。 根据该构成，当磨削砂轮的磨削面与加强用凸部抵接时，磨削砂轮的磨削面与内
底面的间隔朝凹部内侧扩大，因此，能够抑制在从磨削砂轮脱落的磨粒夹在磨削面与内底
面之间的状态下，磨粒在内底面上被拉拽的情况。因此，即使在磨削加强用凸部的过程中落
入了磨粒，也能抑制工件的损伤。另外，由于使磨削砂轮的磨削面和加强用凸部倾斜来抑制
磨粒的夹入，因此，相比将磨削砂轮的磨削面从内底面上方移动至偏离到工件外侧的位置
上的构成，能够减小装置体积。另外，一般磨削装置在喷射磨削水的同时进行磨削，因此脱
落的磨粒会通过磨削水冲到凹部外侧，可进一步抑制磨粒被夹在磨削面与内底面之间的情况。 另外，根据本发明的磨削装置，上述磨削砂轮具有环状的磨削面，该磨削装置以上 述磨削砂轮的环状磨削面与上述加强用凸部在一部分上接触的方式将上述磨削砂轮的磨 削面倾斜地抵接于上述加强用凸部上。 另外，根据本发明的磨削装置，在从上述工件外周通过中心的第1方向上使上述 工件相对于上述磨削砂轮的磨削面相对倾斜，并且在与上述第1方向正交的第2方向上使 上述工件相对于上述磨削砂轮的磨削面相对倾斜，以上述磨削砂轮的环状磨削面与上述加 强用凸部在一部分上接触的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部 上。 另外，根据本发明的磨削装置，具有调整上述保持部的倾角的倾角调整机构，通过 上述倾角调整机构调整上述保持部的倾角，以上述磨削砂轮的磨削面与上述内底面的间隔 相对于上述工件的凹部内底面向上述凹部内侧扩大的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜 地抵接于上述加强用凸部上。 另外，根据本发明的磨削方法，具有环状的磨削面，以上述磨削砂轮的环状磨削面 与上述加强用凸部在一部分上接触的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加 强用凸部上进行磨削。 根据本发明，能够在不使装置变大的前提下，在圆盘状的外周区域上形成了加强用凸部的工件上，抑制对加强用凸部磨削时损伤工件。
图1是表示本发明涉及的磨削装置的实施方式的图，是加工前的半导体晶片的外 观立体图。 图2是表示本发明涉及的磨削装置的实施方式的图，是磨削装置的外观立体图。
图3是表示本发明涉及的磨削装置的实施方式的图，是磨削装置的卡盘的外观立 体图。 图4是表示本发明涉及的磨削装置的实施方式的图，是磨削装置使卡盘仅向一个 方向倾斜的情况下的磨削动作的说明图。 图5是表示本发明涉及的磨削装置的实施方式的图，是使卡盘向两个方向倾斜的 情况下的磨削动作的说明图。 图6是现有的磨削装置的磨削动作的说明图。
符号说明 l磨削装置；4搬入搬出单元；5凸部去除单元；31基座；32粗磨削单元(磨削部)； 33精磨削单元(磨削部)；34卡盘(保持部)；3紐吸附保持面(载置面)；35转台；41、42
磨削单元移动机构；54磨削砂轮；54a磨削面；54b磨粒；55倾角调整机构；64器件；62器件 形成区域；63外周区域；64加强用凸部；65凹部；65a内底面；W半导体晶片
具体实施例方式
下面，参照
本发明的实施方式。本实施方式涉及的磨削装置用于在切割
工序之前去除形成在半导体晶片背面的外周边缘部上的加强用凸部以便减少翘曲和搬运 风险。在开始对本发明实施方式涉及的磨削装置进行说明之前，先简单说明一下作为磨削
对象的半导体晶片。图l是本发明实施方式涉及的加工前的半导体晶片的外观立体图，(a) 表示半导体晶片的表面(正面)，(b)表示半导体晶片的背面。 如图l(a)所示，加工前的半导体晶片W形成为大致圆板状，其通过在表面排列为 格子状的未图示的分割预定线划分为多个区域。在通过分割预定线所划分出的各区域上， 且在半导体晶片W的中央形成有IC、LSI等器件61。另外，半导体晶片W的表面被划分为 位于中央部分且形成有器件61的器件形成区域62，和位于器件形成区域62周围的外周区 域63。 如图l(b)所示，半导体晶片W的背面被去除了与器件形成区域62对应的区域，与 外周区域63对应的区域呈环状突出地形成加强用凸部。这样，在半导体晶片W的背面形成 了凹部65，仅器件形成区域62变薄。形成了凹部65的半导体晶片W被收纳在盒子2 (参见 图2)内，被搬运到磨削装置1上。 并且，在本实施方式中，作为工件举例说明了硅晶片等半导体晶片W，然而不限于
该构成，也可以使用半导体制品的封装、陶瓷、玻璃、蓝宝石、硅系列基板、各种电器元件或
要求精密级的精度的各种加工材料作为工件。另外，加强用凸部64不限于形成为环状的部
件，只要是加强工件的翘曲和强度的部件即可，例如也可以形成为圆弧状。 下面参照图2说明本发明实施方式涉及的磨削装置。图2是本发明实施方式涉及的磨削装置的外观立体图。 如图2所示，磨削装置l包括以下搬入加工前的半导体晶片W，并且搬出加工后 的半导体晶片W的搬入搬出单元4 ;以及凸部去除单元5，对由搬入搬出单元4搬入的半导 体晶片W的加强用凸部64进行磨削以将其去除。搬入搬出单元4具有长方体形状的基座 ll，在基座11上以从其前表面11a向前方突出的方式设置着载置有盒子2、3的一对盒子载 置部12、13。 盒子载置部12作为搬入口发挥作用，载置着用于收纳加工前的半导体晶片W的盒 子2。盒子载置部13作为搬出口发挥作用，载置着用于收纳加工后的半导体晶片W的盒子 3。在基座11的上表面，面对盒子载置部12、13设有搬入搬出机器臂14，与搬入搬出机器臂 14相邻地在凸部去除单元5侧的一个角部设有临时载置部15，在另一个角部设有旋转器清 洗部16。另外，在基座11上表面，且在临时载置部15和旋转器清洗部16之间设有晶片供 给部17、晶片回收部18。 搬入搬出机器臂14将半导体晶片W从载置在盒子载置部12上的盒子2搬入到临 时载置部15，还将半导体晶片W从旋转器清洗部16搬出到载置在盒子载置部13上的盒子
3。 临时载置部15具有临时载置台21和摄像部22，对载置在临时载置台21上的半导体晶 片W的外周部分进行摄像，通过图像处理来计算半导体晶片W的中心位置与临时载置台21 的中心位置(后述的卡盘34的中心位置)的位置偏离量。 晶片供给部17对载置在临时载置台21上的加工前的半导体晶片W的位置偏离量 进行校正，同时将其载置在凸部去除单元5的卡盘34上。晶片回收部18将载置在卡盘34 上的加工后的半导体晶片W载置到旋转器清洗部16的旋转器清洗台23上。旋转器清洗部 16在基座11内使载置在旋转器清洗台23上的半导体晶片W旋转，喷射清洗水进行清洗。
凸部去除单元5构成为使粗磨削单元32以及精磨削单元(精加工磨削单元)33 与保持着半导体晶片W的卡盘34相对旋转，对半导体晶片W的加强用凸部64进行磨削。 另外，凸部去除单元5具有长方体形状的基座31，在基座31的前表面连接有搬入搬出单元
4。 在基座31的上表面设有配置着三个卡盘34的转台35，在转台35的后方直立设置有支 柱部36。 转台35形成为直径较大(粗径)的圆盘状，在上表面沿周方向以120度的间隔配 置有三个卡盘34。而且，转台35与未图示的旋转驱动机构连接，通过旋转驱动机构使转台 35在D1方向上以120度间隔间歇旋转。由此，三个卡盘34在使半导体晶片W在晶片供给 部17和晶片回收部18之间转交的承载更换位置、使半导体晶片W面向粗磨削单元32的粗 磨削位置、使半导体晶片W面向精磨削单元33的精磨削位置之间移动。并且后面将详细叙 述卡盘34。 基座31的上表面上，在转台35的粗磨削位置和精磨削位置附近设有接触式传感 器38、39。该接触式传感器38、39具有两个触头， 一个触头与半导体晶片W的加强用凸部 64接触，另一个触头与卡盘34上表面接触。而且，根据两个触头的高度之差来控制磨削深度。 支柱部36形成为具有一对斜面的俯视下的台座状，在该一对斜面上设有使粗磨 削单元32和精磨削单元33在卡盘34上方移动的磨削单元移动机构41、42。该支柱部36 的一对斜面形成为能使粗磨削单元32和精磨削单元33朝分别对应的卡盘34的中心移动
6的角度。磨削单元移动机构41具有未图示的一对导轨，配置在支柱部36的斜面上，彼此 在左右方向上平行；以及通过电动机驱动的R轴工作台43，以能滑动的方式设置在一对导 轨上。 另外，磨削单元移动机构41具有一对导轨45，配置在R轴工作台43的前表面上， 彼此在上下方向上平行；以及通过电动机驱动的Z轴工作台46，以能滑动的方式分别配置 在一对导轨45上。Z轴工作台46上通过安装于前表面处的支撑部47支撑着粗磨削单元 32。另外，磨削单元移动机构42也具有与磨削单元移动机构41同样的构成，并支撑着精磨 削单元33。 并且，在各R轴工作台43、44、各Z轴工作台46的背表面侧分别形成有未图示的螺 母部，滚珠丝杠48旋合于这些螺母部(没有图示出R轴工作台用的滚珠丝杠)。而且，在R 轴工作台43、44用的滚珠丝杠、Z轴工作台46用的滚珠丝杠48的上端部分别连接着驱动 电动机49，通过该驱动电动机49驱动滚珠丝杠旋转(没有图示出R轴工作台用的驱动电动 机)。通过这种构成，R轴工作台43、44分别在R1方向、R2方向上移动，Z轴工作台46在 上下方向移动。 粗磨削单元32具有单元外壳51 ;在单元外壳51的内侧通过电动机52驱动而旋 转的未图示的主轴；以及以能拆装的方式安装在主轴下端的磨削砂轮54。粗磨削单元32使 磨削砂轮54旋转并接触到保持在旋转的卡盘34上的半导体晶片W，并且从未图示的喷嘴向 半导体晶片W喷射磨削液。然后，粗磨削单元32通过磨削单元移动机构41对磨削砂轮54 相对于半导体晶片W的半径方向进行位置调整，在Z轴方向上磨削进给，而从半导体晶片W 中去除加强用凸部64。 磨削砂轮54通过以金属结合剂或树脂结合剂等结合剂加固了金刚石磨粒后的金 刚石砂轮构成。另外，磨削砂轮54形成为薄型圆筒状，具有环状的磨削面。并且，精磨削单 元33具有与粗磨削单元32同样的构成，进行相同的动作，但是使用粒度较细的部件作为磨 削砂轮54。 下面参照图3详细说明卡盘。图3是本发明实施方式涉及的卡盘的外观立体图。 并且为了便于说明，图3中仅表示出了工作台部分。 如图3所示，卡盘34为圆盘状，在上表面中央部分，通过有孔陶瓷材料形成了圆形 状的吸附保持面34a。吸附保持面34a与配置在基座31内的未图示的吸引源连接，吸附保 持半导体晶片W。另外，卡盘34构成为通过未图示的旋转驱动机构能够绕垂直于吸附保持 面34a的轴线L在D2方向上旋转。 在卡盘34的下部与卡盘35的上表面之间设有倾角调整机构55。该倾角调整机 构55用于对卡盘34相对于磨削砂轮54的磨削面的倾角进行微调，构成为能对正交的两个
e i方向、e 2方向上的倾角进行微调。e l方向是在R轴工作台43的移动方向即Ri方向 (R2方向)上的角度调整方向，9 2方向是在与Rl方向(R2方向)正交的方向上的角度调 整方向。如果向9 l方向倾斜卡盘34，则会在两个位置与磨削砂轮54的环状磨削面接触 (参见图4 (c))，如果进一步向9 2方向倾斜卡盘34，则会在一个位置与磨削砂轮54的环状 磨削面接触(参见图5)。 并且，倾角调整机构55只要构成为能够调整卡盘34相对于磨削砂轮54的磨削面 的倾角即可，例如是将两个杠杆机构组合而构成的。另外在本实施方式中，将倾角调整机构55设计为对两个方向上的倾角进行微调，然而也可以使用仅调整一个方向上的倾角的结 构。 这里说明本实施方式涉及的磨削装置的磨削动作。图4是使本实施方式涉及的磨 削装置的卡盘仅向一个方向倾斜的情况下的磨削动作的说明图。并且在以下的说明中，举 例说明利用粗磨削单元对半导体晶片的加强用凸部进行磨削的情况，但精磨削单元也同样 地进行动作。另外，在本实施方式中，举例说明调整倾角调整机构55的ei方向的倾角，并 在两个部位与磨削砂轮54的环状磨削面接触的构成。 通过晶片供给部17在承载更换位置上将半导体晶片W的表面载置到卡盘34的吸 附保持面34a上，在使加强用凸部64朝向上侧并将半导体晶片W保持在吸附保持面34a上 的状态下，通过转台35的旋转将卡盘34移动到粗磨削位置。此时，R轴工作台43移动，调 整粗磨削单元32相对于半导体晶片W的半径方向上的磨削位置。 如图4(a)所示，当卡盘34移动到粗磨削位置上时，通过倾角调整机构55调整倾 角。倾角调整机构55使卡盘34在Rl方向上略微向9 1方向倾斜，扩大磨削砂轮54的磨 削面54a与半导体晶片W的凹部65的内底面65a之间的间隔。SP，以磨削面54a与半导体 晶片W的内底面65a的间隔在Rl方向上朝半导体晶片W的中心侧变大的方式进行角度调整。 如图4(b)所示，当通过Z轴工作台46将粗磨削单元32向下方磨削进给后，磨削 砂轮54的磨削面54a会倾斜地接触半导体晶片W的加强用凸部64。此时，如图4(c)所示， 磨削砂轮54的磨削面54a在接触部分A1、A2这两个位置与半导体晶片W的加强用凸部64 接触。 如果在该状态下继续进行半导体晶片W的磨削，则磨粒54b会从磨削砂轮54落入 半导体晶片W的凹部65中。由于磨削砂轮54的磨削面54a与半导体晶片W的内底面65a 的间隔较大，因此能够抑制脱落到凹部65中的磨粒54b被夹入磨削面54a与内底面65a之 间的情况。此外，由于脱落到凹部65中的磨粒54b被从喷嘴喷出的磨削水冲击到凹部65 的外侧，因而能够防止落到磨削面54a与内底面65a之间的磨粒54b损伤半导体晶片W的 内底面65a的不良情况。 接着参照图5说明使磨削装置的卡盘向两个方向倾斜的情况下的磨削动作。图5 是使本实施方式涉及的磨削装置的卡盘向两个方向倾斜的情况下的磨削动作的说明图。
在图4(c)所示的构成中，由于构成为磨削砂轮54的磨削面54a与半导体晶片W 的加强用凸部64在两个部位接触，因此加强用凸部64在接触部分Al、 A2上被磨削的方向 不同。即，在磨削砂轮54向D3方向旋转的情况下，在接触部分A1上，在磨削砂轮54的环 状磨削面54a从半导体晶片W的加强用凸部64内侧突出到外侧的方向上磨削加强用凸部 64，而在接触部分A2上，在磨削砂轮54的环状磨削面54a从半导体晶片W的加强用凸部64 外侧进入内侧的方向上磨削加强用凸部64。 如上，如果磨削砂轮54的磨削面54a与半导体晶片W的加强用凸部64在两个部 位上的磨削方向不同，则彼此会产生振动，有可能受到磨削砂轮54的异常磨损、边缘积屑 的增加、异常振动、表面粗糙度降低等的影响。这种情况下如图5所示，构成为使卡盘34在 9 1方向和9 2方向这两个方向上倾斜，使磨削砂轮54的磨削面54a与半导体晶片W的加 强用凸部64在接触部分A3这一个部位上接触。这样，由于磨削砂轮54的磨削面54a与半
8导体晶片W的加强用凸部64在一个部位上接触，因此能够抑制磨削砂轮54的异常磨损、边 缘积屑的增加、异常振动、表面粗糙度降低。 如上所述，根据本实施方式涉及的磨削装置1，当磨削砂轮54的磨削面54a与加 强用凸部64抵接时，由于磨削砂轮54的磨削面54a与半导体晶片W的内底面65a之间的 间隔朝向凹部65的内侧变大，因此能够抑制在将从磨削砂轮54脱落的磨粒54b夹在磨削 面54a与内底面65a之间的状态下，磨粒54b被拉拽到内底面65a上的情况。因此，即便磨 粒54b在加强用凸部64的磨削过程中脱落，也能够抑制半导体晶片W的损伤。另外，由于 使磨削砂轮54的磨削面54a和加强用凸部64倾斜，抑制了磨粒54b的夹入，因此相比使磨 削砂轮54的磨削面54a移动到偏离内底面65a上方的位置的构成，能够减小装置体积。
并且，在上述实施方式中，将9 1方向设为R轴工作台43的移动方向即Rl方向 (R2方向)上的角度调整方向，将9 2方向设为与Rl方向(R2方向)正交的方向上的角度 调整方向，然而不限于此。只要使得磨削面54a与半导体晶片W的内底面65a之间的间隔 朝向半导体晶片W的凹部65的内侧变大，就可以为任意方向。 另外，虽然在上述实施方式中构成为通过磨削将加强用凸部64去除，然而无需完 全去除加强用凸部64，也可以将其去除至不影响后续工序的切割加工的程度为止。
另外，在上述实施方式中，构成为使卡盘34相对于磨削砂轮54的磨削面54a倾 斜，使磨削砂轮54的磨削面54a与半导体晶片W的加强用凸部64接触，然而不限于该构成。 只要构成为使卡盘34与磨削砂轮54的磨削面54a相对倾斜即可，还可以构成为使磨削砂 轮54的磨削面54a相对于卡盘34倾斜。这种情况下，在Z轴工作台46和支撑部47之间 设置9工作台，使磨削砂轮54的磨削面54a相对于卡盘34倾斜。进而，还可以通过倾角 调整机构55和e工作台使磨削砂轮54的磨削面54a和卡盘34倾斜。
另外，在上述实施方式中，采用了通过圆筒状的磨削砂轮54进行磨削的构成，然 而只要是从半导体晶片W上磨削加强用凸部64的结构即可，例如也可以是杯状的磨削砂轮 或不具有环状磨削面的圆柱状磨削砂轮。进而，当磨削面呈圆锥状倾斜的情况下，可以在不 驱动倾角调整机构55和e工作台的情况下，朝向凹部65的内侧扩大磨削砂轮54的磨削 面54a与半导体晶片W的内底面65a之间的间隔。 另外，此次所公开的实施方式中所有的方面都是举例，并不限于本实施方式。本发 明的范围不仅限于上述实施方式中的说明，可体现为包含通过请求保护范围所表示出的、 具有等同于请求保护范围的意义以及该范围内的所有变更。
工业应用性 如上所述，本发明具有的效果在于在圆盘状的外周区域上形成了加强用凸部的 工件上，能够在不使装置变大的前提下抑制对加强用凸部磨削时产生的半导体晶片的损 伤，尤其适用于对半导体晶片进行磨削加工的磨削装置以及磨削方法。
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权利要求
一种磨削装置，其特征在于，上述磨削装置具有保持部，其具有载置工件的载置面，在上述载置面上保持上述工件；以及磨削部，其将磨削砂轮抵接于保持在上述保持部上的上述工件上进行磨削，上述工件具有在表面形成有器件的器件形成区域和上述器件形成区域的周围的外周区域，上述工件以将背面的与上述器件形成区域对应的区域去除，且从背面的与上述外周区域对应的区域突出加强用凸部的方式形成有凹部，上述工件的表面载置在上述保持部的载置面上，上述磨削装置以上述磨削砂轮的磨削面与上述内底面之间的间隔相对于上述工件的凹部的内底面向上述凹部的内侧扩大的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部。
2. 根据权利要求l所述的磨削装置，其特征在于， 上述磨削砂轮具有环状的磨削面，上述磨削装置以上述磨削砂轮的环状的磨削面与上述加强用凸部在一部分上接触的 方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部。
3. 根据权利要求2所述的磨削装置，其特征在于，上述磨削装置在从上述工件的外周 通过中心的第1方向上使上述工件相对于上述磨削砂轮的磨削面相对倾斜，并且在与上述 第1方向正交的第2方向上使上述工件相对于上述磨削砂轮的磨削面相对倾斜，上述磨削 装置以上述磨削砂轮的环状的磨削面与上述加强用凸部在一部分上接触的方式将上述磨 削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的磨削装置，其特征在于，上述磨削装置具有调整 上述保持部的倾角的倾角调整机构，利用上述倾角调整机构调整上述保持部的倾角，以上述磨削砂轮的磨削面与上述内底 面之间的间隔相对于上述工件的凹部的内底面向上述凹部的内侧扩大的方式将上述磨削 砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部。
5. —种磨削方法，其通过磨削装置来磨削工件，该磨削装置具有保持部，其具有载置 上述工件的载置面，且将上述工件保持在上述载置面上；以及将磨削砂轮抵接于保持在上 述保持部上的上述工件上进行磨削的磨削部，上述工件具有在表面形成有器件的器件形成区域和上述器件形成区域的周围的外周 区域，上述工件以将背面的与上述器件形成区域对应的区域去除，且从背面的与上述外周 区域对应的区域突出加强用凸部的方式形成有凹部，将上述工件的表面载置在上述保持部 的载置面上，该磨削方法的特征在于，以上述磨削砂轮的磨削面与上述内底面之间的间隔相对于上述工件的凹部的内底面 向上述凹部的内侧扩大的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部上 进行磨削。
6. 根据权利要求5所述的磨削方法，其特征在于，上述磨削砂轮具有环状的磨削面， 以上述磨削砂轮的环状的磨削面与上述加强用凸部在一部分上接触的方式将上述磨削砂轮的磨削面倾斜地抵接于上述加强用凸部上进行磨削。
全文摘要
一种磨削装置及磨削方法，能在不使装置变大的前提下，在圆盘状的外周区域上形成了加强用凸部的半导体晶片上抑制对加强用凸部磨削时损伤半导体晶片。半导体晶片表面具有形成有器件(61)的器件形成区域(62)及其周围的外周区域(63)，以去除背面的与器件形成区域(62)对应的区域且从背面的与外周区域对应的区域突出加强用凸部(64)的方式形成凹部(65)，将半导体晶片的表面载置在卡盘(34)的吸附保持面(34a)上，以磨削砂轮(54)的磨削面(54a)与内底面(65a)的间隔相对于半导体晶片的凹部的内底面(65a)向凹部的内侧扩大的方式将磨削砂轮(54)的磨削面(54a)倾斜地抵接于加强用凸部(64)。
文档编号H01L21/304GK101745851SQ20091025121
公开日2010年6月23日 申请日期2009年12月3日 优先权日2008年12月3日
发明者吉田真司 申请人:株式会社迪思科