专利名称：利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法
技术领域：
本发明一般涉及利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法，更具体地涉及利用如下 耐热胶粘片制造半导体器件的方法，所述耐热胶粘片通过在其中耐热胶粘片长时间曝露于 高温的安装工艺之后进行粘贴，从而能够预防在安装工艺期间由胶粘片引起的缺陷产品， 所述耐热胶粘片不但能够在密封工艺期间通过胶粘剂层的高润湿性理想地防止树脂渗漏， 而且能够在剥离工艺期间通过能量束辐照引发的交联反应确保的耐热性从而防止任何残 渣残留在粘贴面上，并且所述耐热胶粘片能够避免在高温下在金属等粘贴面上的氧化，从 而确保了可靠性和可加工性。
背景技术：
一般来说，QFN(方形扁平无引线)半导体是半导体制造技术中的一种类型，其中 引线端子安装于封装物的内部。作为制造QFN方法的实例，下列技术通常为已知的。半导 体的独立单元通过如下制造将耐热带粘贴至外焊盘侧上的层压步骤；将半导体芯片粘结 到金属引线框的管芯焊盘上的安装步骤；利用密封树脂将引线框的半导体芯片侧密封并获 得密封结构的密封步骤；将胶粘片从引线框分离的剥离步骤；和将密封结构切割成单个半 导体器件的切割步骤。在通过图1至5的方法的详细描述中，所述图1至5为图示使用现 有技术胶粘膜制造半导体器件的方法的实施方式的示意性工艺图，其工序包括首先，(a) 通过将胶粘片粘贴至金属引线框上的层压工艺，(b)将半导体芯片安装在金属引线框上的 工艺，(c)通过导线将半导体芯片与金属引线框连接的工艺，(d)使用密封树脂密封半导体 芯片的工艺，(e)在密封完成后移除胶粘片的工艺，等等。如上所述，制造QFN半导体器件的工序一般包括在150°C至250°C的高温下的工 艺。特别是，利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法在粘贴到金属引线框后，在管芯粘贴工 艺期间于170°C下经受超过两小时的热曝露，并在导线粘结工艺期间于200 250°C下经受 超过两小时的热曝露。因此，半导体器件不但需要在高温下保持高水平的尺寸稳定性，而且 需要防止在密封工艺期间由于密封树脂的压力在胶粘片和引线框之间引起的粘附缺陷如 模具溢料。此外，有必要将胶粘片剥离而不在金属引线框上留下任何残渣，从而满足在高温 下的工艺性能的所有需求。为了满足上述这些需求，在现有技术胶粘片中使用耐热聚酰亚胺膜作为衬底，并 且向耐热衬底上添加耐热胶粘树脂层。通常，胶粘树脂可包括基于硅的胶粘树脂和基于丙 烯酸的胶粘树脂，并且这种胶粘树脂用于下列专利公开的制造半导体的工艺中韩国专利 注册号 KR10-0665441 和 KR 10-0572191，以及美国专利 US677079。利用上述耐热胶粘片制造半导体器件的方法有时可使用胶水替代胶粘剂，这样的 胶水可包括混合在一起的热固性(或热固化性)树脂和热塑性树脂。通常使用NBR/环氧 树脂，如韩国专利申请公布号2004-00423658所公开。然而，基于硅的胶粘剂具有的问题是，在剥离胶粘剂时会污染胶粘剂粘贴的表面 或形成硅胶粘剂残渣，并且在高温下由硅胶粘剂的成分产生的气体成分氧化引线框的粘贴面。而且，由于热固性丙烯酸类胶粘剂因缺少耐热性而在约100°c至150°c开始分解，所以 可能因内聚力的降低而在粘贴面上产生胶粘剂残渣。此外，上述胶水的热固性/热塑性树脂的混合物可能在加热工艺期间由于挥发性 气体成分而引起不良的导线粘结，并且可能由于增加的固化收缩和粘附而在剥离中引起问题。而且，由于在高温下制造半导体器件的工艺期间，在金属引线框和耐热胶粘片之 间的热膨胀差异，因而可能无法保持半导体器件的尺寸稳定性，这可能引起在安装工艺期 间安装位置的偏移，从而导致缺陷率的增加。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]韩国专利注册号KR10-0665441[专利文献2]韩国专利注册号KR10-0572191[专利文献3]韩国专利申请公布号2004-00423658[专利文献4]美国专利号US677079
发明内容
本发明提供一种利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法，在作为半导体高温工艺 的安装工艺之后，在半导体胶粘片的粘结期间，所述耐热胶粘片具有无需应用辊压或热压 而能粘结至金属引线框的润湿性。而且，本发明提供利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法，所述耐热胶粘片不但 能够通过能量束辐照至胶粘剂层引发交联反应从而在高温下的树脂密封工艺期间确保耐 热性，而且能够在剥离期间被剥离而不在粘贴面上留下任何残渣。本发明的这些和其他目的以及优点将从本发明下面的详细描述中显而易见。上述目的通过利用耐热胶粘片的制造半导体器件的方法实现，所述方法包括如下 工序(a)准备金属引线框；(b)不用胶粘片，将半导体芯片安装至金属引线框上；(c)不用 胶粘片，通过导线将金属引线框的引线与半导体芯片连接；(d)利用耐热胶粘片对具有安 装于其上的半导体芯片和连接于其上的导线的金属引线框进行粘贴和层压；(e)利用密封 树脂密封半导体芯片；和(f)在密封完成后移除耐热胶粘片。这里，耐热胶粘片可包含耐热衬底和耐热胶粘剂层，所述耐热胶粘剂层具有包含 涂布在衬底至少一侧上的能量束固化性低聚物树脂、能量束引发剂、热固性丙烯酸类胶粘 树脂以及热固化剂的组成。优选地，耐热衬底为选自如下的至少一种膜聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚 苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚醚酰胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和聚碳 酸酯。耐热胶粘剂层优选具有1 μ m 50 μ m的厚度。优选地根据设计目的，使用耐热胶粘剂层的一种能量束固化性低聚物树脂或将两 种以上能量束固化性低聚物树脂组合使用，并且相对于每100重量份的热固性丙烯酸类胶 粘树脂，能量束固化性低聚物树脂的用量为0. 1至40重量份。所述热固性丙烯酸类胶粘树脂优选具有40，000至3，000，000的重均分子量。
此外，优选地根据设计目的，使用耐热胶粘剂层的一种能量束引发剂或将两种以 上能量束引发剂组合使用，并且相对于每100重量份的能量束固化性低聚物树脂，能量束 引发剂的用量为0. 01至20重量份。而且，当温度以10°C /分钟的速率从室温升至250°C时，所述耐热胶粘剂层的重量 减少优选低于5%。优选地，在将耐热胶粘片粘贴至金属表面之后，所述耐热胶粘片保护金属表面，使 得在250的高温下不在金属表面发生氧化。而且，所述耐热胶粘片通过耐热胶粘剂层的润湿性进行粘贴而无需应用辊压或热 压，并且当耐热胶粘片粘贴至铜箔并在室温下保持10分钟后，所述耐热胶粘片具有1克力 (gf)/英寸至500克力/英寸的粘附强度。[发明效果]本发明通过在其中耐热胶粘片长时间曝露于高温的安装工艺之后粘贴耐热胶粘 片，从而具有预防在安装工艺期间由胶粘片引起的缺陷产品的效果。此外，本发明不但具有在密封工艺期间利用胶粘剂层的高润湿性理想地防止树脂 渗漏的效果，而且具有在剥离工艺期间通过能量束辐照引发的交联反应确保的耐热性从而 防止任何残渣残留在粘贴面上的效果，还具有在高温下避免金属等的粘贴面上氧化的效 果，从而确保了可靠性和可加工性。
图1示出通过将胶粘片粘贴至现有技术金属引线框的层压工艺；图2示出将半导体芯片安装至现有技术金属引线框上的工艺；图3示出通过导线将现有技术半导体芯片与金属引线框的引线连接的工艺；图4示出使用现有技术密封树脂密封半导体芯片的工艺；图5示出在密封完成后移除胶粘片的工艺；图6示出根据本发明，准备金属引线框的工艺；图7示出根据本发明，不用胶粘片，将半导体芯片安装至金属引线框上的工艺；图8示出根据本发明，不用胶粘片，通过导线将金属引线框的引线与半导体芯片 连接的工艺；图9示出根据本发明，利用耐热胶粘片，对具有安装于其上的半导体芯片和连接 于其上的导线的金属引线框进行粘贴和层压的工艺；图10示出根据本发明，利用密封树脂密封半导体芯片的工艺；图11示出根据本发明，在密封完成后移除耐热胶粘片的工艺。附图标记1 耐热胶粘剂层2 耐热衬底层3 耐热胶粘片4:具有金属表面的引线框5 半导体芯片6 胶水
7 导线8 密封树脂
具体实施例方式在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施方式。应理解的是，仅以例示的 方式给出本发明优选实施方式的详细描述，因此对于本领域技术人员显而易见的是，在本 发明的主旨和范围内，可进行各种改变和修正。本发明涉及用于制造半导体器件的方法，所述方法利用半导体器件制造用耐热胶 粘片，更具体地说，本发明涉及利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法，所述耐热胶粘片在 制造半导体器件的方法中，在将半导体芯片粘结到金属引线框的管芯焊盘上的安装工艺之 后才粘贴至金属引线框，从而在利用密封树脂密封引线框的半导体芯片侧以获得密封结构 的密封工艺期间理想地防止密封树脂的渗漏，所述耐热胶粘片在之后的工艺期间不引起任 何问题，并且具有在胶粘片的粘贴期间无需应用辊压或热压而能够粘贴至金属引线框的润 湿性。在例示根据本发明利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法的实施方式的示意性 工艺图6至11中所示的更详细描述中，所述方法包括下列工艺(a)准备金属引线框；(b) 不用胶粘片，将半导体芯片安装至金属引线框上；(c)不用胶粘片，通过导线将引线框的引 线与半导体芯片连接；(d)利用耐热胶粘片对具有安装于其上的半导体芯片和连接于其上 的导线的金属引线框进行粘贴和层压；(e)利用密封树脂密封半导体芯片；和(f)在密封完 成后移除耐热胶粘片。此外，本发明中的耐热胶粘片可包含耐热衬底和耐热胶粘剂层，所述耐热胶粘剂 层具有包含涂布在耐热衬底至少一侧上的能量束固化性和热固性成分的组成；在制造半导 体器件的工序中，所述耐热胶粘片具有在安装工艺完成后无需应用辊压或热压而能够粘贴 的润湿性。而且，所述耐热胶粘剂层利用能量束辐照以引发胶粘剂层的交联反应，从而形成 高耐热的交联结构。为此目的，用于形成所述耐热胶粘剂层的组合物包含能量束固化性低 聚物树脂和能量束引发剂，且另外包含热固性丙烯酸类胶粘树脂和热固化剂。虽然本发明中耐热胶粘片的耐热胶粘剂层的厚度不受限制，但是为了保持无需应 用辊压或热压而能够粘贴至金属引线框的润湿性，使用太薄的耐热层是不优选的；并且在 密封工艺中，为了在施加高温高压之后于剥离期间不留下任何残渣，使用太厚的耐热胶粘 剂层也是不期望的。可以以平衡的方式满足这些对立性能的厚度优选为Iym至50μπι，更
4 μ m g 25 μ m。在下文中，将详细描述本发明的构成。耐热衬底本发明中耐热胶粘片的耐热衬底优选但不限于选自如下的至少一种(塑料)膜 聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚醚酰胺、聚 萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和聚碳酸酯。另外，可使用金属箔代替(塑料)膜作为所述衬底， 特别地，可使用选自由如下组成的箔、合金箔和镀箔中的至少一种金属箔铝、镁、钛、铬、 锰、铁、镍、锌或锡。如果在上述衬底膜和引线框之间的热膨胀系数变大，那么当引线框在从高温工艺之后回到室温时，可能在粘贴于所述片的引线框上发生翘曲。这种翘曲可能导致在成形 过程中的尺寸不稳定性，从而带来由于位置形变引起的模具溢料缺陷。因此，作为可避免 上述情形的耐热衬底，优选使用具有150°C以上玻璃化转变温度的耐热膜，并且在100°C 至200°C下，所述衬底的热膨胀系数优选为5ppm/°C至50ppm/°C，更优选为IOppm/°C至 25ppm/°C。此外，在200°C下持续两小时，衬底的热收缩率优选为0. 01 %至0. 5%，更优选为 0. 03%至 0. 1%。胶粘剂组合物本发明中用于耐热胶粘片的耐热胶粘剂层的能量束固化性低聚物树脂包括基于 氨基甲酸酯的丙烯酸酯、聚醚和聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、丙烯酸类丙烯酸酯等，除了 丙烯酸类树脂外还包括在分子末端具有芳基的重氮化氨基-酚醛清漆树脂、含肉桂酰基 的聚合物、光致阳离子聚合性树脂、硫醇可加成树脂。而且，高能量束反应性聚合物包括环 氧化聚丁二烯、不饱和聚酯、聚缩水甘油基甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺和聚乙烯基硅氧烷。 如果使用这种能量束固化性低聚物树脂，上述母材不一定是必需的。上述树脂的活性官能 团数优选为2至10，更优选为2至6。此外，这种丙烯酸类低聚物树脂的重均分子量优选为 300至8000。可将上述树脂设计成与能量束引发剂反应从而对耐热胶粘剂层赋予内聚强 度。由此，可获得具有高耐热性并且不留下任何残渣的胶粘剂层。本发明中用于耐热胶粘片的耐热胶粘剂层的热固性丙烯酸类胶粘树脂包括(甲 基)丙烯酸烷基酯如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲 基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸 异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯等，并用来 提供胶粘性。此外，这种热固性丙烯酸类胶粘树脂优选具有40，000 3，000, 000，更优选 700, 000至1，200, 000的重均分子量。这是因为如果热固性丙烯酸类胶粘树脂的重均分子 量小于40，000，那么胶粘树脂不具有足够的耐热性，而如果其重均分子量高于3，000, 000, 那么可能由于高分子量而影响固化反应。通过将这种丙烯酸类胶粘树脂与热固化剂一起使 用，可以确保内聚强度，并且还避免胶粘剂残渣的出现。此外，本发明中耐热胶粘片的混合丙烯酸类胶粘剂应包括热固化剂和能量束引发 剂从而引发固化反应。这种热固化剂的实例可包括基于异氰酸酯、基于环氧、基于氮杂环丙 烷、基于螯合物、基于有机酸和基于三聚氰胺的交联剂。尽管取决于目的而不限定所使用的 热固化剂的量，但是相对于100重量份的丙烯酸类胶粘树脂，优选使用0. 1至40重量份，更 优选1至10重量份。因此，可通过将所述丙烯酸类胶粘剂与所述热固化剂一道使用，从而 将所述丙烯酸类胶粘剂设计成显示合适的粘附强度。此外，所述能量束引发剂包括苄基二甲基酮缩醇、羟基环己基苯基酮、羟基二甲基 苯乙酮、甲基- -甲硫基苯基]-2-吗啉丙酮、4-苄基-4’-甲基二苯硫醚、异丙基噻吨酮、 2-氯噻吨酮、乙基-4-二甲基氨基苯甲酸酯、2-乙基己基-4-二甲基氨基苯甲酸酯、二苯甲 酮、4-甲基二苯甲酮、甲基-邻苯并-苯甲酸酯、甲基苯甲酰基甲酸酯、4-苯基二苯甲酮、2， 4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基膦、2-羟基-1，2-苯基乙酮等。可根据胶粘剂层的涂布和干 燥温度以及所用能量束的辐照条件选择该能量束引发剂。相对于100重量份的能量束固化 性低聚物树脂，所用能量束引发剂的量优选为约0. 01至20重量份。此外优选地，取决于设 计目的，使用一种所述能量束引发剂或将两种以上所述能量束引发剂组合使用。
制造耐热胶粘剂层的方法制造本发明的耐热胶粘片的方法不受限制；然而，包含能量束固化性丙烯酸类低 聚物树脂、热固性胶粘树脂和能量束引发剂以及用于固化树脂的热固化剂成分的胶粘剂组 合物是与溶剂一道制备的。根据设计目的，制备具有粘性的胶粘剂组合物。有可用于制造 耐热胶粘剂层的不同技术，包括其中胶粘剂组合物直接涂布在耐热衬底上并干燥以形成胶 粘剂层的流延法，以及其中胶粘剂组合物涂布在离型膜上并干燥以形成胶粘剂层，然后将 胶粘剂层层压至耐热衬底上，接着将其转移到耐热衬底上的转移法。在这些情况下，胶粘剂 层的涂层厚度优选为1 μ m至50 μ m，更优选为4 μ m至25 μ m。能量束固化法为了固化根据上述方法制造的耐热胶粘剂层，将能量束如可见光线、紫外线和电 子束用于固化反应以在胶粘剂层中产生交联结构。尽管能量束的种类不受特别限制；但 优选使用紫外线。紫外线固化为持续很短时间的化学反应，其需要预定量的光用以完全 固化胶粘剂层。如果用于固化的光量少于预定量，那么固化产物上可能包含未固化部分。 另一方面，如果用于固化的光量多于必需量，那么可能导致衬底膜或胶粘树脂的分解。此 外，由于紫外线中伴随有红外线，红外线的热可能在胶粘片上导致不利效果。因此，基于紫 外线A(UV-A)的范围，合适的光量优选为lOmJ/cm2至2000mJ/cm2，更优选为lOOmJ/cm2至 lOOOmJ/cm2。并且紫外灯分为具有短波长(紫外线B，C)范围作为其主范围的水银灯和具 有长波长(紫外线A)范围作为其主范围的金属卤化物灯。可以组合使用这两种灯，也可以 使用一种灯进行固化，并且可通过改变灯的高度或紫外线的辐照时间来调节光量。接下来将通过下面的优选实施例详细描述本发明；但本发明不限于这些实施例。[实施例1]首先，相对于每100重量份具有约1，000, 000分子量和侧链上具有羟基的丙烯酸 类共聚物胶粘剂，加入100重量份的乙酸乙酯(EA)并搅拌一小时。然后，加入5重量份作 为能量束固化性丙烯酸类低聚物的苯基酚醛清漆丙烯酸酯并搅拌一小时，接着加入0. 8重 量份基于三聚氰胺的热固化剂和0. 4重量份基于有机酸的固化促进剂，并再搅拌一小时。 最后，加入0.5重量份作为光引发剂的二苯基(2，4，6_三甲基苯甲酰基)氧化膦，并搅拌 一小时以获得能量束固化性胶粘剂组合物。所述胶粘剂组合物涂布在25 μ m厚的聚酰亚胺 膜(SKCKolon，LN100)上，并在130°C下干燥三分钟，接着进行能量束固化。之后，将具有胶 粘剂组合物涂布于其上的所述膜粘贴至38 μ m厚的PET离型膜(东丽世韩株式会社制造， XD5BR)，并在45°C下经受48小时的老化处理以制造具有10 μ m胶粘剂层的胶粘片。[实施例2]首先，相对于每100重量份具有约1，000，000分子量和侧链上具有羟基的丙烯酸 类共聚物胶粘剂加入100重量份的乙酸乙酯(EA)并搅拌一小时。然后，加入1重量份作为 能量束固化性丙烯酸类低聚物的苯基酚醛清漆丙烯酸酯和4重量份基于氨基甲酸酯的丙 烯酸酯并搅拌一小时，接着加入0. 8重量份基于三聚氰胺的热固化剂和0. 4重量份基于有 机酸的固化促进剂，并再搅拌一小时。最后，加入0.005重量份作为光引发剂的二苯基(2， 4，6_三甲基苯甲酰基)氧化膦，并搅拌一小时以获得能量束固化性胶粘剂组合物。所述胶 粘剂组合物涂布在25 μ m厚的聚酰亚胺膜(SKCKolon，LN100)上，并在130°C下干燥三分钟， 接着进行能量束固化。之后，将具有胶粘剂组合物涂布于其上的膜粘贴至38 μ m厚的PET离型膜(东丽世韩株式会社制造，》)5BR)，并在45°C下经受48小时的老化处理以制造具有 10 μ m胶粘剂层的胶粘片。[比较例1]首先，相对于每100重量份具有约1，000，000分子量和侧链上具有羟基的丙烯酸 类共聚物胶粘剂加入100重量份的乙酸乙酯(EA)并搅拌一小时。然后，加入0.8重量份基 于三聚氰胺的热固化剂和0. 4重量份基于有机酸的固化促进剂，并再搅拌一小时。所述胶 粘剂组合物涂布在25 μ m厚的聚酰亚胺膜(SKCKolon，LN100)上，并在130°C下干燥三分钟。 之后，将具有胶粘剂组合物涂布于其上的膜粘贴至38 μ m厚的PET离型膜(东丽世韩株式 会社制造，)(D5BR)，并在45°C下经受48小时的老化处理以制造具有10 μ m胶粘剂层的胶粘 片。[比较例2]首先，相对于每100重量份具有约1，000, 000分子量和侧链上具有羟基的丙烯酸 类共聚物胶粘剂加入100重量份的乙酸乙酯(EA)并搅拌一小时。然后，加入10重量份作 为能量束固化性丙烯酸类低聚物的苯基酚醛清漆丙烯酸酯和40重量份基于氨基甲酸酯的 丙烯酸酯，并搅拌一小时。之后，加入5重量份作为光引发剂的二苯基(2，4，6_三甲基苯甲 酰基)氧化膦，并搅拌一小时以获得能量束固化性胶粘剂组合物。所述胶粘剂组合物涂布 在25μπι厚的聚酰亚胺膜(SKCKolon，LN100)上，并在130°C下干燥三分钟，接着进行能量 束固化。之后，将具有胶粘剂组合物涂布于其上的膜粘贴至38 μ m厚的PET离型膜(东丽 世韩株式会社制造，》)5BR)，并在45°C下经受48小时的老化处理以制造具有10 μ m胶粘剂 层的胶粘片。[比较例3]以与上述实施例1中同样的工序制造胶粘片，但省略了能量束固化处理。[比较例4]尽管以与上述实施例1中同样的工序制造具有70μπι胶粘剂层的胶粘片，但胶粘 剂层的表面在130°C下干燥处理之后破裂，因而未能制造出胶粘片。[试验例1粘贴性能]在安装半导体芯片的工艺之后，不在金属引线框的一侧应用辊压或热压，而使用 筋压(dambar press)(通过按压未安装半导体芯片一侧的粘贴技术)试验半导体器件制造 用胶粘片是否可粘贴。〇可粘贴Δ 可粘贴但有30%以上的空白(void)X 不可粘贴[试验例2:180°剥离强度测量]准备2. 54cm*15cm(宽度*长度)的胶粘片，并使用丙酮对用作被粘附对象的铜箔 (三井物产制造；3EC-THE-AT)表面进行清洗。然后，通过以两次往复运动来滚动约2kg的 橡皮辊将各胶粘片沉积到各铜箔上。之后，将样品在室温下保持20分钟，然后以300mm/分 钟的速度测量样品的180°剥离强度。[试验例3残渣存在试验]在如上述试验例1中将胶粘片粘贴至金属引线框之后，在175°C下使用密封树脂密封金属引线框上的半导体芯片三分钟，并在室温下保持一小时。之后移除胶粘片，使用显 微镜观察已从上移除金属引线框的胶粘片的表面，从而确定是否有胶粘剂成分残留在表面 上。〇无残渣Δ 每1000个封装物有少于10个带有残渣的封装物X 每1000个封装物有10个以上带有残渣的封装物_ 不能确定[试验例4树脂渗漏试验]使用显微镜观察在上述试验例3中的引线框和胶粘片的表面，对具有密封树脂渗 漏于其上的封装物数目进行计数并作为树脂渗漏数目。〇每1000个封装物少于1个树脂渗漏Δ 每1000个封装物1至5个树脂渗漏X 每1000个封装物有5个以上树脂渗漏_:不能确定[试验例5重量减少试验]从根据实施例1至2和比较例1至3制备的胶粘片可获得胶粘剂，并且可使用热 重分析(TGA)在高温下测量这些胶粘剂的重量减少。测量条件为温度以10°C /分钟的速 率从室温升至250°C。相对于试验开始时的重量，以百分数(％ )测量重量减少。[试验例6耐氧化性试验]通过将根据实施例1至2和比较例1至3制造的胶粘片粘贴至普通的铜引线框， 从而对引线框的表面进行掩蔽，并施加175°C的热30分钟。之后，从其中剥离胶粘片并使用 显微镜观察被掩蔽过的表面，从而确定表面是否被氧化。特别地，可以比较未用胶粘片掩蔽 的表面和使用胶粘片掩蔽的表面。〇未氧化X 发生氧化一不能确定[表1]
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权利要求
1.一种利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法，所述方法包含如下工序(a)准备金属引线框；(b)将半导体芯片安装至金属引线框上；(c)通过导线将金属引线框的引线与半导体芯片连接；(d)利用耐热胶粘片，对具有安装于其上的半导体芯片和连接于其上的导线的金属引 线框进行粘贴和层压；(e)利用密封树脂密封半导体芯片；和(f)在密封完成后移除耐热胶粘片。
2.权利要求1所述的方法，其中所述耐热胶粘片包含耐热衬底；和耐热胶粘剂层，所述耐热胶粘剂层具有包含涂布在所述衬底至少一侧上的能量束固化 性低聚物树脂、能量束引发剂、热固性丙烯酸类胶粘树脂和热固化剂的组成。
3.权利要求2所述的方法，其中所述耐热衬底为选自如下的至少一种膜聚酯、聚酰亚 胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚醚酰胺、聚萘二甲酸乙 二醇酯、聚丙烯和聚碳酸酯。
4.权利要求2所述的方法，其中所述耐热胶粘剂层具有1μ m 50 μ m的厚度。
5.权利要求2所述的方法，其中根据设计目的，使用耐热胶粘剂层的一种能量束固化 性低聚物树脂或将两种以上能量束固化性低聚物树脂组合使用，并且相对于每100重量份 热固性丙烯酸类胶粘树脂，所述能量束固化性低聚物树脂的用量为0. 1至40重量份。
6.权利要求2所述的方法，其中所述热固性丙烯酸类胶粘树脂具有40，000至 3, 000, 000的重均分子量。
7.权利要求2所述的方法，其中根据设计目的，使用耐热胶粘剂层的一种能量束引发 剂或将两种以上能量束引发剂组合使用，并且相对于每100重量份能量束固化性低聚物树 脂，所述能量束引发剂的用量为0. 01至20重量份。
8.权利要求2所述的方法，其中当温度以10°C/分钟的速率从室温升至250°C时，所述 耐热胶粘剂层的重量减少低于5%。
9.权利要求2所述的方法，其中在将耐热胶粘片粘贴至金属表面之后，所述耐热胶粘 片保护金属表面，使得在250°C的高温下不在金属表面发生氧化。
10.权利要求2至9任一项所述的方法，其中所述耐热胶粘片通过耐热胶粘剂层的润湿 性进行粘贴而无需应用辊压或热压，并且当耐热胶粘片粘贴至铜箔并在室温下保持10分 钟后，所述耐热胶粘片具有1克力/英寸至500克力/英寸的粘附强度。
全文摘要
本发明提供利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法，所述方法包含如下工序(a)准备金属引线框；(b)将半导体芯片安装至金属引线框上；(c)通过导线将金属引线框的引线与半导体芯片连接；(d)利用耐热胶粘片对具有安装于其上的半导体芯片和连接于其上的导线的金属引线框进行粘贴和层压；(e)利用密封树脂密封半导体芯片；和(f)在密封完成后移除耐热胶粘片。
文档编号H01L21/50GK102136432SQ20101024339
公开日2011年7月27日 申请日期2010年7月30日 优先权日2010年1月26日
发明者全海尚, 崔城焕, 文基祯, 朴允敏, 沈昌勋 申请人:东丽世韩株式会社