专利名称：树脂，抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
技术领域：
本发明涉及树脂，抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法。
背景技术：
在采用光刻技术的半导体的微制造中使用的抗蚀剂组合物含有树脂。在专利文献JP2006-276851-A中描述了一种具有下面的结构单元的树脂和一种
含有该树脂的化学放大型光致抗蚀剂组合物。
权利要求
1.一种树脂，所述树脂包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元；
2.根据权利要求1所述的树脂，其中由式(I)表示的化合物是由式(III)表示的化合物；
3.根据权利要求1或2所述的树脂，其中所述由式(I)表示的化合物是由式(IV)表示 的化合物；其中R9表示氢原子，卤素原子或任选具有一个或多个卤素原子的C1至C6烷基； R10至R19独立地表示氢原子，或C1至C12烃基，并且Riq至R19中的至少两个可以结合在 一起形成C3至C24环，包含在所述烃基或所述环中的一个或多个氢原子可以被卤素原子，羟 基，C1至C12烷基，C1至C12烷氧基，C2至C4酰基或C2至C4酰氧基代替，并且包含在所述烃
4.根据权利要求1至3中任一项所述的树脂，其中所述由式(I)表示的化合物是由式 (VI)表示的化合物；
5.根据权利要求1所述的树脂，其中由式⑴表示的化合物是由式(V)表示的化合物；
6.根据权利要求1所述的树脂，其中由式(I)表示的化合物是由式(VII)表示的化合物；
7.根据权利要求1至6中任一项所述的树脂，所述树脂包含酸不稳定基团，并且不溶或 难溶于碱水溶液，但是通过酸的作用变得可以溶于碱水溶液。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的树脂，其中所述树脂包含衍生自由式(I)表示 的化合物的结构单元和衍生自由式(III)表示的化合物的结构单元；其中R41表示氢原子，卤素原子或任选具有一个或多个卤素原子的C1至C6烷基； Z1表示二价C1至C17饱和烃基，并且包含在所述饱和烃基中的一个或多个-CH2-可以 被-0-，-CO-或-S-代替；
9.根据权利要求1至8中任一项所述的树脂，其中所述树脂包含衍生自由式(I)表示 的化合物的结构单元和衍生自由式(Π2)表示的化合物的结构单元；其中R41表示氢原子，卤素原子或任选具有一个或多个卤素原子的C1至C6烷基； Z1表示二价C1至C17饱和烃基，并且包含在所述饱和烃基中的一个或多个-CH2-可以 被-0-，-CO-, -S-或-N (R45)-代替； R45表示氢原子或C1至C6烷基；T表示含有-SO2-作为骨架的杂环基，包含在所述杂环基中的一个或多个氢原子可 以被卤素原子，羟基，C1至C12烷基，C1至C12烷氧基，C6至C12芳基，C7至C13芳烷基，缩 水甘油基氧基或C2至C4酰基代替，并且包含在所述杂环基中的一个或多个-CH2-可以 被-C0-, -0-，-S-, -SO2-或-N(R4s)-代替。
10.根据权利要求9所述的树脂，其中T是具有降冰片烷骨架的基团。
11.根据权利要求9所述的树脂，其中T是由式(T3)表示的基团；
12.根据权利要求1至11中任一项所述的树脂，其中所述树脂包含衍生自由式(I)表 示的化合物的结构单元和衍生自由式(Π3)表示的化合物的结构单元；
13.根据权利要求12所述的树脂，其中T是具有降冰片烷骨架的基团。
14.根据权利要求12所述的树脂，其中T是由式(T3)表示的基团
15.根据权利要求1至14中任一项所述的树脂，其中所述树脂包含衍生自由式(I)表 示的化合物的结构单元和衍生自由式(Π4)表示的化合物的结构单元；
16. 一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物包含根据权利要求1至15中任一项所述的 树脂，以及酸生成剂。
17.根据权利要求16所述的抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。
18. 一种用于制造抗蚀剂图案的方法，所述方法包括以下步骤(1)将根据权利要求16或17所述的抗蚀剂组合物涂覆到基底上；(2)干燥涂覆的组合物以形成组合物层；(3)使用曝光装置将所述组合物层曝光；(4)烘焙经曝光的组合物层，和(5)使用显影设备将经烘焙的组合物层显影。
全文摘要
本发明提供一种树脂，所述树脂包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元，其中R1表示氢原子，卤素原子或任选具有一个或多个卤素原子的C1至C6烷基；X1表示C2至C36杂环基，包含在所述杂环基中的一个或多个氢原子可以被卤素原子，羟基，C1至C24烃，C1至C12烷氧基，C2至C4酰基，C2至C4酰氧基代替，并且包含在所述杂环基中的一个或多个-CH2-可以被-CO-或-O-代替。
文档编号H01L21/027GK102002121SQ201010269819
公开日2011年4月6日 申请日期2010年8月31日 优先权日2009年8月31日
发明者向井优一, 市川幸司, 釜渊明 申请人:住友化学株式会社