一种大功率led芯片封装方法

文档序号:6957553阅读:85来源:国知局
专利名称:一种大功率led芯片封装方法
技术领域
本发明涉及一种大功率LED芯片封装方法。
背景技术
发光二极管(LED),是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。经过封 装的LED其心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连 接电源的正极,并使整个晶片被环氧树脂封装起来。现有LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的。封装的 作用主要是保护管芯(即LED芯片)和完成电气互连,保护管芯正常工作。随着LED的亮度越来越高,LED已被广泛地用来照明,在许多照明系统中都已采用 大功率LED作为光源,如大功率LED路灯等。因此,大功率LED的封装技术逐渐发展起来。现有普通大功率LED的常规封装方法中,在LED芯片按放的位置上点上银胶;把 LED芯片放置在银胶上;烘烤,固化银胶,大功率LED芯片上的电极和支架之间用金丝焊接 的方法来连接;封装方法复杂,成本高,加工出来的LED芯片使用寿命短,不易进行故障检 测。

发明内容
本发明的目的是提供一种大功率LED芯片封装方法,封装方法简单,成本低,以克 服现有大功率LED芯片封装方法存在的上述问题。本发明的目的是通过以下技术方案来实现 一种大功率LED芯片封装方法,包括以下步骤
1)首先按照需要设计好PCB板或铝基板,然后在PCB板或铝基板上设置LED芯片安放 的位置和电极的位置;
2)经过步骤1)设置好电极以后,在涂金的电极上点上银胶,银胶可导电,并有足够力量 固定LED芯片;
3)经过步骤2)处理好电极以后,将7个LED芯片正确倒装在PCB板或铝基板上,使LED 芯片之间进行串联连接,同时在LED芯片上加压,使LED芯片与电极紧密连接;
4)将经过步骤3)处理后的PCB板或铝基板在温度为150°C的条件下烘烤2小时;
5)经过步骤4)烘烤PCB板或铝基板以后,在各LED芯片的外围圆线上点上围墙胶;同 时在围墙胶的外侧分别设置与LED芯片连接的电极,用于进行单个LED芯片测试;如果某一 个或几个LED芯片出现故障,短路相应的电极,其余整个LED芯片还可以正常工作;
6)将设置围墙胶的PCB板或铝基板在温度为150°C的条件下烘烤30分钟;使围墙胶固
化;
7)围墙胶固化以后在圆线的内部均勻点上硅胶和一定比例荧光粉;
8)将经过步骤7)处理后的PCB板或铝基板在温度为120°C的条件下烘烤2小时,使荧 光粉和硅胶固化;9)荧光粉和硅胶固化以后,配上散热器和驱动电源。在上述大功率LED芯片封装方法中,所述圆线的直径为13. 5mm,所述围墙胶高度 为 0. 5mmο本发明的有益效果为封装方法简单,封装时不需要金丝焊接,大大降低了成本, 加工出来的LED芯片使用寿命长,整个电路采用串联技术,围墙胶外的电极可进行单个LED 芯片测试;如果某一个或几个LED芯片出现问题,短路相应的电极,其余整个LED芯片还可 以正常工作;采用本发明LED芯片封装方法加工LED灯,节能环保,性价比高,使用方便,可 耐200度以下温度,LED芯片封装方法节约了 LED芯片的使用空间,使其在芯片上有更多技 术开发的潜力。


下面根据附图对本发明作进一步详细说明。图1是本发明实施例所述的大功率LED芯片结构示意图。
具体实施例方式如图1所示,本发明实施例所述的一种大功率LED芯片封装方法,包括以下步骤
1)首先按照需要设计好PCB板或铝基板1,然后在PCB板或铝基板1上设置LED芯片 2安放的位置和电极3的位置;
2)经过步骤1)设置好电极3以后,在涂金的电极3上点上银胶,银胶可导电,并有足够 力量固定LED芯片2 ;
3)经过步骤2)处理好电极3以后,将7个LED芯片2正确倒装在PCB板或铝基板1 上,使LED芯片2之间进行串联连接,同时在LED芯片2上加0. 1千克力左右的压力,使LED 芯片2与电极3紧密连接;
4)将经过步骤3)处理后的PCB板或铝基板1在温度为150°C的条件下烘烤2小时;
5)经过步骤4)烘烤PCB板或铝基板1以后,在各LED芯片2的外围圆线4上点上围 墙胶;同时在围墙胶的外侧分别设置与LED芯片2连接的电极,用于进行单个LED芯片2测 试;如果某一个或几个LED芯片2出现故障,短路相应的电极,其余整个LED芯片2还可以 正常工作;
6)将设置围墙胶的PCB板或铝基板1在温度为150°C的条件下烘烤30分钟;使围墙胶 固化;
7)围墙胶固化以后在圆线4的内部均勻点上硅胶和一定比例荧光粉;
8)将经过步骤7)处理后的PCB板或铝基板1在温度为120°C的条件下烘烤2小时,使 荧光粉和硅胶固化;
9)荧光粉和硅胶固化以后,配上散热器和驱动电源。在上述大功率LED芯片封装方法中,所述圆线4的直径为13. 5mm,所述围墙胶高度 为 0. 5mmο本发明封装方法简单,封装时不需要金丝焊接,大大降低了成本,加工出来的LED 芯片使用寿命长,整个电路采用串联技术,围墙胶外的电极可进行单个LED芯片测试;如果 某一个或几个LED芯片出现问题,短路相应的电极,其余整个LED芯片还可以正常工作。采用本发明LED芯片封装方法加工LED灯,节能环保,性价比高,使用方便,可耐200度以下温 度,LED芯片封装方法节约了 LED芯片的使用空间,使其在芯片上有更多技术开发的潜力。
权利要求
1.一种大功率LED芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤1)按照需要设计PCB板或铝基板,在PCB板或铝基板上设置LED芯片安放的位置和电 极的位置;2)经过步骤1)设置好电极以后,在涂金的电极上点上银胶,银胶可导电,并有足够力量 固定LED芯片;3)经过步骤2)处理好电极以后,将若干LED芯片正确倒装在PCB板或铝基板上,使LED 芯片之间进行串联连接,同时在LED芯片上加压,使LED芯片与电极紧密连接;4)将经过步骤3)处理后的PCB板或铝基板在温度为150°C的条件下烘烤2小时;5)经过步骤4)烘烤PCB板或铝基板以后,在各LED芯片的外围圆线上点上围墙胶;6)将设置围墙胶的PCB板或铝基板在温度为150°C的条件下烘烤30分钟;使围墙胶固化;7)围墙胶固化以后在圆线的内部均勻点上硅胶和一定比例荧光粉;8)将经过步骤7)处理后的PCB板或铝基板在温度为120°C的条件下烘烤2小时,使荧 光粉和硅胶固化;9)荧光粉和硅胶固化以后,配上散热器和驱动电源。
2.根据权利要求1所述的大功率LED芯片封装方法,其特征在于,在步骤5)中在围 墙胶的外侧分别设置与LED芯片连接的电极,用于进行单个LED芯片测试及短路发生故障 的LED芯片。
3.根据权利要求1所述的大功率LED芯片封装方法,其特征在于所述LED芯片的个 数为7个,所述圆线的直径为13. 5mm,所述围墙胶高度为0. 5mm。
全文摘要
本发明涉及一种大功率LED芯片封装方法,包括以下步骤首先按照需要设计好PCB板或铝基板;设置好电极以后,在涂金的电极上点上银胶;将若干LED芯片正确倒装在PCB板或铝基板上;将处理后的PCB板或铝基板在温度为150℃的条件下烘烤2小时;烘烤PCB板或铝基板以后,在各LED芯片的外围圆线上点上围墙胶;围墙胶固化以后在圆线的内部均匀点上硅胶和一定比例荧光粉;荧光粉和硅胶固化以后,配上散热器和驱动电源。本发明的有益效果为封装时不需要金丝焊接,大大降低了成本,整个电路采用串联技术,围墙胶外的电极可进行单个LED芯片测试;如果某一个或几个LED芯片出现问题,短路相应的电极,其余整个LED芯片还可以正常工作,使用方便。
文档编号H01L33/48GK102064248SQ20101056534
公开日2011年5月18日 申请日期2010年11月29日 优先权日2010年11月29日
发明者张兴, 彭治军, 舒红斌 申请人:浙江九星科技有限公司
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