专利名称：垂直式发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种垂直式发光二极管，特别是指一种可提升发光效率以及提升电流分布均勻性的发光二极管。
背景技术：
在中国台湾，发光二极管发展的非常迅速，不管是大至街道上的显示广告牌，或小至手机的指示灯，都已逐渐由LED取代传统光源，原因很简单，因为较省电，使用寿命长以及体积小...等优点，然而，该发光二极管的成品与工艺虽然已趋向稳定，但还是会有缺失，如图4及图5所示，为公知的发光二极管使用状态图，例如一 P型外延层61、一发光层 62、一 N型外延层63、一缓冲层64、一基板65、一 P型电极66以及一 N型电极67，其晶粒制作为在基板65上以有机金属化学气相沉积法依序外延成长该缓冲层64、N型外延层63、发光层62以及P型外延层61，最后再电性耦合P型电极66以及N型电极67，完成整个工艺， 其中，该P型电极66呈米字型661，该P型电极66的焊点662设置在米字型661的中心区域，接着要进行封装，将该发光二极管固定于一座体4内，该座体4内设有至少二导线架41， 且该至少二导线架41延伸至该座体4外，利用金线5的两端分别与P型电极66及导线架 41焊接，由于金线5与P型电极66互相焊接的位置位于发光二极管的中心区域，当发光二极管在发光时，会因为金线5遮蔽而产生阴影，导致发光效率减弱。因此，如何设计出一种发光二极管在发光时，可让提升发光效率的本实用新型，为本实用新型创作人所亟欲解决的一大课题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种高功率垂直式发光二极管，以提高发光效率。为实现上述目的，本实用新型提供的一种垂直式发光二极管，其包括一外延芯片；— P型电极，形成于该外延芯片上，该P型电极与该外延芯片电性耦合，该P型电极设有复数个焊点，各该焊点位在该外延芯片的周缘；以及一 N型电极，形成于该外延芯片上，该N型电极与该外延芯片电性耦合。所述的垂直式发光二极管，其中该外延芯片由P型外延层、发光层以及N型外延层由上而下依序结合而成。所述的垂直式发光二极管，其中该P型电极设置于P型外延层表面。所述的垂直式发光二极管，其中该P型外延层为铝砷化镓层。所述的垂直式发光二极管，其中N型电极设置于N型外延层的底面。所述的垂直式发光二极管，其中该N型外延层为铝砷化镓层。本实用新型的效果是1)由P型电极的特殊设计，使得金线与P型电极连结的位置在外延芯片的周缘，可减少遮光，亦可缩短金线的使用长度，以达到提升发光效率及降低成本的功效。
3[0016]2)由P型电极呈网状线路的特殊设计，以达到提升电流分布均勻性的功效。
图1为本实用新型的高功率垂直式发光二极管的主视图。图2为本实用新型的高功率垂直式发光二极管的俯视图。图3为本实用新型的高功率垂直式发光二极管的使用状态图。图4为公知的发光二极管的俯视图。图5为公知的发光二极管的使用状态图。附图中主要组件符号说明1-外延芯片；Il-P型外延层；12-发光层；13-N型外延层；2_P型电极；21-网状线路；22-焊点；3-N型电极；4-座体；41-导线架；5-金线；61-P型外延层；62-发光层；63-N 型外延层；6-缓冲层；65-基板；66-P型电极；661-米字型；662-焊点；67-N型电极。
具体实施方式
本实用新型提供的高功率垂直式发光二极管，包括一外延芯片、一 P型电极以及一 N型电极，该P型电极形成于该外延芯片上，该P型电极与该外延芯片电性耦合，该P型电极呈网状线路，该P型电极设有复数个焊点，各该焊点位在该外延芯片的周缘，该N型电极形成于该外延芯片上，该N型电极与该外延芯片电性耦合，在封装时，因金线(或其它金属导线)的一端与该P型电极的焊点连结，该金线的另一端与导线架连结，该金线则座落在该外延芯片的周缘，于是当本实用新型发光时，因无金线遮蔽，可减少遮光，提升发光效率， 同时也缩短金线的使用长度，可降低成本，并且也因该P型电极的网状线路设计，以达到电流分布均勻的功效。为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，惟附图仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。请参阅图1及图2所示，为本实用新型高功率垂直式发光二极管的主视图及俯视图，该高功率垂直式发光二极管包括一外延芯片1、一 P型电极2 (P Electrode)以及一 N 型电极 3 (N Electrode)。该外延芯片1具有一 P型外延层11、一发光层12以及一 N型外延层13，是由上而下依序结合而成(亦可由不型态的外延层形成，不以此为限)，该P型电极2形成于该外延芯片1上，该P型电极2与该外延芯片1电性耦合，该P型电极2呈网状线路21，该P型电极2设有复数个焊点22，各该焊点22是位于该外延芯片1的周缘，该N型电极3形成于该外延芯片1上，该N型电极3与该外延芯片1电性耦合。其中，该P型电极2设置在P型外延层11表面，该P型外延层11可为铝砷化镓层 (AlGaAs P Epi. Layer)，该N型电极3设置在N型外延层13的底面，该N型外延层13为铝砷化镓层(AlGaAs N Epi. Layer)。请参阅图2及图3所示，为本实用新型高功率垂直式发光二极管的使用状态图， 是于本实用新型高功率垂直式发光二极管制作完成后进行封装工艺，将该高功率垂直式发光二极管固定于一座体4内，该座体4内设有至少二导线架41，该至少二导线架41延伸至该座体4外，再将金线(或其它金属导线)5的一端连结到本实用新型的P型电极2的焊点22，该金线5的另一端则与导线架41连结，最后模造是利用环氧树脂(印oxy)、硅胶 (silicone)、陶瓷或其它等效的材料将该高功率垂直式发光二极管及导线架4封装，由于金线5是与位于外延芯片1的周缘的焊点22连结，有别于公知技术，以致该发光二极管发光时，不会有该金线5的遮蔽而产生的阴影，减少遮光，以达提升发光效率的功效，同时也缩短金线的使用长度，可降低成本。综上所述，本实用新型的高功率垂直式发光二极管的特点在于由P型电极2的特殊设计，使得金线5与P型电极2连结的位置在外延芯片1的周缘，可减少遮光，亦可缩短金线的使用长度，以达到提升发光效率及降低成本的功效，再由P 型电极2呈网状线路21的特殊设计，以达到提升电流分布均勻性的功效。以上所述，仅为本实用新型的较佳可行实施例而已，非因此即局限本实用新型的专利范围，举凡运用本实用新型说明书及附图内容所为的等效结构变化，均理同包含于本实用新型的权利要求范围内。
权利要求1.一种垂直式发光二极管，其特征在于，包括 一夕卜延芯片；一 P型电极，形成于该外延芯片上，该P型电极与该外延芯片电性耦合，该P型电极设有复数个焊点，各该焊点位在该外延芯片的周缘；以及一 N型电极，形成于该外延芯片上，该N型电极与该外延芯片电性耦合。
2.如根据权利要求1所述的垂直式发光二极管，其特征在于，其中该外延芯片由P型外延层、发光层以及N型外延层由上而下依序结合而成。
3.如根据权利要求2所述的垂直式发光二极管，其特征在于，其中该P型电极设置于P 型外延层表面。
4.如根据权利要求1所述的垂直式发光二极管，其特征在于，其中该P型外延层为铝砷化镓层。
5.如根据权利要求2所述的垂直式发光二极管，其特征在于，其中N型电极设置于N型外延层的底面。
6.如根据权利要求1所述的垂直式发光二极管，其特征在于，其中该N型外延层为铝砷化镓层。
专利摘要一种垂直式发光二极管，包括一外延芯片、一P型电极以及一N型电极，该P型电极形成于该外延芯片上，该P型电极与该外延芯片电性耦合，该P型电极呈网状线路，该P型电极设有复数个焊点，各该焊点位在该外延芯片的周缘，该N型电极形成于该外延芯片上，该N型电极与该外延芯片电性耦合，在封装时，因金线的一端与该P型电极的焊点连结，该金线(或其它金属导线)的另一端与导线架连结，该金线则座落在该外延芯片的周缘，于是当本实用新型发光时，因无金线遮蔽，可减少遮光，亦可缩短金线的使用长度，以达到提升发光效率及降低成本的功效，并且也因该P型电极的网状线路设计，以达到电流分布均匀的功效。
文档编号H01L29/06GK201946600SQ20102069614
公开日2011年8月24日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者杨政达, 温祥一, 龚正 申请人:鼎元光电科技股份有限公司