电致发光器件的加强对置电极的制作方法

专利名称：电致发光器件的加强对置电极的制作方法
技术领域：
本发明涉及电致发光器件(例如，OLED器件)的领域，其中，对置电极由具有比对置电极的硬度更大的硬度的至少一个附加层来加强。
背景技术：
传统的 电致发光(EL)器件通常通过在透明衬底(例如，通过其发射光的玻璃和聚合物箔)上沉积电极和所需要的(多个)薄电致发光层来制作。当大约2和10伏特之间的电压施加在两个电极之间时，电致发光层或者层的堆叠发射光。在这种EL器件中，沉积到衬底上的电极-通常称为衬底电极以及也通常形成阳极-可以被沉积为导电然而光学透明的氧化物的薄层，通常为氧化铟锡(IT0)。与衬底电极相对的电极-通常称为对置电极以及也通常形成阴极-通常通过在(多个)电致发光层的沉积之后蒸镀具有大约IOOnm厚度的铝或者银层来形成。在另一类型的EL器件中，非透明的铝电极由半透明的、薄银电极来代替。在该情形中，可以制造具有大约2/3 (即，大约66%)的透明度的透明EL器件。这些EL器件从前面(即，通过衬底)以及从后面(即，通过银电极)都发射光。两种类型的对置电极都极端敏感，因此，它们不能由导线等来触碰，例如，以便于与器件电接触，而不划伤并且因而损坏EL器件。对置电极的该敏感性是由于用作导体和/或光反射器的软金属。对置电极的这些特性特别地引起以下不利的结果
由导电胶接触对置电极需要在两个电极之间的特别的胶或者保护性隔离层，否则将出现短路。当常常与这种EL器件一起使用的罩盖甚至轻微地触碰对置电极时，将出现短路。当消气剂(getter)材料触碰对置电极时，将出现短路。

发明内容
本发明的目的是提供一种具有加强的并且因而更不敏感的对置电极的EL器件。本发明的另外的目的是提出一种用于生产这种EL器件的方法。该目的是通过根据所附独立权利要求的EL器件和方法来实现。具体地，提供了一种EL器件，包括衬底和在其上按提及顺序堆叠的第一透明电极、电致发光堆叠和第二电极，其中，该EL器件还包括至少一个附加硬层，其是a)位于第二电极的下面和/或第二电极的上面，以及b)具有大于第二电极硬度的硬度。借助于这样至少一个附加硬层，第二电极(即，对置电极)被有益地加强，从而导致了较不敏感的对置电极。而且，(多个)附加硬层考虑到在其中防止短路的EL器件的装配。特别地，实际上使用任何可以得到的导电胶来接触对置电极成为了可能。甚至这种胶可以与传统的EL器件一起使用，其在两个电极之间需要附加的保护性隔离层。此外，当对置电极由罩盖和/或消气剂材料触碰时，附加的硬层防止其受损害。而且，由于更不敏感的对置电极，现在可以利用探针来接触EL器件，以检查适当的运行。这在生产EL器件过程中极度有益，以便于选择和挑选出不良的EL器件或者质量差的器件。EL器件可以是本领域普通技术人员已知的任何EL器件和/或基于电致发光二极管生成光的任何器件。优选地，EL器件是有机EL器件，S卩，OLED器件。在另外的实施例中，本发明的EL器件用作光源、灯或者由光源、灯所包括，或由监视器、开关或者显示器所包括。因而，同样，包括该创新性EL器件的光源、灯、监视器、开关和显示器由本发明所包含。以下，有机EL器件的基础结构被描述包括衬底和在其上堆叠的第一透明电极、有机电致发光堆叠、和第二电极。然而，EL器件的各种其它基础结构，以及特别是有机EL器件，对于本领域普通技术人员是已知的，所有的这些结构意味着由本发明所包含。典型的基础EL器件包括两个电极，即，阳极和阴极，其中，阳极通常设置在例如玻璃或者柔性聚乙烯对苯二甲酯(PET)箔的衬底上。在透明衬底电极的上面，EL堆叠被设置包括至少一个发射器层，该发射器层包括至少一种类型的EL分子。第二电极(即，充当对置电极的阴极)设置在所述电致发光堆叠上面。本领域普通技术人员将认识到以下事实各种其它层可以被合并用于生产这种EL器件，例如，可以接触阳极的空穴传输层、可以接触 阴极的电子传输层、空穴注入层-优选地由聚(3，4-乙撑二氧噻吩)或者聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT或者PSS)制成-设置在阳极与空穴传输层和/或电子注入层之间-优选地由氟化锂或者氟化铯制成的非常薄的层-设置在电子传输层和阴极之间。而且，对于本领域普通技术人员已知的是，EL器件可以包括在其中存在多于一个发射器层的EL堆叠。在一个实施例中，EL器件是OLED器件，S卩，电致发光的发射层包括有机分子。在另外的优选实施例中，有机分子包括聚合物(PLED)或者小分子(SM0LED)。在另一个优选的实施例中，EL器件是磷光性的有机发光二极管(PHOLED)器件。本发明不限于所提供的特定有机分子，它们适于在EL器件中用作电致发光分子。各种电致发光和/或有机电致发光分子对本领域普通技术人员是已知的，所有的这些意味着由本发明所包含。正如在本发明中所使用的，“电致发光分子”优选地意味着“有机电致发光分子”。在优选的实施例中，PLED的聚合物是共轭聚合物(conjugated polymer),例如,聚对苯乙烯(poly (p-phenylen-vinyls) ) (PPV)的衍生物，并且SMOLED的小分子是有机金属螯合物,例如，比如Alq3,和/或共轭树状聚合物(conjugated dendrimers)。衬底优选地是透明的，并且可以包括对于本领域普通技术人员已知的任何合适材料。在本发明中，术语“透明”指的是50%的可见范围的光在给定材料(例如，衬底或者电极)中的透射。残留的光因而或者被反射和/或被吸收。“透明”包括“半透明”，其指的是呈现彡10%和<50%之间在可见范围的光透射的材料。因而，在参阅“透明”材料的任何时候，如果不以其它方式来陈述，这也明确地公开了“半透明”材料。优选地，可见范围中的光具有在彡450nm且彡700nm的波长。因而，例如，透明衬底或者电极吸收和/或反射少于50%的入射光。在本发明的优选实施例中，衬底由玻璃、塑料、陶瓷制成，和/或包括金和银中至少一个。用于衬底的另外的优选材料包括聚合物薄板或者箔，更优选地具有合适的水分和氧气屏障，以本质上防止水分和/或氧气进入EL器件。衬底可以还包括附加层，比如，出于光学的目的，例如，光外耦合增强，等等。衬底可以具有任何合适的几何外形、形状或者形式，但是优选的是扁平的，并且如果利用柔性材料，可以被成形为或者弯成所需要的任何三维形状。
电极可以由本领域普通技术人员已知的任何合适材料制成。在优选的实施例中，第一电极(S卩，衬底电极)是透明电极。在本发明另外的优选实施例中，衬底电极包括透明的导电氧化物(TC0)，更优选地，氧化铟锡(IT0), ZnO、或者掺杂的ZnO。可选地，衬底电极底涂有Si02和/或SiO，以有益地抑制移动原子或者离子从衬底向电极内的扩散。包括TCO的电极优选地具有彡60%且彡100%的透明度，更优选地，彡70%且< 90%，最优选地，大约80%在本发明的另外的实施例中，第二电极(S卩，对置电极)是非透明的Al电极或者透明的Ag或Au电极。优选地，这种薄膜电极在Al的情况下具有大约IOOnm的厚度或者在Ag或Au的情况下具有彡3nm且< 20nm,更优选地彡5nm且< 15nm以及最优选的大约彡8且(IOnm的厚度。包括薄金属层(例如，Ag或Au层)的透明电极优选地具有彡50%且彡100%,更优选地彡60%且彡80%,以及最优选地大约66%的透明度。在另外的优选实施例中，设置到衬底上的第一透明电极(即，前面或者衬底电极)是阳极，并且设置到EL堆叠上的第二透明电极(S卩，对置或者后电极)是阴极。电极可以经由电导体与电压/电流源连接。EL堆叠可以是本领域普通技术人员已知的任何EL堆叠，和/或适于EL器件。如上所述，EL堆叠包括至少一个EL发射器层，其包括EL分子。单一 EL发射器层优选地具有大约IOnm的厚度。优选的EL堆叠包括超过一个的EL层，每一个EL层包括至少一种类型的EL分子。优选地，EL层发射不同颜色的光。如果需要颜色可调的EL器件，这是特别有益的。在本发明的另外的实施例中，EL堆叠包括具有不同发射颜色的至少两个EL发射层。这意味着如果本发明的EL器件通过应用电压/电流来诱导发射光，至少两个发射层中的每一个将以不同的波长发射光。不同的发射颜色通常通过使用由EL发射层所包括的不同EL分子来获得。每一个EL发射层可以包括单一或者超过一种类型的EL分子。在更优选的实施例中，EL堆叠包括分别发射红色、绿色和蓝色光的三个EL发射层。本发明的EL设备还包括至少一个附加硬层，其位于第二电极下面和/或第二电极上面。这种附加硬层具有如下优点对置电极被加强，其导致了更不敏感的对置电极。此夕卜，EL器件可以被更容易地装配且不生成短路有益地，与传统的EL器件一起使用多个导电胶来接触对置电极成为了可能，这在两个电极之间需要附加的保护性隔离层。作为另外的优点，附加硬层防止罩盖和/或消气剂材料触碰对置电极。硬层可以位于第二电极下面(S卩，比第二电极更靠近第一电极)和/或第二电极上面(即，在第二电极上方)，由此背向第一电极并且被安置距离第一电极比第二电极更远。在优选的实施例中，硬层直接位于第二电极下面和/或上面，即，附加硬层的表面与第二电极表面物理接触。在更优选的实施例中，存在两个附加硬层，其中，第一硬层位于第二电极的下面并且第二硬层位于第二电极的上面。可以存在另外的硬层。在本发明的另外实施例中，至少一个附加硬层的厚度是> 5nm且< IOy m，优选地彡IOnm且< 10 V- m,甚至更优选地彡20nm且< I y m。
本发明的EL器件的至少一个附加层具有大于第二电极硬度的硬度。如在本发明中所使用的术语“硬度”指的是固态材料对永久变形的阻力。硬度可以基于莫氏硬度标或者各种其它的标度来测量，例如，洛氏、维氏、以及布氏硬度标。用于测量材料硬度的这些方法对于本领域普通技术人员是众所周知的。在另一个优选的实施例中，附加层的硬度是> 2. 75，其基于莫氏硬度标是铝的硬度，并且< 10，优选地彡3且< 9，或者更优选地彡3且< 7。保护层所要求的厚度和所要求的硬度取决于所使用的导电胶的类型。通常，这些胶被应用时不导电。在硬化期间，聚合物基质收缩并且导电颗粒被彼此挤压成与待连接层紧密接触。该收缩引起了待连接的导电颗粒和导电表面之间的渗透路径的形成。保护层的厚度和硬度现在取决于胶的收缩特性以及取决于导电颗粒的硬度。实际上，最容易的是，对于某个导电胶，制作厚度系列以测试哪个厚度是所需要的。利用来自Circuit works的导电的环氧树脂CW2400，大约300到400nm的铜层足以防止OLED器件损坏。本领域普通技术人员知道可以被使用以便于生产根据本发明的附加硬层的大量材料。优选的这种材料可以通过气相沉积技术、更优选地通过物理或者化学气相沉积技术来沉积。在另外的优选实施例中，材料适于通过热蒸发、在真空中热蒸发、由电子束蒸发的蒸发或者溅射来沉积。在本发明的优选实施例中，用于位于第二电极上面的硬层的材料是化学上惰性的材料。这具有如下优点大量在其他情况下会破坏第二电极的导电胶可以被使用，以及消气剂材料的消气剂颗粒保持不与第二电极接触。可以用于附加硬层的化学上惰性的材料的特别优选实例是氟化物和/或氧化物。在另外的实施例中，用于硬层的材料是电学上导电或者不导电的材料，S卩，绝缘体。在本发明的优选实施例中，附加硬层包括半导体金属氧化物(例如，MoO3> WO3>V2O2);硬金属或者金属合金(例如，铜、锰、铬、铁)或者难熔金属(如，钥或钨)；氧化物(如，SiO、Si02、TiO2);氮化物(例如，SiN);或者氟化物(例如，CaF2或者MgF)。如果非导电层用于安置在第二电极上面的附加硬层，可以使用包括与下层的第二电极连接的导电金属的覆盖层。在本发明的特别的优选实施例中，至少一个附加硬层位于第二电极下面，并且由包括至少一个半导体金属氧化物的层构成。出人意料地，这种氧化物比第二电极的金属更硬。更优选地，该半导体金属氧化物从由Mo03、WO3和V2O3所构成的组中选择。附加硬层的这种布置具有如下优点氧化物用作有机层的电荷注入器。因而，该实施例的硬层优选地与有机层直接接触。该实施例的硬层可以覆盖第二电极的一部分或者整个第二电极。优选地，其覆盖第二电极的全部面积。在本发明的另一个特别的优选实施例中，至少一个附加硬层位于第二电极的上面，并且由包括硬金属、金属合金和/或导电的氧化物的导电层构成。优选地，硬金属或者金属合金包括从由Cu、Mn、Cr、Fe、难熔金属、Mb和W所构成的组中选择的至少一个金属。导电的氧化物优选地是W03。该实施例的硬层可以覆盖第二电极的一部分或者整个第二电 极；优选地，其覆盖第二电极的全部面积。因而，该实施例的硬层有益地覆盖和保护敏感的第二电极，并且同时提供装置以与第二电极电接触。在特别优选的实施例中，硬金属施加到具有> 200且< 500nm (优选地，^ 300且< 400nm)厚度的阴极。甚至更优选地，这种硬金
属层包括铜。 在本发明的另外的特别优选的实施例中，至少一个附加硬层位于第二电极的上面，并且由不导电(即，绝缘)层构成，所述不导电层包括从由氧化物、氮化物和氟化物所构成的组中选择的至少一种材料。根据本发明的特别优选的氧化物是SiO、SiO2或者TiO2 ；根据本发明的特别优选的氮化物是=SiN ;本发明的特别优选的氟化物是CaF2和MgF。该实施例的硬层可以覆盖第二电极的一部分或者整个第二电极。优选地，其覆盖少于第二电极的全部面积，以允许硬绝缘层由接触第二电极的另外的导电层(例如，金属层)来封装。因而，最优选地，硬层在中央位置覆盖第二电极并且由类似于缘的不覆盖第二电极的区域来围绕。未覆盖的、类似于缘的区域然后经由另外的导电层被用来接触第二电极。有益地，如果类似于缘的区域尽可能小并且位于第二电极的最外面周边中，接触的另外的导电层保护整个第二电极免受可能在EL器件中存在的消气剂材料。
因而，在另外的优选实施例中，EL器件还包括位于硬层上面的另外导电层，其与第二电极电接触。在本发明特别优选的实施例中，EL器件包括超过一个的附加硬层，即，如以上所述的一个或者多个硬层的组合。更优选地，EL器件包括如上所述的位于第二电极下面的至少一个硬层和如上所述的位于第二电极上面的至少一个另外的硬层-可能具有附加的封装导电层。因而，有益地，位于第二电极下面的硬层的电荷注入效果与位于第二电极上面的硬层的保护效果相结合。在本发明的另一个实施例中，EL器件还包括覆盖装置以-优选气密地-密封EL器件并且保护其免受环境影响，例如，水分和/或气体(比如，氧气)。大量的覆盖装置对于本领域普通技术人员是已知的，并且特别地包括罩盖或者腔体盖。覆盖装置有益地用来与第二电极直接或间接电接触，且它本身可以是导电的和/或提供接触装置，例如，供给槽。本发明的EL器件可以还包括至少一个接触装置，其被布置成将覆盖装置和第二电极电接触。该接触可以直接或者间接来实现。各种接触装置对于本领域普通技术人员是已知的，所有的这些装置意味着由本发明所包含。特别优选的接触装置包括导电胶和/或机械接触装置。导电胶可以用来电接触EL器件。大量合适的导电胶对于本领域普通技术人员是已知的，所有的这些导电胶由本发明所包含。有益地，如果第二电极由位于第二电极上面的附加硬层来保护，那么，可以使用大量的在其他情况下会破坏第二电极的导电胶。可以被使用的特别优选的胶是例如“Circuitworks导电胶CW2400”,填充银颗粒的两个成分的环氧树脂。该胶的优点是它很廉价。在本发明的另一个实施例中，EL器件包括机械接触装置以与第二电极直接或者间接电接触。这种机械接触装置包括导电弹簧、柱和/或间隔物，优选的，软的柱或者间隔物。优选地，覆盖装置封装EL器件，并且在外侧被电接触。至少一个接触装置与覆盖装置的内侧连接，并且触碰第二电极、位于其上的硬层、或者封装硬层的附加导电层。由此，EL器件被电接触。如此处所使用的术语“直接接触”描述了所讨论的部分之间的直接的、物理的连接。如此处所使用的术语“间接接触”描述了所讨论的部分之间的间接连接。例如，如果根据本发明的硬层位于第二电极上面，那么，用作触碰所述硬层的接触装置的弹簧与第二电极间接电接触，同时其与硬层直接电接触。根据本发明的电致发光器件可以还包括消气剂材料。如本领域普通技术人员已知的，消气剂材料是用来去除气体痕量的反应材料，并且用来填充由覆盖装置所生成的腔体。优选的消气剂材料包括CaO，和/或沸石。因为消气剂材料与第二电极的接触将被防止，所以根据本发明的覆盖第二电极的硬层有益地保护敏感的电极。在另一方面，本发明的目的是提出一种生产根据本发明的EL器件的方法，并且该方法包括以下步骤a)提供衬底；以及b)在衬底上按照提及的顺序沉积第一透明电极、电致发光堆叠、以及第二电极，其中，还在第二电极沉积之前和/或之后沉积至少一个附加硬层，以及其中，附加硬层具有比第二电极硬度更大的硬度。沉积步骤可以由任何合适的手段来完成。对于本领域普通技术人员广泛已知的 一组优选沉积技术是气相沉积技术。这种技术包括化学气相沉积(CVD)(例如，低压CVD(LPCVD))或者物理气相沉积(PVD)(例如，溅射或者电子束蒸发)。用来生产位于第二电极下面的附加硬层的材料优选地由真空中的热蒸发来沉积。用来生产位于第二电极上面的附加硬层的材料优选地通过热蒸发、通过电子束蒸发或者通过溅射来沉积。根据本发明的方法的优选实施例对于阅读关于以上EL器件的描述时的本领域普通技术人员将是显而易见的。然而，以下，一些优选的实施例将明确地被公开。在一个实施例中，沉积至少一个硬层以如下方式来完成硬层直接位于第二电极的下面和/或上面。沉积硬层还可以被完成以使得硬层与电致发光堆叠接触。沉积至少一个硬层还可以被实现以使得硬层部分地或者全部地覆盖第二电极。如以上所解释的，层所要求的厚度和硬度取决于所应用的胶的类型。对于Circuitworks导电胶,需要300_400nm的铜来防止OLED器件损坏。本领域普通技术人员认识到实现厚度系列以便于根据实验容易地确定所要求的厚度的可能性。在本发明的另一个实施例中，至少一个半导体金属氧化物(优选地从由Mo03、WO3和V2O3所构成的组中选择)被沉积，以便于形成位于第二电极下面的硬层。在本发明的另外的实施例中，导电层被沉积作为位于第二电极上面的硬层。优选地，从硬金属、金属合金和/或导电氧化物中所选择的至少一种材料被沉积以产生所述层。在本发明的附加实施例中，非导电层(S卩，绝缘层)被沉积作为位于第二电极上面的硬层。优选地，从由氧化物、氮化物和氟化物所构成的组中选择的至少一种材料被沉积以便于产生所述层。更优选地，如果这种非导电硬层被沉积在第二电极上面，另外的导电层沉积在的硬层上面与第二电极电接触。在本发明的特别优选的实施例中，至少两个硬层被沉积，其中，至少一个硬层在第二电极沉积之前被沉积，以及至少一个硬层在第二电极沉积之后被沉积。在本发明的另一个实施例中，该方法还包括利用探针来临时接触EL器件以检查器件的适当运行的步骤。优选地，第二电极上面的保护硬层由探针来接触，即，接触在该硬层沉积之后被实现。这具有如下优点在生产EL器件的过程中，不良的EL器件或者质量差的EL器件可以被探测以及被选出。在本发明的又一个实施例中，该方法还包括向EL器件施加覆盖装置、至少一个接触装置、和/或消气剂材料。


参考以下所述的实施例，本发明的这些和其它方面将是清楚的并且被阐述。在图中 图I示出了根据本发明的EL器件的示意性的横截面视图。图2示出了根据本发明的EL器件的另一个实施例的示意性的横截面视图。图3示出了根据本发明的EL器件的又一个实施例的示意性的横截面视图。
具体实施例方式图I是根据本发明的EL器件的示意性横截面视图。所描绘的EL器件是OLED器件并且包括扁平的玻璃衬底1，透明的ITO阳极2已经通过CVD沉积到所述玻璃衬底I上。在电极的上面已经沉积有OLED堆叠3和Al阴极4。阴极具有大约IOOnm的厚度。OLED器件已经由充当腔体盖装置(means) 7的腔体盖来封装，以气密地密封器件。正如可以从图I中进一步地获得的，OLED器件分别经由腔体盖和阴极被电接触。腔体盖由导电材料(即，金属)制成，并且经由两个接触装置8 (即，已经直接施加到阴极的导电胶9以及触碰腔体盖和导电胶二者的导电弹簧10)间接地与阴极电接触。包括MoO3的单一硬层5具有大约IOOnm的厚度，并且已经通过材料在真空中的热蒸发直接沉积到阴极的下面并且完全覆盖阴极的下表面。硬层与阴极接触。而且，硬层接触OLED堆叠，并且因而提供电荷注入进入电致发光堆叠。图2是根据本发明的EL器件的另一个实施例的示意性的横截面视图。再一次地，所描绘的EL器件是包括扁平的玻璃衬底I的OLED器件，透明的ITO阳极2已经通过CVD沉积到所述玻璃衬底I上。在该第一电极上面已经沉积有电致发光堆叠3和Ag阴极4。阴极具有大约IOOnm的厚度。OLED器件已经由充当覆盖装置7的腔体盖来封装，以气密地密封器件。同样，图2的OLED器件分别经由腔体盖和阴极被电接触。腔体盖由导体材料(即，金属)制成，并且经由两个接触装置8和硬层5与阴极间接地电接触。接触装置是已经直接地施加到单一导电硬层的导电胶9和触碰腔体盖和导电胶二者的导电柱10。单一导电硬层5包括WO3，并且具有大约IOOnm的厚度。其已经通过电子束或者完全覆盖阴极上表面的热蒸发来直接沉积到阴极上面。硬层与阴极接触并且保护性地覆盖敏感的电极。而且，消气剂材料(未示出)存在于由腔体盖所创建的腔体内。图3是根据本发明的EL器件的又一个实施例的示意性的横截面视图。和图I或者2 —样，所描绘的EL器件是包括扁平的玻璃衬底I的OLED器件，透明的ITO阳极2已经通过CVD沉积到所述玻璃衬底I上。在该第一电极上已经沉积有电致发光堆叠3和Ag阴极4。阴极具有大约IOOnm的厚度。OLED器件已经由充当覆盖装置7的腔体盖来封装，以气密地密封器件。同样，图3的OLED器件分别经由腔体盖和阴极被电接触。腔体盖由金属制成，并且经由两个接触装置8和附加的导电金属层6间接地与阳极电接触。接触装置是已经直接地施加到附加导电层6的导电胶9和触碰腔体盖和导电胶二者的导电间隔物10。单一非导电硬层5包括SiO2，并且具有大约IOOnm的厚度。其已经通过溅射直接沉积到阴极上面，并且仅部分地覆盖阴极。硬层与阴极接触并且保护性地覆盖该敏感的电极，同时，封装的附加导电金属层6在未被非导电硬层所覆盖的地方与阴极接触，从而提供了电连接。虽然在图和前述描述中已经图示和描述了本发明，但是这种图示和描述将被认为是图示性的或者实例性的而不是限制性的；本发明不限于所公开的实施例。通过研究附图、公开内容以及所附权利要求，所公开实施例的其它变型可以由本领域普通技术人员在实践所要求保护的发明的过程中理解和实施。在权利要求中，单词“包括”不排除其它元件或者步骤，并且不定冠词“一”不排除多个。在相互不同的从属权利要 求中陈述某些措施的仅有事实不指示这些方法的结合不能被使用以受益。权利要求中的任何附图标记不应当解释为限制范围。
权利要求
1.一种电致发光器件，包括衬底(I)和其上按提及顺序堆叠的第一透明电极(2)、电致发光堆叠(3)和第二电极(4)， 其中，电致发光器件还包括至少一个附加硬层(5)，其位于第二电极下面和/或第二电极上面，以及 其中，附加硬层具有大于第二电极硬度的硬度。
2.根据权利要求I的电致发光器件，其中，至少一个附加硬层直接位于第二电极下面和/或直接位于第二电极上面。
3.根据权利要求I的电致发光器件，其中，至少一个附加层的厚度是>5nm且< 50 u m0
4.根据权利要求I的电致发光器件，其中，至少一个附加硬层位于第二电极下面并且由包括至少一个半导体金属氧化物的层构成。
5.根据权利要求I的电致发光器件，其中，至少一个附加硬层位于第二电极上面，是导电层并且包括硬金属、金属合金、和/或导电氧化物。
6.根据权利要求I的电致发光器件，其中，至少一个附加硬层位于第二电极上面，是非导电层并且包括从由氧化物、氮化物和氟化物所构成的组中选择的至少一种材料。
7.根据权利要求6的电致发光器件，还包括位于硬层上面的导电层(6)，其与第二电极电接触。
8.根据权利要求I的电致发光器件，还包括覆盖装置(7)和被布置成直接或者间接与第二电极电接触的至少一个接触装置(8)。
9.根据权利要求8的电致发光器件，其中，至少一个接触装置从由导电胶(9)、机械接触装置(10)、导电弹簧、导电柱和导电间隔物所构成的组中选择。
10.根据权利要求8的电致发光器件，还包括消气剂材料。
11.一种光源、灯、监视器、开关、或者显示器，包括根据权利要求I的电致发光器件。
12.—种制作根据权利要求1-10的电致发光器件的方法，包括以下步骤 a)提供衬底(I);以及 b)在衬底上按照提及的顺序沉积第一透明电极(2)、电致发光堆叠(3)、以及第二电极(4)，其中，还在第二电极沉积之前和/或之后沉积至少一个附加硬层(5)，以及 其中，附加硬层具有大于第二电极硬度的硬度。
13.根据权利要求12的方法，还包括步骤c)利用探针临时地接触EL器件，以检查器件的适当运行。
14.根据权利要求12的方法，还包括向EL器件施加覆盖装置、至少一个接触装置、和/或消气剂材料。
全文摘要
本发明提供一种电致发光器件，包括衬底(1)和在其上按提及顺序堆叠的第一透明电极(2)、电致发光堆叠(3)和第二电极(4)。而且，该电致发光器件包括至少一个附加硬层(5)，其位于第二电极下面和/或第二电极的上面，以及具有大于第二电极硬度的硬度。同样提供了这种电致发光器件的制作方法。
文档编号H01L51/52GK102668161SQ201080053540
公开日2012年9月12日 申请日期2010年11月19日 优先权日2009年11月27日
发明者H.F.博尔纳 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司