专利名称：半导体存储卡及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体存储卡及其制造方法。
背景技术：
以往，在引线框上安装闪存等半导体存储器、通过封装树脂封装的半导体存储卡众所周知。在该构造的半导体存储卡中，数据的读取写入用的外部端子通过使引线框的一部分(端子部)从封装树脂局部露出而形成。在制造上述构造的半导体存储卡时，引线框的端子部在树脂封装前被连结并支撑于引线框的框架部。而且，在树脂封装后，以形成作为半导体存储卡的外形的方式将引线框的端子部与框架部切断。因此，在半导体存储卡完成的状态下，具有引线框的一部分没有被树脂覆盖而从引线框的端子部露出的可能性。其结果，具有存储于半导体存储器的数据被破坏的可能性。在将半导体存储器安装于引线框、通过封装树脂封装而成的半导体存储卡中，要求防止存储于半导体存储器的数据被破坏。
发明内容
本发明的一个技术方案，其目的在于提供一种防止安装于引线框的半导体存储器中所存储的数据被破坏的半导体存储卡及其制造方法。根据本发明的一个技术方案，半导体存储卡，其具备引线框，其形成有存储器搭载部、包含电源端子以及信号端子的多个端子和宽度比该端子窄并从各端子延伸到卡前端面的多个连接部；半导体存储器，其搭载于引线框的存储器搭载部；和树脂，其以使得电源端子与信号端子相比在更接近卡前端面的部位露出，并且在卡前端面使多个连接部露出的方式，封装搭载有半导体存储器的引线框。半导体存储卡，以使得多个连接部的卡前端面处的露出位置在卡前端面的长度方向上从使各个信号端子向卡前端面侧延伸的区域错开的方式，使各连接部从各端子延伸。根据本发明的实施方式，能够提供一种防止安装于引线框的半导体存储器中所存储的数据被破坏的半导体存储卡及其制造方法。
图1-1是作为第1实施方式所涉及的半导体存储卡的microSD存储卡的仰视图。图1-2是第1实施方式所涉及的microSD存储卡的俯视透视图。图1-3是第1实施方式所涉及的microSD存储卡的侧视透视图。图2是表示第1实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的结构的图。图3是表示第1实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的树脂封装后的状态的图。图4是表示事后使埋设于封装树脂中的引线框露出的顺序的工序图。图5是模式性表示相对于microSD存储卡读取写入数据的连接器的内部的图。图6是模式性表示microSD存储卡与连接器针脚的位置关系的图。图7是第2实施方式所涉及的microSD存储卡的仰视图。图8是表示第2实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的结构的图。图9是表示第2实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的树脂封装后的状态的图。图10是表示第3实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的树脂封装后的状态的图。图11是第3实施方式所涉及的microSD存储卡的前端面分的放大图。图12是第4实施方式所涉及的microSD存储卡的仰视图。图13是表示第4实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的结构的图。图14是表示第4实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的树脂封装后的状态的图。图15是表示具有仅信号端子的连接部向卡侧面侧从端子部突出的部分和以比端子部窄的宽度向卡前端面侧延伸而到达卡前端面的部分的microSD存储卡的结构的图。图16-1是作为平置型的半导体存储卡的microSD存储卡的俯视透视图。图16-2是平置型的microSD存储卡的侧视透视图。符号说明1:引线框lb:端子部Ic:连接部If 半时刻部 2 =NAND6 外部端子8:封装树脂10 :microSD存储卡20 连接器21 连接器销钉
具体实施例方式下面，参照附图，对本发明的半导体存储卡及其制造方法进行详细说明。另外，本发明并不由这些实施方式限制。第1实施方式对第1实施方式所涉及的半导体存储卡进行说明。作为第1实施方式所涉及的半导体存储卡，列举microSD 存储卡(下面，称为microSD存储卡)为例进行说明。图1_1是 microSD存储卡10的仰视图，图1_2是microSD存储卡10的俯视透视图，图1_3是microSD 存储卡10的侧视透视图。另外，图1-2 (a)表示microSD存储卡10的整体，图l_2(b)放大表示图1-2 (a)的一部分(I-nb部)。另外，图1-3表示从图1-3的右侧观察microSD存储卡10的状态。在这里，图1-1 1-3的纸面中的上方为向连接器插入的插入侧，将该方向的一端定义为“前端”。另外，将图1-1中的视点方向、图1-2中的纸面进深(背面)方向、 图1-3中的纸面中的右方定义为“下(底面侧)”，将相反方向定义为“上”。另外，将图1-1、 图1-2中的纸面中的左右方向定义为“横向(侧面侧)”。在引线框1上，除了作为半导体存储器的NAND型闪存(下面，称为NAND)2，还安装有无源部件3 (电容器和/或熔断器等)。在NAND2上形成有再布线层，在再布线层上安装有控制NAND2的控制器4。另外，在这里以使用NAND型闪存的结构为例进行说明，但并不限定于NAND型闪存。例如，也能够应用NOR型闪存。在再布线层形成有用于连接控制器 4与引线框1的布线加。在控制器4的端子与再布线层上的布线加之间，再布线层上的布线加与引线框1之间，以及再布线层上的布线加彼此通过焊丝5连接。安装有NAND2、无源部件3、控制器4、通过焊丝5将这些构件连接起来的引线框1由封装树脂8封装。但是， 引线框1的一部分(后述的端子部lb)在卡前端附近向底面侧露出，形成用于与连接器电连接的外部端子6。外部端子6中，分别分配了电源(VDD)以及接地电位(VSS)的电源端子6d、6f露出到比分配了信号的信号端子6a 6C、6e、6g、^!更接近卡前端面的部位。在microSD存储卡10的前端面(卡前端面的附近)，作为用于向形成有外部端子 6的底面侧引导连接器针脚的导向面，设有锥面部7。锥面部7跨过卡前端面与底面，形成为越靠近卡前端面侧则卡厚度变得越小。另外，在这里以作为导向面具备锥面的结构为例， 但也可以代替锥面而将R面等曲面作为导向面而设置。图2是表示第1实施方式所涉及的microSD存储卡10的制造中所使用的引线框1 的结构的图。图2中的虚线表示在树脂封装后将作为microSD存储卡10而被切出的范围， 引线框1在虚线横截的部分被切断。引线框1包含作为安装有NAND2、无源部件3等电子部件的存储器搭载部的芯片安装部Ia ；和在树脂封装后作为外部端子6露出的端子部lb。 端子部Ib由连接部Ic与框架部Id连结而被支撑。引线框1能够使用42号铁O^e-Ni)、Cu 等金属材料形成，但并不限定于这些材料。另外，形成各外部端子6的引线框1通过绝缘性带12固定。连接部Ic形成下述构造，该构造具备从端子部Ib向与在microSD存储卡10的完成后成为向连接器插入的插入方向的方向(卡前端面侧)交叉的方向(卡侧面侧)突出的部分(突出部Ig)；和从该部分以比端子部Ib窄的宽度向卡前端面侧延伸而到达卡前端面的部分(延伸部Ih)。另外，连接部Ic与外框架联络部Ii连接。外框架联络部Ii的宽度比连接部Ic的宽度宽。通过该外框架联络部li，能够将外部端子Ib与外框架Id稳定固定。因此，如图1-2所示，连接部Ic的在卡完成后作为microSD存储卡10而切出的部分， 在使端子部Ib向卡前端面侧延伸的区域不存在。由此，在使用引线框1制造出的microSD 存储卡10中，如图1-1所示，在由封装树脂8进行的树脂封装后切断的连接部Ic的切断面 11 (Ila Ilh)，在横向方向(卡前端面的长度方向)上从外部端子6a 他向卡前端面侧延伸的区域(以后，有时称为“外部端子延伸区域”)错开的区域露出。另外，切断面Ila Ilh是与外部端子6a 他相对应的各连接部Ic的切断面。另外，在这里表示了连接部Ic 向与向连接器插入方向正交的方向突出的结构，但连接部Ic突出的方向与向连接器插入方向所成的角度并不必须为直角。另外，外框架联络部Ii也可以不存在于外部端子延伸区域。
图3是表示第1实施方式所涉及的microSD存储卡10的制造中所使用的引线框 1在树脂封装后的状态的图。在这里为了简化说明，省略了已经安装于引线框1的NAND2、 无源部件3、控制器4、焊丝5等的图示。另外，对于封装树脂8也仅表示作为microSD存储卡10被切出的部分，但实际上，封装树脂8被封装于比microSD存储卡10的外形(图2的通过虚线包围的部分)更宽的范围。端子部Ib在树脂封装时与未图示的金属模具紧密接合，封装树脂8不会流入端子部Ib的底面侧。在连接部Ic的作为microSD存储卡10而切出的范围内(延伸部Ih)设有弯曲部le，引线框1的框架部Id被配置成与在树脂封装时使用的金属模具的分割线大致相同高度。在树脂封装后，仿照作为microSD存储卡10的外形形状切断连接部lc，端子部Ib 与框架部Id分离。在这里对在比作为microSD存储卡10的外形形状更大的范围内封装封装树脂8，将封装树脂8以及连接部Ic沿着microSD存储卡10的外形形状切断而切出 microSD存储卡10的方法进行了说明。但是，也可以使用与作为microSD存储卡10的外形形状一致的金属模具，封装封装树脂8 (仅在图2的由虚线包围的部分封装封装树脂8)， 仅切断连接部lc。由于在作为microSD存储卡10而切出的部分设有弯曲部le，所以连接部Ic进入封装树脂8中。因此，如图1-1、图1-3所示，连接部Ic的各切断面11在斜面部 7的上端(卡上面侧的斜面部7的端部)附近露出。连接部Ic被封装树脂8覆盖，所以能够防止连接部Ic从切断面11向上卷起。由此，能够抑制向上卷起的连接部Ic与相邻的外部端子6接触而短路等不良的产生。另外，突出部Ig从端子部Ib向侧面方向延伸。因此，突出部Ig和与突出部Ig相邻的端子部Ib之间变窄。进而，突出部Ig从卡的底面露出。其结果，根据封装树脂8的材料，具有封装树脂8不进入突出部Ig和与突出部Ig相邻的端子部Ib之间的情况。另外， 在连接部lc，在从弯曲部Ie到卡前端面的距离较短并且从连接部Ic的底面(卡的底面侧的面)到卡底面的距离较短的情况下，具有进入连接部Ic的底面侧而凝固的封装树脂8在卡完成后剥离的可能性。因此，也可以以端子部Ib埋入封装树脂8的方式进行封装，之后除去端子部Ib的底面侧的封装树脂8而形成外部端子6。图4是表示事后使埋设于封装树脂8的引线框1露出的顺序的工序图。首先，以将引线框1埋设于封装树脂8的方式进行树脂封装(图4(a))，所述引线框以比作为外部端子6而露出的大小更大的大小形成有端子部lb。然后，与作为外部端子6而露出的形状一致地在封装树脂8上实施激光构图以形成到达引线框1的槽9(图4(b))。然后，通过喷水、研磨将由槽9包围的区域的封装树脂8除去，使端子部Ib露出而设为外部端子6。在这样在封装树脂8中埋设引线框1，使端子部Ib事后露出时，即使突出部Ig和与突出部Ig 相邻的端子部Ib之间较窄，也通过封装树脂8埋没突出部lg，所以能够通过封装树脂8覆盖突出部Ig和与突出部Ig相邻的端子部Ib之间。另外，能够加厚连接部Ic的底面与卡底面之间的封装树脂8的厚度。其结果，能够防止封装树脂8的剥离。图5是模式性表示相对于microSD存储卡10读取写入数据的连接器20的内部的图。图6是模式性表示microSD存储卡10与连接器针脚21的位置关系的图。图5 (a)表示没有插入microSD存储卡10的状态下的连接器20的剖面。microSD存储卡10的连接部Ic形成为具备从端子部Ib向卡侧面侧突出的突出部Ig和从该部分以比端子部Ib窄的宽度向卡前端面侧延伸的延伸部Ih的构造，所以不会在外部端子6向卡前端面侧延伸的区域露出。即，各连接部Ic在卡前端面的露出位置(切断面11的位置)位于在卡前端面的长度方向上从向连接器20插入时连接器针脚21所接触的区域错开的区域。各连接部 Ic在卡前端面的露出位置是连接器针脚21不接触的位置。因此，即使在向连接器20插入时microSD存储卡10的前端面与连接器针脚21接触，连接器针脚21也不与连接部Ic接触。即，连接器针脚21在与microSD存储卡10的前端面接触的时刻(图5(b)、图6(a))不与NAND2电连接，沿着锥面部7向底面侧被导向，在与外部端子6接触的时刻(图5 (c)、图 6(b))与NAND2电连接。因此，露出到与卡前端面接近的部位的电源端子6d、6f比信号端子 6a 6C、6e、6g、Mi先与连接器针脚21接触。为了保护存储于半导体存储卡的半导体存储器的数据，优选使电源(VDD)和/或 GND用的外部端子比信号用的外部端子先与连接器针脚接触。然而，在以往的半导体存储卡中，当在向连接器插入方向的前端附近使外部端子排列的情况下，以从端子部向连接器插入方向的前端面侧笔直延伸的方式设置有连接部。即，连接部的切断面以在外部端子向前端面侧延伸的区域排列的状态露出。因此，具有在向连接器插入时信号用的连接部比电源和/或GND用的连接部先与连接器针脚接触的可能性，具有半导体存储器内的数据被破坏的危险。如上所述，本实施方式所涉及的microSD存储卡10，在向连接器20插入时，电源端子6d、6f先与连接器针脚21接触，信号端子6a 6C、6e、6g、^!后与连接器针脚21接触。 因此，能够防止存储于NAND2的数据被破坏。另外，具有在连接器20的卡侧端部22配置有判断microSD存储卡10是否被插入的开关23以及端子M的情况。在这里，具有下述方式在microSD存储卡10的最前端面 (前端面1 按压开关23、开关23与配置于连接器20的卡侧端部22的端子M接触的情况下，输出检测信号。在这里，在连接部Ic从最前端面露出时，具有开关23与连接部Ic接触而误检测的情况。另一方面，通过使连接部Ic的端部露出从锥面部7，连接部Ic不会与开关接触，因此能够防止误检测。第2实施方式作为第2实施方式所涉及的半导体存储卡的microSD存储卡与第1实施方式同样，为安装于引线框的NAND、无源部件以及安装于NAND上的再布线层的控制器通过焊丝连接，通过树脂封装的结构。因此，仅对于与第1实施方式不同点进行说明。图7是第2实施方式所涉及的microSD存储卡10的仰视图。在本实施方式中，连接部Ic没有由封装树脂8封装、保持向底面露出地到达卡前端面，在这一点与第1实施方式不同。连接部Ic配设在与端子部Ib (外部端子6)大致同一面上，所以连接部Ic及其切断面11在锥面部7的下端(卡底面侧的锥面部7的端部)露出。图8是表示第2实施方式所涉及的microSD存储卡10的制造中所使用的引线框 1的结构的图。图8中的虚线表示作为microSD存储卡10而切出的范围，引线框1在虚线横截的部分被切断。与第1实施方式同样，引线框1包含作为安装有电子部件的存储器搭载部的芯片安装部Ia ；和在树脂封装后作为外部端子6露出的端子部lb。端子部Ib通过连接部Ic以及外框架联络部Ii与框架部Id连结。在树脂封装后，仿照作为microSD存储卡10的外形形状，切断连接部lc，端子部Ib与框架部Id分离。图9是表示第2实施方式所涉及的microSD存储卡10的制造中所使用的引线框1的树脂封装后的状态的图。在这里为了简化说明，省略了已经安装于引线框1的NAND、无源部件、控制器、焊丝等的图示。另外，对于封装树脂8也仅表示作为microSD存储卡10而切出的部分，但实际上，封装树脂8被封装于比microSD存储卡10的外形(图8的通过虚线包围的部分)更宽的范围，将封装树脂8以及连接部Ic沿着microSD存储卡10的外形形状切断而切出microSD存储卡10。在本实施方式中，弯曲部Ie被设置在作为microSD存储卡10而切出的范围之外(外框架联络部li)。通过在框架宽度的较宽的部分设置弯曲部le，使得弯曲部Ie的加工变得容易，引线框1的固定位置稳定。其结果，在树脂封装工序中，能够减少控制器4等从封装树脂露出的可能性。本实施方式所涉及的microSD存储卡，在向连接器插入时，也是电源端子先与连接器针脚接触，信号端子后与连接器针脚接触。因此，能够防止存储于NAND的数据被破坏。对于其他与第1实施方式同样，所以省略重复的说明。第3实施方式作为第3实施方式所涉及的半导体存储卡的microSD存储卡与第2实施方式同样，为安装于引线框的NAND、无源部件以及安装于NAND上的再布线层的控制器通过焊丝连接，通过树脂封装的结构。因此，仅对于与第2实施方式不同点进行说明。图10是表示第3实施方式所涉及的microSD存储卡10的制造中所使用的引线框 1的树脂封装后的状态的图。在这里为了简化说明，省略了已经安装于引线框1的NAND、无源部件、控制器、焊丝等的图示。另外，对于封装树脂8也仅表示作为microSD存储卡10而切出的部分，但实际上，封装树脂8被封装于比microSD存储卡10的外形更宽的范围，将封装树脂8以及连接部Ic沿着microSD存储卡10的外形形状切断而切出microSD存储卡10。 图11是第3实施方式所涉及的microSD存储卡10的前端面分的放大图。与第2实施方式同样，弯曲部Ie被设置在外框架联络部Ii。但是，在本实施方式中，在端子部Ib与弯曲部 Ie之间，具备对连接部Ic实施半蚀刻而使其薄壁化所得的半蚀刻部If。即，连接部Ic的卡前端面处的露出位置与端子部Ib之间的部分通过半蚀刻部If而薄壁化。封装树脂8进入半蚀刻部If的底面侧，半蚀刻部If在microSD存储卡10的底面不露出。因此，连接部 Ic的切断面11在比锥面部7的下端靠上侧的部位露出。在本实施方式中，半蚀刻部If由封装树脂8覆盖，所以能够防止连接部Ic从切断面11向上卷起。由此，能够抑制向上卷起的连接部Ic与相邻的外部端子接触而短路等不良的产生。另外，通过在突出部Ig也设置半蚀刻部If，即使突出部Ig和与突出部Ig相邻的端子部Ib之间较窄，也能够通过封装树脂8填埋突出部Ig和与突出部Ig相邻的端子部Ib 之间。本实施方式所涉及的microSD存储卡，在向连接器插入时，也是电源端子先与连接器针脚接触，信号端子后与连接器针脚接触。因此，能够防止存储于NAND的数据被破坏。对于其他与第2实施方式同样，所以省略重复的说明。第4实施方式作为第4实施方式所涉及的半导体存储卡的microSD存储卡与第1实施方式同样，为安装于引线框的NAND、无源部件以及安装于NAND上的再布线层的控制器通过焊丝连接，通过树脂封装的结构。因此，仅对于与第1实施方式不同点进行说明。
图12是第4实施方式所涉及的microSD存储卡10的仰视图。在本实施方式中， 与第1实施方式同样，连接部Ic进入封装树脂8中。但是，进入封装树脂8中的连接部Ic 在与端子部Ib大致同一面从封装树脂8露出，连接部Ic的切断面11在锥面部7的下端部露出，这一点与第1实施方式不同。图13是表示第4实施方式所涉及的microSD存储卡10的制造中所使用的引线框 1的结构的图。图13中的虚线表示作为microSD存储卡10而切出的范围，引线框1在虚线横截的部分被切断。引线框1包含作为安装有NAND、无源部件等电子部件的存储器搭载部的芯片安装部Ia ；和在树脂封装后作为外部端子6露出的端子部lb。端子部Ib通过连接部Ic以及外框架联络部Ii与框架部Id连结。在树脂封装后，仿照作为microSD存储卡 10的外形形状切断连接部lc，端子部Ib与框架部Id分离。连接部Ic为下述构造，该构造具备在microSD存储卡10的完成后从端子部Ib 向卡侧面侧突出的部分(突出部Ig)；和从该部分以比端子部Ib窄的宽度向卡前端面侧延伸的部分(延伸部Ih)。因此，连接部Ic的作为microSD存储卡10而切出的部分，在端子部Ib向卡前端面侧延伸而成的区域内不存在。由此，如图12所示，在本实施方式所涉及的 microSD存储卡10中，连接部Ic的切断面11在外部端子6向卡前端面侧延伸而成的区域不露出。图14是表示第4实施方式所涉及的microSD存储卡10的制造中所使用的引线框 1的树脂封装后的状态的图。在这里为了简化说明，已经省略了安装于引线框1的NAND、无源部件、控制器、焊丝等的图示。另外，对于封装树脂8也仅表示作为microSD存储卡10而切出的部分，但实际上，封装树脂8被封装于比microSD存储卡10的外形(图13的通过虚线包围的部分)更宽的范围，将封装树脂8以及连接部Ic沿着microSD存储卡10的外形形状切断而切出microSD存储卡10。在连接部Ic的作为microSD存储卡10而切出的部分在两个部位设有弯曲部le。因此，如图12所示，连接部Ic在进入封装树脂8中后，在与端子部Ib大致同一面上(锥面部7的下端部)从封装树脂8露出。弯曲部Ie除了连接部 Ic夕卜，也设置于外框架联络部Ii。即，弯曲部Ie在端子部Ib与框架部Id之间设置在3个部位。其结果，引线框1的框架部Id被配置在与树脂封装时所使用的金属模具的分割线大致相同高度。另外，由设置于连接部Ic的两个弯曲部Ie所夹着的埋入区域Ik也位于与金属模具的分割线大致相同高度。在本实施方式中，连接部Ic中埋入区域Ik由封装树脂8覆盖，所以能够防止连接部Ic从切断面11向上卷起。由此，能够抑制向上卷起的连接部Ic与相邻的外部端子6接触而短路等不良的产生。本实施方式所涉及的microSD存储卡在向连接器插入时，也是电源端子先与连接器针脚接触，信号端子后与连接器针脚接触。因此，能够防止存储于NAND的数据被破坏。对于其他与的构成第1实施方式同样，所以省略重复的说明。在上述各实施方式中，将构造为具备所有的外部端子的连接部从端子部向卡侧面侧突出的部分和从该部分以比端子部更窄的宽度向卡前端面方向弯曲而延伸的部分的情况设为例子，但也可以设成仅除电源端子、接地端子外的信号端子的连接部才具有从端子部向卡侧面侧突出的部分和从该部分以比端子部更窄的宽度向卡前端面方向弯曲而延伸的部分。图15是表示microSD存储卡10的结构的图，该microSD存储卡10仅除电源端子以及接地端子6d、6f外的信号端子6a 6C、6e、6g、^!的连接部Ic才具有向卡侧面侧从端子部Ib突出的部分和从该部分以比端子部Ib窄的宽度向卡前端面侧延伸的部分。即，在电源端子以及接地端子的连接部Ic没有设置突出部lg。这因为，如果仅电源端子6d、6f的连接部Ic的切断面IldUlf在外部端子6d、6f向卡前端面侧延伸的区域露出，则即使在连接器针脚与microSD存储卡10的前端面接触的时刻(图5 (b))，与电源端子6d、6f的连接部Ic的切断面IldUlf接触，也没有NAND的数据被破坏的危险。其结果，电源端子以及接地端子6d、6f和与电源端子以及接地端子6d、6f相邻的端子之间的宽度变宽。因此，能够通过封装树脂8容易地填埋电源端子以及接地端子6d、6f和与电源端子以及接地端子6d、 6f相邻的端子之间。另外，在上述各实施方式中，将在半导体存储器上安装有控制器的层叠型的半导体存储卡设为了例子，但不用说明，即便是将控制器安装在引线框上的平置型的半导体存储卡也能够得到同样的效果。图16-1是作为平置型的半导体存储卡的microSD存储卡30 的俯视透视图，图16-2是平置型的microSD存储卡30的侧视透视图。另外，图16_2表示从图16-1的右侧观察microSD存储卡10的状态。对于与图1_1 图1_3所示的层叠型的 microSD存储卡10相同的结构要素标注相同符号。在引线框1上除了作为半导体存储器的 NAND外，还安装有控制无源部件3 (电容器、熔断器等)、NAND2的动作的控制器4。对于这样的平置型的microSD存储卡30，能够同样得到防止存储于NAND2的数据被破坏。进而，在上述各实施方式中，将microSD存储卡设为例子进行说明，但没有限定为特定的规格，只要是在向连接器插入的插入方向的前端附近排列有外部端子的半导体存储卡，都同样能够应用。对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种形态实施，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求所记载的发明及其均等的范围。
权利要求
1.一种半导体存储卡，其特征在于，包括引线框，其形成有存储器搭载部、包含电源端子以及信号端子的多个端子和宽度比该端子窄并从各所述端子延伸到卡前端面的多个连接部；半导体存储器，其被搭载于所述引线框的所述存储器搭载部；和树脂，其以使得所述电源端子与所述信号端子相比在更接近卡前端面的部位露出，并且在所述卡前端面使所述多个连接部露出的方式，封装搭载有所述半导体存储器的引线框；以使得所述多个连接部在卡前端面的露出位置在所述卡前端面的长度方向上从各所述信号端子向所述卡前端面侧延伸的区域错开的方式，使各连接部从所述各端子延伸。
2.如权利要求1所述的半导体存储卡，其特征在于所述多个连接部在卡前端面的露出位置是插拔半导体存储卡的连接器的针脚不接触的位置。
3.如权利要求1或2所述的半导体存储卡，其特征在于在所述卡前端面具备越靠近该卡前端面侧则卡厚度越小的导向面；所述多个连接部在所述卡前端面的露出位置位于所述导向面上。
4.如权利要求3所述的半导体存储卡，其特征在于所述多个连接部，以使得其在所述卡前端面的露出位置成为所述导向面的所述卡前端面侧的端部的方式，向卡厚度方向弯曲ο
5.如权利要求3所述的半导体存储卡，其特征在于所述多个连接部中的至少一个，以使得其在所述卡前端面的露出位置成为与所述导向面的所述卡前端面相反一侧的端部的方式，向卡厚度方向弯曲。
6.如权利要求3所述的半导体存储卡，其特征在于所述多个连接部中的至少一个在所述卡前端面的露出位置与所述端子部位于大致同一面上。
7.如权利要求6所述的半导体存储卡，其特征在于所述多个连接部中的至少一个，其在所述卡前端面的露出位置与所述端子之间局部薄壁化，所述连接部的所述薄壁化的部分由所述封装树脂覆盖。
8.如权利要求1或2所述的半导体存储卡，其特征在于所述多个连接部的各个包含 从所述端子部向卡侧面侧突出的突出部；和从该突出部向所述卡前端面侧延伸并到达所述卡前端面的延伸部。
9.一种半导体存储卡的制造方法，其特征在于在形成有存储器搭载部、包含电源端子以及信号端子的多个端子、支撑该端子的框架部和连接于所述多个端子的多个连接部的引线框的所述存储器搭载部，搭载所述半导体存储器；以使得所述电源端子与所述信号端子相比在更接近卡前端面的部位露出的方式，通过封装树脂对搭载有所述半导体存储器的所述引线框进行树脂封装；通过仿照预先确定的卡外形切断所述封装树脂以及所述连接部，以分离所述端子与所述框架部并且在卡前端面使所述多个连接部露出；以使得所述多个连接部在卡前端面的露出位置在所述卡前端面的长度方向上从各所述信号端子向所述卡前端面侧延伸的区域错开的方式，使各连接部从所述各端子延伸。
全文摘要
本发明提供一种防止安装于引线框的半导体存储器所存储的数据被破坏的半导体存储卡及其制造方法。本发明的microSD存储卡(10)具备引线框(1)，其形成有芯片安装部、包含电源端子以及信号端子的多个端子部(1b)和宽度比端子部(1b)窄、从各端子部(1b)延伸到卡前端面的多个连接部(1c)；NAND(2)，其搭载于芯片安装部；和封装树脂(8)，其以使得电源端子与信号端子相比在更接近卡前端面的部位露出，并且在卡前端面使多个连接部(1c)露出的方式封装搭载有(NAND2)的引线框(1)。microSD存储卡(10)以使得多个连接部(1c)在卡前端面的露出位置在卡前端面的长度方向上从各信号端子向卡前端面侧延伸的区域错开的方式，使多个连接部(1c)从各端子部(1b)延伸。
文档编号H01L23/31GK102386162SQ201110066778
公开日2012年3月21日 申请日期2011年3月18日 优先权日2010年8月31日
发明者西山拓 申请人:株式会社东芝