专利名称：涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及在基板上涂敷抗蚀剂，进行显影的涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质。
背景技术：
在作为半导体制造工序的一个的光敏蚀刻工序中，半导体晶片(以下，称为晶片) 的表面涂敷抗蚀剂，在规定图案曝光该抗蚀剂之后，进行显影，形成抗蚀剂图案。形成上述抗蚀剂图案用的涂敷显影装置中，设置具备在晶片上进行各种处理用的处理模块的处理块。处理块，例如专利文献1所记载，通过相互层叠形成抗蚀剂膜等的各种涂敷膜的单位块和进行显影处理的单位块构成。各单位块上设置晶片的搬送机构，通过该搬送机构， 晶片依次交接到各单位块上设置的处理模块接收处理。在此，为了形成更细微的图案，进一步降低成品率，上述处理块上设置的处理模块需要多样化。例如，在晶片上涂敷抗蚀剂的抗蚀剂膜形成模块和供给显影液的显影模块之外，还有设置对涂敷了抗蚀剂的晶片的背面进行清洁的背面清洁模块、向抗蚀剂的上层供给药液进一步形成膜的上层用的液处理块等的情况。此外，有涂敷显影装置构成为能够制造多种多样的半导体制品的要求。具体来说， 研究上述抗蚀剂膜形成块，构成为向晶片供给正抗蚀剂、负抗蚀剂中的一个抗蚀剂，设置对应于各个抗蚀剂的显影模块。研究这样的各种处理模块搭载在处理块上，如何抑制涂敷显影装置的占地面积。上述层叠单位块的结构，用于抑制上述占地面积很有效，但是晶片依次向各单位块搬送，因此，1个处理模块或单位块发生异常，进行维修时，就不得不停止涂敷显影装置的整个处理。如此，会有装置的生产率降低的问题。专利文献专利文献1日本特开2007-11583
发明内容
本发明是在上述事实下做出的，其提供一种在单位块发生异常进行维修时，能够抑制涂敷显影装置的生产率降低并且抑制处理块的设置面积的技术。本发明的涂敷显影装置，将通过载体搬入到载体块的基板交接至处理块，该基板在该处理块中形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜之后，通过相对于上述处理块位于与载体块相反侧的接口块(即接口快位于处理块与载体块之间)搬送到曝光装置，对通过上述接口块返回的曝光后的基板在上述处理块中进行显影处理，并将其交接到上述载体块，该涂敷显影装置的特征在于，包括a)上述处理块，上述处理块包括上下层叠多个前段处理用的单位块形成的部件，上述前段处理用的单位块具备 用于在基板下形成下层侧的防反射膜而供给药液的下层用的液处理模块；用于在上述防反射膜上形成抗蚀剂膜而供给抗蚀剂液的涂敷模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；多个后段处理用的单位块，该后段处理用的单位块包括在多个前段处理用的单位块的接口块侧与该前段处理用的单位块相邻地分别设置的、用于在形成有抗蚀剂膜的基板上形成上层侧的膜而供给药液的上层用的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；用于对曝光前的基板进行清洁的清洁模块；和用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；在前段处理用的单位块和对应的后段处理用的单位块之间分别设置的、用于在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接的涂敷处理用的交接部；上下层叠多个具备向基板供给显影液的液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构的显影处理用的单位块而形成，相对于上下层叠多个上述前段处理用的单位块形成的部件在上下方向层叠形成的第一显影处理用的层叠块；上下层叠多个向基板供给显影液的液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构的显影处理用的单位块而形成，相对于上下层叠多个上述后段处理用的单位块形成的部件在上下方向层叠而形成的第二显影处理用的层叠块；在第一显影处理用的层叠块的单位块、和与该单位块相对应的第二显影处理用的层叠块的单位块之间分别设置的、用于在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接的显影处理用的交接部；和用于在各段的涂敷处理用的交接部之间以及各段的显影处理用的交接部之间进行基板的搬送的、能够自由升降而设置的辅助移载机构，b)针对各单位块在载体块侧设置的、在各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的搬入搬出用的交接部，c)从载体向与前段处理用的各单位块对应的搬入搬出用的上述交接部分配基板进行交接，同时，从与显影处理用的各单位块对应的搬入搬出用的交接部使得基板返回载体用的第一交接机构；d)用于接收上述处理块处理过的曝光前的基板，将曝光后的基板分配并交接给显影处理用的单位块的第二交接机构。该涂敷显影装置的具体形态，例如如下所述。(1)上述清洁模块具备用于对形成有抗蚀剂膜的基板的背面侧进行清洁的机构。(2)上述第一显影处理用的层叠块由进行正型显影的单位块组构成。上述第二显影处理用的层叠块由进行负型显影的单位块组构成。(3)上述第一显影处理用的层叠块包括进行正型显影的单位块和进行负型显影的单位块，上述第二显影处理用的层叠块包括进行正型显影的单位块和进行负型显影的单位块。(4)还具备控制部，该控制部在前段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时，执行包括下述步骤的模式不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤；和该步骤之后，通过辅助移载机构将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的步骤。(5)还具备控制部，该控制部在后段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时， 执行包括下述步骤的模式不使用该单位块，通过不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤，和该步骤之后，通过辅助移载机构将该基板搬送到其它阶层的后段处理用的单位块的步骤。(6)本发明第一方面 第六方面任一方面所述的涂敷显影装置，其特征在于，前段处理用的单位块的层叠数和后段处理用的单位块的各个的层叠数为3层。(7)第一显影处理用的层叠块和第二显影处理用的层叠块的各个的单位块的层叠数为3层。(8)上述辅助搬送机构具备进行各段的涂敷处理用的交接部之间搬送用的第一辅助移载机构和进行各段的显影处理用的交接部之间的搬送用的第二辅助移载机构。本发明的涂敷显影方法，使用上述涂敷显影装置，实施在前段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时，不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的工序；和之后，通过该后段处理用的单位块内的模块，进行形成上层侧的膜的工序和对基板进行清洁的工序。再者，其它的本发明的涂敷显影方法，使用上述的涂敷显影装置，实施在后段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时，不使用该单位块，通过不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块，在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到其它阶层的后段处理用的单位块的工序；和之后，通过该后段处理用的单位块内的模块，形成上层侧的膜的工序和对基板进行清洁的工序。本发明的存储介质，是存储有涂敷显影装置中使用的计算机程序的存储介质，上述计算机程序，用于实施上述的涂敷显影方法。在本发明中，层叠多个用于在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的前段处理用的单位块，层叠多个用于在抗蚀剂膜上形成上层侧的膜的后段处理用的单位块，前后连接这些层叠体，并且，通过在前段处理用的单位块和对应的后段处理用的单位块之间进行基板的交接的交接部和在各层的交接部之间的辅助移载机构能够进行基板的交接。因此，即使不能使用前段处理用的单位块和后段处理用的单位块中的任一个，利用辅助搬送机构，也能够通过其它的单位块进行处理，实现防止生产率的降低。此外，在前段处理用的单位块的层叠体和后段处理用的单位块的层叠体上层叠多个用于进行显影处理的单位块， 能够抑制装置的设置面积，抑制装置的进深尺寸(沿着连接载体块和接口块方向的长度尺寸)。
图1为本发明的涂敷显影装置的平面图。
图2为上述涂敷显影装置的立体图。
图3为上述涂敷显影装置的纵截侧面图。
图4为上述涂敷显影装置的液处理模块的纵截侧面图。
图5为接口块的纵截侧面图。
图6为上述涂敷显影装置的控制部的结构图。
图7为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图8为表示晶片W的曝光的样子的说明图。
图9为表示晶片W的曝光的样子的说明图。
图10为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图11为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图12为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图13为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图14为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图15为其它的处理块的结构图。
图16为其它的处理块的结构图。
图17为接口块的纵截正面图。
图18为其它的处理块的结构图。
具体实施例方式说明本发明的涂敷显影装置1。图1表示本发明的涂敷显影装置1适用于抗蚀剂图案形成装置的情况的一个实施方式的平面图，图2为同概略立体图，图3为同概略侧面图。该涂敷显影装置1，直线状排列用于搬入搬出例如密闭收纳25枚作为基板的晶片W的载体C的载体块Si、对晶片W进行处理用的处理块S20、接口块S4而构成。接口块S4上连接进行液浸曝光的曝光装置S5。上述载体块Sl上设置载置上述载体C的载置台11、从该载置台11看设置在前方壁面的开闭部12、通过开闭部12从载体C取出晶片W用的交接臂13。交接臂13在上下方向具备5个晶片保持部14，能够自由进退、自由升降、围绕铅直轴自由旋转、在载体C的排列方向自由移动而构成。后述的控制部51，分配给载体C的晶片序号，交接臂13从序号小的开始每5个依次将晶片W —起交接到处理块S20的交接模块BUl。能够载置晶片W的位置记载为模块，该模块中对晶片W进行加热、液处理、气体供给或周边曝光等的处理的模块称为处理模块。此外，处理模块中，向晶片W供给药液或清洁液的模块称为液处理模块。处理块S20，由在载体块Sl侧设置的前段侧处理块S2和接口块S4侧设置的后方侧处理块S3构成。参照前方侧处理块S2和后方侧处理块S3的概略纵截侧面图的图4继续说明。前方侧处理块S2，从下依次层叠向晶片W进行液处理的第一 第六的前方侧单位块Bl B6而构成。这些前方侧单位块Bl B6，具备液处理模块、加热模块、作为单位块用的搬送单元的主臂A、上述主臂A移动的搬送区域Rl，各前方侧单位块B与这些的配置平面图同样构成。各前方侧单位块B，由主臂A相互独立的搬送晶片W，进行处理。图1中，表示第一前方侧单位块Bi，以下，作为代表，说明第一前方侧单位块Bi。该第一前方侧单位块Bl的中央形成从载体块Sl向着后方侧处理块S3的上述搬送区域R1。 该搬送区域R1，在从载体块Sl向着第二处理块S3侧看的左右分别配置液处理单元21、架单元Ul U6。液处理单元21上设置防反射膜形成模块BCT1、抗蚀剂膜形成模块COT1，从载体块 Sl向着第二处理块S3侧，BCT1、C0T1依次排列。防反射膜形成模块BCTl沿着搬送区域Rl 的形成方向具备2个旋转夹具22，旋转夹具22吸附保持晶片W的背面中央部，并且围绕铅直轴自由旋转。图中23为处理罩，上侧开口。处理罩23包围旋转夹具22的周围，抑制药液飞散。处理晶片W时，该处理罩23内收容晶片W，晶片W的背面中央部保持在旋转夹具 22上。此外，防反射膜形成模块BCTl上设置各处理罩23共用的喷嘴M。图中25为支撑喷嘴M的臂，图中沈为驱动机构。驱动机构沈通过臂25在各处理罩23的排列方向移动喷嘴24，并且通过臂25使得喷嘴M升降。通过驱动机构沈，喷嘴M在防反射膜形成模块BCTl的各处理罩23之间移动，向交接到各旋转夹具22上的晶片W的中心喷出防反射膜形成用的药液。被供给的药液，通过由上述旋转喷嘴22在铅直轴周围旋转的晶片W的离心力，向晶片W周围扩散，形成防反射膜。此外，图中虽然省略，但是防反射膜形成模块BCT1， 具备向晶片W的周端部供给溶剂，除去该周端部不需要的膜的喷嘴。抗蚀剂膜形成模块COTl与防反射膜形成模块BCTl同样结构。即，抗蚀剂膜形成模块COTl每2个具备处理各个晶片W用的处理罩23和旋转夹具22，2个处理罩23和旋转夹具22共有喷嘴。但是，从该喷嘴喷出抗蚀剂代替防反射膜形成用药液。此外，该喷嘴，由供给正型抗蚀剂的喷嘴27和供给负型抗蚀剂的喷嘴观构成。架单元Ul TO从载体块Sl侧向着接口块S3侧排列。各架单元Ul TO构成为 进行晶片W的加热处理的加热模块例如层叠为2段。因此，前方侧单位块Bl具备12个加热模块27。上述搬送区域Rl上设置上述主臂Al。该主臂Al构成为能够自由进退、自由升降、在铅直轴周围自由旋转、从载体块Sl侧到后方侧处理块S3侧自由移动，能够在前方侧单位块Bl的全部的模块之间进行晶片W的交接。第二前方侧单位块B2和第三前方侧单位块B3，与已述的第一前方侧单位块Bl同样结构。如图4所示，第二前方侧单位块B2上设置的防反射膜形成模块为BCT2、2个抗蚀剂膜形成模块为C0T2。此外，第三前方侧单位块B3上设置的防反射膜形成模块为BCT3、抗蚀剂膜形成模块为C0T3。前方侧单位块Bl B3构成前段处理用的单位块。接着，说明构成第一显影处理用的层叠块的前方侧单位块B4 B6。第四前方侧单位块B4与第一前方侧单位块Bl的差异是具备显影模块DEVI、DEV2代替防反射膜形成模块 BCTl和抗蚀剂膜形成模块COT。第五前方侧单位块B5和第六前方侧单位块B6与第四前方侧单位块B4同样结构，各个具备2个显影模块DEV。第五前方侧单位块B5上设置的显影模块为DEV3、DEV4。第六前方测单位模块B6上设置的显影模块为DEV5、DEV6。显影模块DEV 与抗蚀剂膜形成模块COT同样结构。但是，向晶片W供给对正型抗蚀剂进行显影的显影液代替抗蚀剂，进行显影处理(正显影)。在各层的搬送区域Rl的载体块Sl侧，如图1和图3所示，横跨各单位块Bl B6设置架单元U7。架单元U7由相互层叠的多个模块构成，这些各模块以下进行说明。第一前方侧单位块Bl的高度位置上设置疏水化处理模块ADH1、ADH2和交接模块CPL11、CPL12。 第二前方侧单位块B2的高度位置上设置疏水化处理模块ADH3、ADH4和交接模块CPL13、 CPL14。第三前方侧单位块B3的高度位置上设置疏水化处理模块ADH5、ADH6和交接模块 CPL15、CPL16。在第四前方侧单位块B4的高度位置设置交接模块CPL21和交接模块BU11。第五前方侧单位块B5的高度位置设置交接模块CPL22和交接模块BU12。第六前方侧单位块B6 的高度位置设置交接模块CPL23和交接模块BU13。说明中，记载为CPL的交接模块具备对载置的晶片W进行冷却的冷却台。记载为BU的交接模块收容多枚晶片W，能够滞留。此外，疏水化处理块ADHl ADH6向包括晶片W的斜角部的表面供给处理气体，提高疏水性。由此，即使在各液处理模块除去该周端部的膜的晶片W的表面剥离的状态下，该表面具有防水作用，抑制液浸曝光时从该周端部剥离各膜。此外，架单元U7中，在载体块Sl的交接臂13尽可能高的位置设置构成搬入搬出用交接部的交接模块BUI、CPLlO0交接模块BUl为了一起接收从已述的交接臂13搬送的晶片W，在上下方向具备5个晶片W的保持部。搬送到交接模块BUl的晶片W，由控制部51 分配的序号小的开始依次分配到各单位块。交接模块CPLlO用于将晶片W返回载体C。架单元U7上设置检查模块31。检查模块31检查显影处理后的晶片W，检查图像倒置、线宽异常、抗试剂溶剂不好等的各种检查项目有无异常。从前方侧单位块B4 B6搬出晶片W时，搬入检查模块31的晶片W，例如搬送到交接模块BUll BU13。没有搬送到检查模块31的晶片W从交接模块CPL不通过交接模块BUll BU13，返回载体C。如此分别使用交接模块，控制晶片W的搬送，使得依照上述序号小的顺序，即从载体C的搬出顺序，晶片W返回载体C。此外，前方侧处理块B2中，在架单元U7附近，设置作为能够自由升降、自由进退的第一交接机构的交接臂30。该交接臂30在架单元U7的各模块之间搬送晶片W。接着，说明后方侧处理块S3。该后方侧处理块S3，由对晶片W进行液处理的第一 第六的后方侧单位块Dl D6层叠而构成。后方侧单位块Dl D6，位于各个前方侧单位块Bl B6相同的高度。这些后方侧单位块Dl D6以与前方测单位块大致相同的布局构成，具备对应于液处理单元21的液处理单元32、加热模块、与作为单位块用的搬送单元的主臂A对应的主臂E、与上述搬送区域Rl对应的搬送区域R2。各单位块D由主臂E相互独立的搬送晶片W，进行处理。以下，参照图1，作为代表，对第一后方侧单位块Dl进行说明。该后方侧单位块Dl的液处理单元32上，向着接口块S4依次设置保护膜形成模块 TCT1、背面清洁模块BST1。保护膜形成模块TCT1，除了向晶片W供给形成防水性保护膜用的药液之外，与防反射膜形成模块BCTl相同结构。即，保护膜形成模块TCTl每2个具备用于分别处理晶片W的处理罩23和旋转夹具22，2个处理罩23和旋转夹具22共有喷嘴M。背面清洁模块BST与防反射膜形成模块BCT相同结构，指示在每个处理罩23上设置向晶片W的背面和斜角部供给清洁液进行清洁的未图示的喷嘴代替喷嘴M。此外，背面清洁模块BST，也可以构成为向背面或斜角部的一个供给清洁液。此外，以与液处理单元32 相对的方式设置各架单元U8 U12，各架单元，由2个加热模块33构成。后方侧单位块D2与已述的第一后方侧单位块Dl相同结构。第二后方侧单位块D2上设置的保护膜形成模块为TCT2、背面侧清洁模块为BST2。第三后方测单位模块D3上设置的保护膜形成模块为TCT3、背面侧清洁模块为BST3。第四后方侧单位块D4与第一后方侧单位块Dl的不同在于，代替保护膜形成模块 TCTl和背面清洁模块BSTl，具备负极显影模块NTDl、NTD2。该负极显影模块NTD向晶片W 供给对负型抗蚀剂显影的显影液，进行显影处理(负显影)。除去显影液的种类不同，负极显影模块NTDl与显影模块DEV同样构成。第五后方侧单位块D5，作为负极显影模块具备 NTD3、NTD4,第六后方侧单位块D6，作为负极显影模块具备NTD5、NTD6。负极显影模块NTD使用的显影液、防反射膜形成模块BCT使用的药液和抗蚀剂膜形成模块COT使用的抗蚀剂，包括有机溶剂。负极显影模块NTD的处理罩23、防反射膜形成模块BCT和抗蚀剂膜形成模块COT的处理罩23上连接对使用完成的药液和显影液进行排液的排液路径，这些排液路径的下游侧相互合流。这些NTD、BCT和COT连接的排液路径，与其它液处理模块连接的排液路径分开设置，将有机溶剂与来自其它的液处理模块的排放液区别排液。各层的搬送区域R2的前方侧处理块S2侧，如图1和图3所示，架单元U13横跨各后方侧单位块Dl D6设置。对该架单元U13的结构进行说明。架单元U13，由相互层叠的多个模块构成。在第一后方侧单位块Dl的高度位置设置交接模块CPL31、CPL32。在第二后方侧单位块D2的高度位置设置交接模块CPL33、CPL34。在第三后方侧单位模块D3的高度位置设置交接模块CPL35、CPL36。此外，在第四后方侧单位模块D4的高度位置设置交接模块CPL41、CPL42。在第五后方侧单位模块D5的高度位置设置交接模块CPL43、CPL44。 在第六后方侧单位模块D6的高度位置设置交接模块CPL45、CPL46。构成架单元U13的模块上，在与该模块相同的高度位置能够存在某后方侧单位块 D的主臂E和前方侧单位块B的主臂A。此外，后方侧处理块S3，在架单元U13的附近设置交接臂40，构成为自由升降，相对于架单元U13进退自由。交接臂40，在位于架单元U13的单位块Bl B6的高度位置的各模块之间搬送晶片W。接着，参照图5说明接口块S4的结构。接口块S4上，在各后段侧单位块的主臂 El E6能够存在的位置设置架单元Ull。架单元U11，在后方侧单位块D4、D5、D6的高度位置分别具备TRS1、TRS2、TRS3。单位块D1、D2、D3的高度位置分别具备CPL51、CPL52、CPL53。 此外，架单元Ull具备交接模块BU21 BU23、CPL54。这些模块相互层叠而设置。此外，接口块S4上，层叠设置例如4个曝光后清洁模块PIRl PIR4。各曝光后清洁模块PIR与抗蚀剂膜形成模块COT同样结构，向晶片W表面供给保护膜去除或清洁用的处理液代替抗蚀剂。此外，接口块S4上设置2个接口臂35、36。接口臂35、36构成为能够自由升降和自由进退，接口臂35构成为在水平方向自由移动。接口臂35存在于曝光装置S5、交接模块 BU21、CPL54，在这些之间交接晶片W。接口臂36存在于构成架单元Ull的各模块和曝光后清洁模块PIRl PIR4，在这些模块之间交接晶片W。接着，参照图6说明涂敷显影装置1上设置的控制部51。图中的52为总线，图中的53为CPU，M为程序。该程序M上编入了向涂敷显影装置1的各部输出控制信号，如后所述在模块之间搬送晶片W，对各晶片W进行药液、清洁液的供给、加热等的处理的命令(各步骤)。该程序M，例如存储在软磁盘、光盘、硬盘、MO (光磁盘)存储卡等的存储介质，安装在控制部51上。此外，总线52与存储器55连接。例如，存储器55具备写入处理温度、处理时间、 各药液的供给量或电力值等的处理参数的值的区域，CPU53执行程序M的各命令时，读出这些的处理参数，对应于该参数值的控制信号输入该涂敷显影装置1的各部位。此外，存储器55上设置搬送时间存储区域56。该存储区域56存储与晶片W的ID、 该晶片W的搬送目的地的模块、被搬送的模块的顺序相互对应的搬送时间。此外，该搬送时间表中存储各液处理模块中2个处理罩23中，搬入哪个。该搬送时间表，在晶片W处理前预先设定，但是如后所述，决定向单位块或模块的搬送停止时，与搬送停止的单位块或模块对应变更，以变更的时间表进行搬送。此外，在总线52上连接设定部57。设定部57例如由键盘、鼠标、触摸屏等构成， 用户能够选择晶片W的搬送模式。全部的单位块能够动作的状态的搬送模式为通常搬送模式，该通常搬送模式中，能够选择抗蚀剂膜形成模块COT中进行负型抗蚀剂的涂敷、后段侧单位块D4 D6中进行显影处理的第一通常搬送模式Fl ；抗蚀剂膜形成模块COT中进行正型抗蚀剂的涂敷、前段侧单位块B4 B6中进行显影处理的第二通常搬送模式G1，相当于用户能够从设定部57选择执行的通常搬送模式。此外，用户在通常搬送模式Fl或Gl的执行中，能够对应于进行维修的单位块将搬送模式替换为后述的F2 F3或者G2 G3。此外，该搬送模式的替换，也有后述那样的自动替换的情况。搬送模式进行切换，对应于切换的搬送模式搬送时间表变化，向各主臂A、 E、交接臂13、30、40、接口臂35、36输送控制信号，切换晶片W的搬送目的地。此外，用户能够从设定部57指定晶片W的ID，在检查模块31进行检查设定晶片W。主臂A、E，向控制部51输出例如对应于其位置的位置信号，基于该位置信号，控制部51判定主臂A、E的动作有无异常。此外，各处理模块对应于其动作向控制部51输出信号，基于该信号，控制部51判定各处理模块的动作有无异常。如此，控制部51判定主臂A、 E、各单位块的处理模块动作有异常的情况下，进行上述搬送模式的变更。(通常搬送模式Fl)接着，对执行通常搬送模式Fl时的涂敷显影装置1中的晶片W的搬送路径进行说明。图10为表示该搬送路径的概略的图，从载体C取出到缓冲模块BUl的晶片W，分配到第一 第三的前方侧单位块Bl B3，分别接收处理，之后，以第一前方侧单位块Bl —第一后方侧单位块D1、第二前方侧单位块B2 —第二后方侧单位块D2、第三前方侧单位块B3 —第三后方侧单位块D3的路径分别搬送。在第一 第三后方侧单位块Dl D3接收处理的晶片W，搬入曝光装置S5，分配到第四 第六后方侧单位块D4 D6，接收显影处理。在该例中，分配到后方侧单位块D1、D2、D3的晶片W，分别分配到后方侧单位块D4、 D5、D6，之后，分别通过前方侧单位块B4、B5、B6，返回载体C。此外，晶片W，从控制部51分配的序号小的开始依次，例如以单位块B1、B2、B3、B1、B2、B3、B1……的顺序，循环着分配到单位块Bl B3。晶片W的搬送路径，以模块单位详细说明，以从交接模块BUl分配到第一前方侧单位块Bl的方式设定的晶片W，以交接臂30 —疏水化处理模块ADH1、ADH2的顺序被搬送， 进行疏水化处理。之后，主臂Al，以交接模块CPLll —防反射膜形成模块BCTl —加热模块 27 —交接模块CPL12 —抗蚀剂膜形成模块COTl —加热模块27 —交接模块CPL31的顺序搬送上述晶片W，在晶片W上依次形成防反射膜、负型抗蚀剂膜。上述晶片W，由主臂El搬入第一后方侧单位块D1，依次搬送到保护膜形成模块 TCTl —加热模块33 —交接模块CPL32，形成保护膜，接着，搬送到背面清洁模块BST1，接收背面清洁处理。其后，晶片W以主臂El —交接模块CPL41的顺序被搬送，并被搬入到接口块S4。其后，以接口臂36 —交接模块BU22、BU23 —接口臂36 —交接模块CPLM —接口臂 35 —曝光装置S5的顺序搬送晶片W，进行液浸曝光。图8、图9表示在该曝光装置S5的处理的样子。图中61为载置被曝光的晶片W的工作台，围绕铅直轴旋转。N为晶片W的凹口。63为曝光头，一边对晶片W进行曝光一边移动。曝光头63，一边如点化线的箭头所示向晶片W照射光，一边在晶片W的一边侧和另一边侧之间移动，每当进行该移动时以与移动方向正交的方式错开。由此，在晶片W上形成网状的曝光区域64。图中曝光区域64上附有多个点。之后，90度旋转晶片W，曝光头63在此在晶片W上同样动作，在晶片W上曝光为井字形。图中65为非曝光区域。液浸曝光后的晶片W，以接口臂35 —交接模块BU21 —接口臂36 —曝光后清洁模块PIRl PIR4 —接口臂36 —交接模块TRSl的顺序被搬送。然后，上述晶片W，由主臂E4， 以加热模块33 —交接模块CPL41 —负极显影模块NTDl NTD2的顺序被搬送到第四后方侧单位块D4，非曝光区域65溶解在显影液中，形成排列成格子状的孔的图案。其中，上述孔， 例如在接触孔的形成中被利用。显影后，晶片W以主臂E4 —加热模块33 —交接模块CPL42 的顺序被搬送。主臂A4将上述晶片W以交接模块CPL21 —交接臂30 —交接模块BUll —交接臂 30 —检查模块31的顺序搬送，检查后，以交接臂30 —交接模块CPLlO —交接臂13的顺序搬送，交接臂13使得该晶片W返回载体C。其中，不是检查对象的晶片W，在显影、加热处理后，以交接模块CPL21 —交接臂30 —交接模块CPLlO —交接臂13 —载体C的顺序被搬送。分配给第二前方侧单位块B2的晶片W，以与分配给第一前方侧单位块Bl的晶片 W同样的顺序，在模块之间被搬送，接收同样的处理。以下，简单说明分配给第二前方侧单位块B2的晶片W的搬送路径。该晶片W，以交接模块BUl —交接臂30 —疏水化处理模块 ADH3、ADH4的顺序被搬送，之后，主臂A2将该晶片W以交接模块CPL13 —防反射膜形成模块BCT2 —加热模块27 —交接模块CPL14 —抗蚀剂膜形成模块C0T2 —加热模块27 —交接模块CPL33的顺序搬送，形成负型抗蚀剂膜。其后，通过主臂E2，上述晶片W，以保护膜形成模块TCT2 —加热模块33 —交接模块CPL34 —背面侧清洁模块BST2 —交接模块CPL52的顺序被搬送，交接到接口臂36之后， 以与分配到第一前方侧单位块Bl的晶片W同样的路径，依次向曝光装置S5、曝光后清洁模块P^搬送。其后，上述晶片W，以上述曝光后清洁模块P^ —接口臂36 —交接模块TRS2 — 主臂E5 —加热模块33 —交接模块CPL43 —负极显影模块NTD3 NTD4的顺序被搬送。其后，晶片W以主臂E5 —加热模块33 —交接模块CPL44 —主臂A5 —交接模块 CPL22 —交接臂30 —交接模块BU12 —交接臂30 —检查模块31 —交接臂30 —交接臂30 — 交接模块CPLlO —交接臂13—载体C的顺序被搬送。不是检查对象的晶片W，在显影、加热处理后，从交接模块CPL22，通过上述路径，返回载体C。分配给第三前方侧单位块B3的晶片W，在模块间被搬送，使得也与分配给第一前方侧单位块Bl的晶片W同样的顺序接收处理。以下，简单说明搬送路径。以交接模块BU1 —交接臂30 —疏水化处理模块ADH5、ADH6的顺序被搬送后，主臂A3将该晶片W按照交接模块CPL15 —防反射膜形成模块BCT3 —加热模块27 —交接模块CPL16 —抗蚀剂膜形成模块 C0T3 —加热模块27 —交接模块CPL35的顺序被搬送，形成负型抗蚀剂膜。其后，晶片W，以主臂E3 —保护膜形成模块TCT3 —主臂E3 —加热模块33 —主臂 E3 —交接模块CPL36 —背面侧清洁模块BST3 —交接模块CPL53 —接口臂36的顺序被搬送。 以下，晶片W从上述路径被搬送到接口块S4，接收曝光、曝光清洁处理，接口臂36 —交接模块TRS3交接后，由主臂E6以加热模块33 —交接模块CPL43 —负极显影模块NTD5、NTD6的顺序搬送，进行显影处理。其后，晶片W，以主臂E6 —加热模块33 —交接模块CPL44 —主臂A5 —交接模块 CPL23 —交接臂30 —交接模块BU13 —交接臂30 —检查模块31 —交接臂30 —交接模块 CPLlO —交接臂13 —载体C的顺序被搬送。不是检查对象的晶片W，经过显影、加热处理后， 从交接模块CPL23，通过上述路径，返回载体C。(通常搬送模式Gl)接着，以与搬送模式Fl的差异为中心，参照图10对通常搬送模式Gl的搬送路径进行说明。与通常搬送模式Fl执行时同样，将晶片W，搬送到前方侧单位块Bl B3、后方侧单位块Dl D3和接口块S4、曝光装置S5。只是，各抗蚀剂膜形成模块C0T，向晶片W供给正型抗蚀剂。曝光后，分配给前方侧单位块B1、B2、B3的晶片W，分别搬入接口块S4的交接模块 TRS1、TRS2、TRS3。搬入交接模块TRSl的晶片W，以主臂E4 —交接模块CPL41 —主臂A4的顺序被传递，搬入前方侧单位块B4，主臂A4，将该晶片W，传递到加热模块27 —交接模块CPL42 —显影模块DEVI、DEV2 —加热模块27 —交接模块CPL21。搬入交接模块TRS2的晶片W，以主臂E5 —交接模块CPL43 —主臂A5的顺序被传递，搬入前方侧单位块B4。主臂A5，将该晶片W，传递到加热模块27 —交接模块CPL44 —显影模块DEV3、DEV4 —加热模块27 —交接模块CPL22。交接模块TRS3的晶片W，以主臂E6 —交接模块CPL45 —主臂A6的顺序被传递，搬入前方侧单位块B6，主臂A6，将该晶片W，传递到加热模块27 —交接模块CPL46 —显影模块 DEV5、DEV6 —加热模块27 —交接模块CPL23。如此搬送到交接模块CPL21 CPL23的晶片 W，与通常搬送模式Fl执行时同样，搬送到载体C。例如，该通常搬送模式G1，如图9所示， 对晶片W整体进行1次曝光后，工作台61旋转，不进行曝光头63的再移动和再曝光，形成与通常搬送模式Fl不同形状的抗蚀剂图案。(搬送模式F2)接着，对执行搬送模式F2的情况进行说明。该搬送模式F2，是在搬送模式Fl执行时，前方侧单位块Bl B3中，任一单位块不进行处理的情况下执行的搬送模式，在能够处理的前方侧单位块Bl B3进行处理后，晶片W分配到单位块Dl D3进行搬送。以下，参照图11，对例如控制部51检测出搬送臂Al异常的情况进行说明。检测出上述异常，控制部 51停止搬送臂Al的动作和前方侧单位块Bl的各处理模块的动作。通过交接臂30，后续的晶片W在第二、第三前方侧单位块B2、B3交替搬送，在已述的搬送路径，各晶片W搬送到各前方侧单位块B2、B3，接收处理，然后，搬送到架单元U13的交接模块CPL33、CPL35。搬送到交接模块CPL33、CPL35的晶片W中，例如在通常搬送模式Fl执行时预定在前方侧单位块Bl被处理的晶片W，通过交接臂40搬送到交接模块CPL31，通过主臂El搬入后方侧单位块Dl。其它的晶片W，从交接模块CPL32、CPL33通过主臂E2、E3分别搬入后方侧单位块D2、D3。以下，与通常搬送模式Fl执行时同样，各晶片W被搬送，接收处理。晶片 W的搬送停止的第一前方侧单位块Bi，用户能够进行在故障时的休息、定期检查、调整确认等的维修。前方侧单位块B2、B3中，不进行晶片W的处理的情况，也与该例相同，通过能够使用的前方侧单位块B进行处理，然后，通过交接臂40，将晶片W分配给将晶片W搬入各后方侧单位块B4 B6用的交接模块CPL。(搬送模式F3)接着，对执行搬送模式F3的情况进行说明。该搬送模式F3，是在搬送模式Fl执行时，后方侧单位块D1、D2、D3中的任一不进行处理的情况下执行的搬送模式。在前方侧单位块Bl B3接收处理的晶片W，分配到上述Dl D3的后方侧单位块中能够处理的后方侧单位块。以下，参照图12，对例如主臂El检测出异常的情况进行说明。控制部51停止主臂El的动作和后方侧单位块Dl的各处理模块的动作。将在前方侧单位块Dl处理过的晶片W搬送到交接模块CPL31，该晶片W，通过交接臂40，交替分配到架单元U13的交接模块 CPL33、CPL35，从交接模块CPL33、CPL35搬入后方侧单位块D2、D3，接收处理。曝光后，这些晶片W，通过接口臂37分配到后方侧单位块B4 B6，接收处理，与通常搬送模式Fl执行时同样，返回载体C。晶片W的搬送停止的第一后方侧单位块D1，用户能够进行已述的维修。在后方侧单位块D2、D3，不进行晶片W的处理的情况下也与该例同样，通过交接臂40，将晶片W分配给Dl D3中的能够使用的后方侧单位块D，晶片W在该单位块D处理后，分配到各后方侧单位块D4 D6。(搬送模式G2)接着，对搬送模式G2进行说明。该搬送模式G2，是搬送模式Gl在执行时，前方侧单位块B1、B2、B3中，任一个不能进行处理的情况下执行的搬送模式。在能够处理的前方侧单位块Bl B3进行处理后，将晶片W分配到单位块Dl D3，进行搬送的模式。图13表示与图11同样在前方侧单位块Bl不进行处理的情况下的搬送路径。除去在前方侧单位块 B4 B6进行显影处理代替后方侧单位块D4 D6，与搬送模式F2同样搬送晶片W。(搬送模式G3)接着，对搬送模式G3进行说明。该搬送模式G3，是在搬送模式Gl执行时，在后方侧单位块D1、D2、D3中的任一个不进行处理时执行的搬送模式，将在前方侧单位块Bl B3 接收处理的晶片W分配到上述Dl D3的后方侧单位块中能够处理的后方侧单位块。图13 表示与图11同样的在后方侧单位块Dl不进行处理的情况下的搬送路径。除了在前方侧单位块B4 B6进行显影处理代替后方侧单位块D4 D6之外，与搬送模式F3同样搬送晶片 I表示了晶片W的处理中，搬送模式自动从Fl和Gl切换的例子，但是，用户能够例如从设定部57选择停止晶片W的搬送的单位块，指示向搬送模式F2、F3、G2和G3的切换。 用户能够以已述的方式对停止搬送的单位块进行维修。上述例子中，三次都以停止向相同结构的单位块中的1个的晶片W的搬送为例进行说明，但是，也可以停止向相同结构的单位块中的2个晶片W的搬送。此外，搬送模式F2、 F3相互组合实施也可以，搬送模式G2、G3相互组合实施也可以。因此，可以同时停止向前方侧单位块Bl B3中的1个或2个，后方侧单位块Dl D3中的一个或2个的晶片W的搬送。此外，涂敷显影装置1，依据在检查模块31检查晶片W的结果，能够停止向单位块的晶片W的搬送。具体说明如下在晶片W检查出异常时，控制部51将异常的检查项目、该晶片W的ID、搬送路径相互对应起来，作为检查履历存储在存储器55中。控制部51，基于到此为止存储在存储器55中的过去的检查履历，判断通过相同单位块的规定的枚数的晶片W，对于相同的检查项目，是否检查异常。在判定为检查出异常的枚数比规定的枚数少的情况下，继续进行处理。在判定检查出异常的枚数在规定的枚数以上的情况下，决定停止向该单位块的晶片W的搬送。进行了如此决定，控制部51控制各交接臂和接口臂的动作，使得晶片W分配到没有停止搬送的单位块，使用这些单位块继续进行晶片W的处理。此外，控制部51，停止决定停止搬送的单位块中的各处理模块的动作和主臂的动作。由此，用户能够对该单位块进行已述的维修。根据如此检查结果，停止单位块的搬送的情况下，与上述搬送模式F2、G2等的执行时不同，例如对通过发生异常的晶片W全部的单位块，停止搬送。S卩，单位块Bl B3和 Dl D3之外，单位块B4 B6和D4 D6也一样，向通过异常发生的晶片W的单位块的搬送停止。此外，涂敷显影装置1，能够停止向每个处理模块的晶片W的搬送。具体说明如下 控制部51检查出晶片W异常时，存储已述的检查的履历。接着，参照过去的检查的履历，通过相同处理模块的晶片W中，规定枚数的晶片W针对相同的检查项目判定检测出异常的情况下，控制部51停止向该处理模块的晶片W的搬送。即，单位块中，晶片W搬送到停止搬送的处理模块以外的同种处理模块，在单位块继续晶片W的搬送。但是，对于BCT、C0T、TCT和 BST，各单位块每个只设置1个，因此决定停止对这些液处理模块的搬送的情况下，例如停止向包括该液处理模块的单位块的晶片W的搬送。用户能够从设定部57设定，是对每个这样的单位块停止晶片W的搬送，还是停止处理模块单位的晶片W的搬送。根据该涂敷显影装置，层叠用于在晶片W上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的前方侧单位块Bl B3、层叠用于在抗蚀剂膜上形成上层侧的膜的后方侧单位块Dl D3， 前后连接这些层叠体，并且，在前方侧单位块Bl B3和对应的后段处理用的后方侧单位块 Dl D3之间的各层设置交接模块，通过交接臂40，在各交接模块之间能够进行晶片W的交接。因此，即使前方侧单位块Bl B3的任一个进行故障或维修等不能使用，在能够使用的前方侧单位块Bl B3进行处理后，也能够将晶片W分配到后方侧单位块Dl D3的各层。 此外，即使后方侧单位块Dl D3中的任一个，由于故障和维修不能使用，在前方侧单位块 Bl B3进行处理后，也能够将晶片W分配到后方侧单位块Dl D3中的能够使用的各层。 由此，能够实现避免生产效率的降低。此外，在前方侧单位块Bl B3的层叠体上，在后方侧单位块Dl D3的层叠体上，分别层叠用于进行显影处理的前方侧单位块B4 B6，后方侧单位块D4 D6，能够抑制装置的设置面积，抑制从装置的载体块Sl向着接口块S4的长度尺寸。此外，该涂敷、显显影装置1中，能够选择负显影、正显影，因此与多个设置分别进行这样的显影处理的涂敷显影装置的情况相比，能够实现成本的降低和工厂内的装置的设置面积的减少。此外，图8、图9所示的搬送模式Fl F3的曝光图案是一个例子，不限于上述那样晶片W的旋转前后进行曝光，曝光头63只在晶片W上扫描一次进行曝光也可以。涂敷显影装置1中，后方侧单位块Bl B3的各架单元U8 U12，除了加热模块 33，也可以具备在抗蚀剂涂敷后的晶片W上进行周边曝光的周边曝光模块TOE和检查模块。 这种情况下，搬入后方侧单位块Bl B3的晶片W，例如以周边曝光模块TOE —检查模块一保护膜形成模块TCT的顺序被搬送。上述检查模块，例如检查抗蚀剂膜的表面的异物有无和抗蚀剂的膜厚。在晶片W 检查出异常的情况下，控制部51基于搬送时间表进行已述的判定，对检查出异常的晶片W 通过的处理模块、单位块，停止后续的晶片W的搬送。此外，在后方侧单位块Bl B3，以保护膜形成模块TCT —加热模块33 —检查模块的顺序搬送晶片W，对保护膜形成后的晶片W 检查异物和各膜的膜厚也可以。这种情况下，在晶片W检查出异常，同样对通过晶片W的处理模块、单位块，停止后续的晶片W的搬送。此外，通过各检查模块的检查结果，停止向各处理模块的搬送，对于液处理模块 BCT、C0T、TCT、BST和DEV，例如能够控制向各处理罩每个的晶片W的搬送的停止。S卩，这些各处理模块中，向处理发生异常的晶片W的处理罩23的晶片W的搬送停止，而能够继续进行与该处理罩23共有喷嘴M的处理罩23的晶片W的搬送。如此，向处理罩23停止搬送晶片W的情况下，在装置内，为了调整晶片W的处理枚数，例如不使用1个BCT的处理罩23 的情况下，设定为不使用相同单位块的1个COT处理罩23。同样，例如不使用1个COT处理罩23的情况下，也不使用相同的单位块的1个BCT。即使是与如此向COT和BCT的处理罩23的搬送停止的单位块相同结构的单位块，停止向COT的1个处理罩23和BCT的1个处理罩23的搬送，调整晶片W的处理枚数也可以。此外，上述涂敷显影装置1中，TCT不是保护膜形成模块，而是在抗蚀剂膜的上层形成防反射膜的模块也可以。此外，在疏水化处理模块ADH的疏水化处理，代替在防反射膜形成模块BCT中形成防反射膜之前进行，在上述防反射膜形成后、抗蚀剂涂敷前形成也可以，在抗蚀剂涂敷后、向单位块B3、B4搬送晶片W之前进行也可以。在各液处理单元21、22中，向晶片W供给的药液，例如向涂敷显影装置1的下方侧设置的未图示的排液路径排出。在防反射膜形成模块BCT、抗蚀剂膜形成模块COT和保护膜形成模块TCT向晶片W供给的药液的粘度，比在显影模块DEV和NTD供给的显影液的粘度高，因此，该实施方式中，将显影模块DEV、NTD配置为上侧的单位块，其它的液处理模块配置为下侧的单位块，各药液能够迅速排出。作为其结果，各处理模块中，能够防止药液的挥发，能够防止液处理单元21内的处理环境发生变化。但是，包括显影模块DEV和负极显影模块NTD的单位块，也可以位于包括防反射膜形成模块BCT、抗蚀剂膜形成模块COT和保护膜形成模块TCT的单位块的下方。此外，如图15所示，在前方侧单位块B4 B6配置显影模块DEV，在后方侧单位块 D4 D6配置负极显影模块NTD也可以。如图16所示，前方侧单位块B4 B6和后方侧单位块D4 D6也可以包括显影模块DEV和NTD。此外，单位块B4 B6和D4 D6的液处理模块也可以全部由DEV或NTD构成。图17表示其它的接口块S4的结构。作为与已述的接口块S4的差异，可以举出层叠曝光前清洁模块RDl RD4设置和设置接口臂37。曝光前清洁模块RDl RD4，向曝光前的晶片W的表面供给清洁液，对该晶片W的表面溶出物进行清洗。在后方侧单位块Bl B3进行处理，分别搬入交接模块CPL51 CPL53的晶片W， 以接口臂36 —交接模块BU22 —曝光前清洁模块RDl RD4的顺序被搬送，由曝光前清洁模块RDl RD4清洁。其后，晶片W以接口臂37 —交接模块BU23 —接口臂36 —交接模块 CPL54 —曝光处理S5的顺序被搬送。此外，上述涂敷显影装置1，也可以具备避开后方侧单位块D4 D6中不能使用的单位块进行搬送的搬送模式H。该搬送模式H，停止向接口块S4的架单元U14中，不能使用的上述单位块交接晶片W用的交接模块的搬送。通过能够使用的单位块D4 D6，向架单元 U13搬送的晶片W，由交接臂40分配到各前方侧单位块B4 B6。例如，后方侧单位块D4的搬送臂E4故障，接口臂36，停止向对应于该后方侧单位块D4的交接模块TRSl的访问。接口臂36，将曝光后的晶片W分配到与后方侧单位块D5、 D6分别对应的交接模块TRS2、TRS3。交接模块TRS2、TRS3的晶片W，分别通过单位块D5、 D6，分别搬送到架单元U13的交接模块CPL43、CPL45。交接到上述交接模块CPL43、CPL45的晶片W中，设定为通过第四前方侧单位块B4 的晶片W，通过交接臂40分配到交接模块CPL41，搬入该单位块B4。对于其它晶片W，从交接模块43、45搬入前方侧单位块B5、B6。通过已述的路径，返回载体C。各单位块搬送中， 与已述的各模式同样，晶片W接收负显影或正显影。此外，上述涂敷显影装置1也可以具备避开前方侧单位块B4 B6中不能使用的单位块进行搬送的搬送模式I。该搬送模式I，接收曝光处理，向后方侧单位块的架单元U13 的交接模块CPL41、CPL43、CPL45搬送的晶片W中，将交接到与不能使用的上述单位块对应的交接模块CPL的晶片W，通过交接臂40搬送到其它的交接模块CPL。由此，通过前方侧单位块B4 B6中能够使用的单位块。例如，前方侧单位块B4的搬送臂A4故障，交接臂40，将接收曝光处理搬送到交接模块CPL41的晶片W，交替搬送到例如交接模块CPL43、CPL45，从CPL43、CPL45搬入前方侧单位块B5、B6。各单位块搬送中，与已述的各模式同样，晶片W接收负显影或正显影。搬送模式H、I或其它的搬送模式同样，用户能够任意从通常搬送模式F1、G1切换执行。此外，也能够与其它的搬送模式F2、F3、G1、G2同时执行。此外，如图18所示，例如也可以代替交接臂40，在架单元U13向与单位块Bl B3 对应的各交接模块搬送晶片W的第一交接臂41和例如向与单位块B4 B6对应的各交接模块搬送晶片W的第二交接臂42。这些第一和第二交接臂41、42相互分别构成，独立搬送晶片W，能够抑制各臂的搬送负荷，实现生产率的提高。符号说明Al A6 主臂BCT防反射形成模块Bl B6前方侧单位块COT抗蚀剂膜形成模块DEV显影模块Dl D6后方侧单位块
TCT保护膜形成模块
Sl载体块
S2前方侧处理块
S3后方侧处理块
S4接口块
W晶片
1涂敷显影装置
27、33加热模块
30、40交接臂
51控制部
权利要求
1.一种涂敷显影装置，将通过载体搬入到载体块的基板交接至处理块，该基板在该处理块中形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜后，通过相对于所述处理块位于与载体块相反侧的接口块被搬送到曝光装置，对通过所述接口块返回的曝光后的基板在所述处理块中进行显影处理，并将其交接至所述载体块，该涂敷显影装置的特征在于，包括a)所述处理块，该处理块包括上下层叠多个前段处理用的单位块形成的部件，所述前段处理用的单位块具备用于在基板上形成下层侧的防反射膜而供给药液的下层用的液处理模块；用于在所述防反射膜上形成抗蚀剂膜而供给抗蚀剂液的涂敷模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；多个后段处理用的单位块，该后段处理用的单位块包括在多个前段处理用的单位块的接口块侧与该前段处理用的单位块相邻地分别设置的、用于在形成有抗蚀剂膜的基板上形成上层侧的膜而供给药液的上层用的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；用于对曝光前的基板进行清洁的清洁模块；和用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧到接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；在前段处理用的单位块和对应的后段处理用的单位块之间分别设置的、用于在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接的涂敷处理用的交接部；上下层叠多个具备向基板供给显影液的液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构的显影处理用的单位块而形成，相对于上下层叠多个所述前段处理用的单位块形成的部件在上下方向层叠形成的第一显影处理用的层叠块；上下层叠多个具备向基板供给显影液的液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构的显影处理用的单位块而形成，相对于上下层叠多个所述后段处理用的单位块形成的部件在上下方向层叠而形成的第二显影处理用的层叠块；在第一显影处理用的层叠块的单位块、和与该单位块对应的第二显影处理用的层叠块的单位块之间分别设置的、用于在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接的显影处理用的交接部；和用于在各段的涂敷处理用的交接部之间以及各段的显影处理用的交接部之间进行基板的搬送的、能够自由升降而设置的辅助移载机构，b)针对各单位块在载体块侧设置的、在各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的搬入搬出用的交接部，c)用于从载体向与前段处理用的各单位块对应的搬入搬出用的所述交接部分配基板并进行交接，且从与显影处理用的各单位块对应的搬入搬出用的交接部使基板返回载体的第一交接机构；d)用于接收由所述处理块处理过的曝光前的基板，将曝光后的基板分配并交接给显影处理用的单位块的第二交接机构。
2.权利要求1所述的涂敷显影装置，其特征在于所述清洁模块具备用于对形成有抗蚀剂膜的基板的背面侧进行清洁的机构。
3.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于所述第一显影处理用的层叠块由进行正型显影的单位块组构成， 所述第二显影处理用的层叠块由进行负型显影的单位块组构成。
4.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于所述第一显影处理用的层叠块包括进行正型显影的单位块和进行负型显影的单位块，所述第二显影处理用的层叠块包括进行正型显影的单位块和进行负型显影的单位块。
5.如权利要求1 4中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于该涂敷显影装置还具备控制部，该控制部在前段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时，执行包括下述步骤的模式不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤；和该步骤之后，通过辅助移载机构将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的步骤。
6.如权利要求1 5中任一项说书的涂敷显影装置，其特征在于还具备控制部，该控制部在后段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时，执行包括下述步骤的模式不使用该单位块，通过不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤；和该步骤之后，通过所述辅助移载机构将该基板搬送到其它阶层的后段处理用的单位块的步骤。
7.如权利要求1 6中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于前段处理用的单位块的层叠数和后段处理用的单位块的各个的层叠数为3层。
8.如权利要求1 7中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于第一显影处理用的层叠块和第二显影处理用的层叠块的各个的单位块的层叠数为3层。
9.如权利要求1 8中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于所述辅助搬送机构具备用于进行各段的涂敷处理用的交接部之间搬送的第一辅助移载机构；和用于进行各段的显影处理用的交接部之间的搬送的第二辅助移载机构。
10.一种涂敷显影方法，其特征在于，使用权利要求1所述的涂敷显影装置，实施在前段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时，不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的工序；和之后，通过该后段处理用的单位块内的模块，进行形成上层侧的膜的工序和对基板进行清洁的工序。
11.一种涂敷显影方法，其特征在于 使用权利要求1所述的涂敷显影装置，实施在后段处理用的单位块发生故障时或者进行维修时，不使用该单位块，通过不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块，在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到其它阶层的后段处理用的单位块的工序；和之后，通过该后段处理用的单位块内的模块，形成上层侧的膜的工序和对基板进行清洁的工序。
12. —种存储介质，其是存储有涂敷显影装置中使用的计算机程序的存储介质，其特征在于所述计算机程序用于实施权利要求10或11所述的涂敷显影方法。
全文摘要
本发明提供一种涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质，在单位块发生异常、进行维修时，抑制涂敷显影装置的生产率降低且抑制处理块的设置面积。该涂敷显影装置具备在层叠的前段处理用单位块和分别对应的层叠的后段处理用的单位块之间设置的、在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接用的涂敷处理用的交接部；在各段的涂敷处理用的交接部之间进行基板的搬送用的能够升降自由的设置的辅助移载机构；和分别在所述前段处理用的单位块、后段处理用的单位块上层叠的显影处理用的单位块。在各层间，交接基板，因此能够避免不能使用的单位块搬送基板。此外，显影用的单位块层叠在前段处理用的单位块和后段处理用的单位块上，因此抑制设置面积。
文档编号H01L21/677GK102338984SQ20111020638
公开日2012年2月1日 申请日期2011年7月18日 优先权日2010年7月16日
发明者宫田亮, 松冈伸明, 林伸一, 榎木田卓 申请人:东京毅力科创株式会社