专利名称：大功率厚膜片式电阻器的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种片式电阻器的制造方法，尤其涉及一种厚膜片式电阻器的制造方法。
背景技术：
随着电子技术的飞速发展，不仅电子设备的功能越来越强大，而且体积也越来越小、集成度越来越高；这就要求电阻器也必须向小型化、大功率方向发展。目前，传统片式电阻采用的是氧化铝陶瓷基板，在70°C时的额定功率只有3W，不能满足现代电子设备的要求；若要提高片式电阻器的功率就必须解决体积大、散热效果差的问题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述缺陷，本发明旨在提供一种大功率厚膜片式电阻器的制造方法，采用该方法制造的厚膜片式电阻器具有体积小、功率大、散热效果好等优点。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、激光调阻、玻璃包封、烧成、裂片、端涂、电镀；其特征在于具体方法如下1)用去离子水对氮化铝陶瓷基片进行清洗，干燥；2)在清洗后的氮化铝陶瓷基片表面印刷钼银合金浆料形成表电极，保证印刷厚度干燥后达到16 25μπι;其中，钼银合金中金属钼的含量为1%，其余为金属银；3)在清洗后的氮化铝陶瓷基片背面印刷钼银合金浆料形成背电极，保证印刷厚度干燥后达到10 20 μ m ；4)将印刷有表电极和背电极的氮化铝陶瓷基片烧结8 12min，烧结温度为850°C；5)在烧结后的氮化铝陶瓷基片表面印刷常规的氧化钌浆料形成电阻体，保证印刷厚度干燥后达到20 32 μ m ；6)将印刷有电阻体的氮化铝陶瓷基片烧结8 12min，烧结温度为850°C；7)在电阻体上印刷玻璃浆料形成一次玻璃体，保证印刷厚度干燥后达到15 25μ m ；8)将印刷有一次玻璃体的氮化铝陶瓷基片烧结5 9min，烧结温度为600°C；9)用功率为0.8 1W、Q开关频率为600 800P/mm、调阻速度为100 300mm/s的激光对电阻体进行S形切割，调节其阻值达目标阻值和精度；10)用去离子水冲洗电阻体表面，干燥；11)在一次玻璃体的表面印刷玻璃浆料形成二次玻璃体，保证印刷厚度干燥后达到 25 40 μ m ；12)将印刷有二次玻璃体的氮化铝陶瓷基片分裂成裂片条，在该裂片条的端面涂刷常规的银浆形成端电极；13)将涂刷有银浆的裂片条烧结5 9min，烧结温度为600°C；14)将烧结后的裂片条分裂成块状，然后镀镍、镀锡，保证镍层厚度为5 15μ m、锡层厚度为6 20 μ m。
与现有技术比较，本发明由于在传统厚膜片式电阻器制造方法的基础上，用氮化铝陶瓷基片取代原来的氧化铝陶瓷基片，因此当产品的功率提高到4-6W时也具有良好的热传导性能；另外，由于减小了激光功率以及改变了调阻方式，因此能够避免传统调阻方式因激光束直接照射到氮化铝陶瓷基片并激发出铝原子，从而致使激光刻槽边缘金属化、切割口不能完全绝缘而影响产品性能的缺陷。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明1)将氮化铝含量为96%以上的陶瓷基片放入频率为10 20KHZ、功率为25 50W的超声波清洗槽中，用电阻率为2ΜΩ以上的去离子水对其清洗2 lOmin，然后干燥25min， 干燥温度为100°C ；2)在清洗后的氮化铝陶瓷基片表面印刷钼银合金浆料形成表电极，干燥lOmin，保证印刷厚度在干燥后达到16 25 μ m ；干燥温度为125°C，所述钼银合金浆料由钼银合金按常规方法配制而成，钼银合金中金属钼的含量为1%，其余为金属银；3)在清洗后的氮化铝陶瓷基片背面印刷上述钼银合金浆料形成背电极，干燥lOmin，保证印刷厚度干燥后达到10 20 μ m，干燥温度为125°C ；4)将印刷有表电极和背电极的氮化铝陶瓷基片烧结8 12min，烧结温度为850°C；5)在烧结后的氮化铝陶瓷基片表面印刷氧化钌浆料形成电阻体，干燥lOmin，保证印刷厚度干燥后达到20 32 μ m，干燥温度为125°C ；6)将印刷有电阻体的氮化铝陶瓷基片烧结8 12min，烧结温度为850°C；7)在电阻体上印刷玻璃浆料形成一次玻璃体，干燥lOmin，保证印刷厚度干燥后达到 15 25 μ m，干燥温度为125°C ；8)将印刷有一次玻璃体的氮化铝陶瓷基片烧结5 9min，烧结温度为600°C；9)用功率为0.8 1W、Q开关频率为600 800P/mm、调阻速度为100 300mm/s的激光对电阻体进行S形切割，调节其阻值达目标阻值和精度；10)用电阻率为1ΜΩ以上流动的去离子水冲洗电阻体的表面，同时用毛刷沿水流方向单向洗刷，以除去电阻体的表面杂质和沟槽中的粉末；干燥10 15min，干燥温度为150°C;11)在一次玻璃体的表面印刷二次玻璃体，干燥IOmin；保证印刷厚度干燥后达到25 40 μ m，干燥温度为200°C ；12)将印刷有二次玻璃体的氮化铝陶瓷基片分裂成裂片条，并在裂片条的端面涂刷银浆形成端电极；13)将涂刷有银浆的裂片条烧结5 9min，烧结温度为600°C；14)将烧结后的裂片条分裂成块状，然后镀镍、镀锡；保证镍层厚度为5 15μ m、锡层厚度为6 20 μ m。
权利要求
1. 一种大功率厚膜片式电阻器的制造方法，包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、激光调阻、玻璃包封、烧成、裂片、端涂、电镀；其特征在于具体方法如下1)用去离子水对氮化铝陶瓷基片进行清洗，干燥；2)在清洗后的氮化铝陶瓷基片表面印刷钼银合金浆料形成表电极，保证印刷厚度干燥后达到16 25μπι;其中，钼银合金中金属钼的含量为1%，其余为金属银；3)在清洗后的氮化铝陶瓷基片背面印刷钼银合金浆料形成背电极，保证印刷厚度干燥后达到10 20 μ m ；4)将印刷有表电极和背电极的氮化铝陶瓷基片烧结8 12min，烧结温度为850°C；5)在烧结后的氮化铝陶瓷基片表面印刷氧化钌浆料形成电阻体，保证印刷厚度干燥后达至Ij 20 32 μ m ；6)将印刷有电阻体的氮化铝陶瓷基片烧结8 12min，烧结温度为850°C；7)在电阻体上印刷玻璃浆料形成一次玻璃体，保证印刷厚度干燥后达到15 25μ m ；8)将印刷有一次玻璃体的氮化铝陶瓷基片烧结5 9min，烧结温度为600°C；9)用功率为0.8 1W、Q开关频率为600 800P/mm、调阻速度为100 300mm/s的激光对电阻体进行S形切割，调节其阻值达目标阻值和精度；10)用去离子水冲洗电阻体表面，干燥；11)在一次玻璃体的表面印刷玻璃浆料形成二次玻璃体，保证印刷厚度干燥后达到 25 40 μ m ；12)将印刷有二次玻璃体的氮化铝陶瓷基片分裂成裂片条，在该裂片条的端面涂刷银浆形成端电极；13)将涂刷有银浆的裂片条烧结5 9min，烧结温度为600°C；14)将烧结后的裂片条分裂成块状，然后镀镍、镀锡，保证镍层厚度为5 15μ m、锡层厚度为6 20 μ m。
全文摘要
本发明公开了一种大功率厚膜片式电阻器的制造方法，属于片式电阻制造方法；旨在提供一种体积小、功率大、散热效果好的片式厚膜电阻器的制造方法。它包括表电极和背电极以及电阻体制作、包封、调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；具体方法是清洗基片，印刷表电极和背电极，电极烧结，印刷电阻体，电阻体烧结，印刷一次玻璃体，一次玻璃体烧结，激光调阻，清洗电阻体，印刷二次玻璃体，一次裂片、端涂电极，端电极烧结，二次裂片、镀镍、镀锡。本发明制造的产品具有阻值精度高、功率大、散热性能好、可靠性高等优点，完全能满足现代电子产品的要求。
文档编号H01C7/00GK102496436SQ20111041175
公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月12日 优先权日2011年12月12日
发明者刘剑林, 刘金鑫, 周瑞山, 廖东, 张青, 朱沙, 罗怡, 蒲蓉, 陈思纤, 韩玉成 申请人:中国振华集团云科电子有限公司