专利名称：用于快速估计集成电路布局中的光刻绑定图案的方法
用于快速估计集成电路布局中的光刻绑定图案的方法技术领域
本发明广义地涉及用于在半导体芯片上形成集成电路(IC)图案的特征的光刻印刷，并且具体地涉及在选择和使用照射源特性与标线掩模上的衍射形状的组合时的改进， 并且更具体地涉及在标识和优先化IC设计部分的改进，其中在IC设计部分上更加经济成本地执行光刻过程的优化。
背景技术：
在集成电路的制造中普遍使用光刻过程，在这些过程中，通过经过图案化的掩模投射辐射来图案化晶片以在称为光抗蚀剂或者简称为抗蚀剂的光敏材料上形成图像图案。 曝光的抗蚀剂材料被显影以形成与图像图案对应的开口，然后通过如本领域已知的方法、 比如蚀刻向晶片衬底传送图案。
已经开发许多方法以补偿在光学光刻系统的分辨率逼近用来在半导体芯片上形成器件和集成电路(IC)的所需光刻图案的关键尺度(CD)时出现的图像退化。关键尺度 (CD)指代在设计规范所要求的在特征与特征重复(节距)之间的、且对于器件在芯片上的恰当工作而言关键的特征尺寸和间隔。当所需IC图案的CD逼近光刻系统的分辨率(定义为系统可以可靠印刷的最小尺度)时，图像失真变成显著问题。如今，光刻工具的有限分辨率带来IC制造中的关键技术挑战，并且这一困难将在将来随着关键尺度变得越来越小而增加。为了使将来IC产品的制造可行，将要求光刻工具在最小CD与光刻系统的分辨率之比很低时实现充分图像保真度。
基本光刻系统由光源，包含将向晶片传送的图案的光掩模、透镜组和用于对准晶片上的现有图案与掩模上的图案的装置构成。如这里描述的掩模设计过程覆盖来自芯片设计、基于模型的光学邻近校正(MBOPC)、OPC验证和掩模制作的步骤。
光刻系统的分辨率P可以由下述等式描述
# = Ii1;等式 I
其中P是可以光刻印刷的最小特征尺寸，λ是投影系统中所用光源的波长，并且 NA(数值孔径)是投影光学器件可以收集的光数量的测量。K1是因子，该因子代表光刻过程的除了波长或者数值孔径之外的方面、比如抗蚀剂性质或者使用增强型掩模。当照射源是部分相干时，K1可以表达为1/[2(σ+1)]，其中σ是源的部分相干性的测量，其中σ具有在O与I之间的值。用于K1的典型值范围从约O. 7至O. 3。
低K1图案化通常对诸如剂量、掩模CD、焦距等光刻参数的波动极为敏感，这造成小的工艺窗口。已经提出用于优化源照射与掩模图案一起的组合(下文称为源-掩模优化或者“SM0”)的方法可以产生改进的工艺窗口(例如参见美国专利6，563，566)。然而SMO方法计算成本很高，并且对全芯片布局执行SMO不切实际。因此应当仅考虑从全芯片布局选择的“难以印刷”图案通过计算密集方法、比如SMO以实现全优化。
目前使用针对具体芯片设计而实验确定的预定规则集来标识所谓“难以印刷”图案。然而这样的规则在一般情况下不适用。其它方法则依赖于对于许多应用而言太缓慢的近似成像方法。
鉴于上文，需要一种用于标识可以被优先化用于利用全优化方法处理的“难以印刷”图案的快速方法。发明内容
本发明提供一种用于设计集成电路布局的方法和计算机程序产品，该方法包括以下步骤提供待印刷的特征的多个布局；针对多个布局中的每个布局确定空间频率空间中的衍射级；提供光刻难度度量；针对多个布局中的每个布局计算光刻难度度量的值；并且基于光刻难度度量的值评价多个布局中的每个布局。
本发明的光刻难度度量是以下因子的函数能量比因子，包括所述衍射级沿着空间频率空间的角度坐标Qi的难以印刷能量与易于印刷能量之比，其中难以印刷能量包括衍射级在空间频率空间的归一化径向坐标r的值处的能量，这些值在r = O的邻域中和在 r = I的邻域中，并且易于印刷能量包括衍射级位于归一化径向坐标r的中间值处的能量， 这些中间值在r = O的邻域与r = I的邻域之间；能量熵因子,包括衍射级沿着角度坐标 Θ i的能量熵；相位熵因子，包括衍射级沿着角度坐标Θ i的相位熵；以及总能量熵因子，包括衍射级的总能量熵。
根据本发明的一个方面，该方法还包括对多个布局中的具有光刻难度度量的值比预定光刻难度阈值更大的每个布局执行全优化处理。
根据本发明的另一方面，多个布局包括特征的图案的唯一瓦片集合，从而全芯片布局由从唯一瓦片集合选择的多个瓦片的布置构成。
可以通常设置预定光刻难度阈值以标识所述唯一瓦片集合中的唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是全芯片布局的绑定图案。
根据本发明的又一方面，在角度坐标Θ i的所选值计算光刻难度度量的计算的值， 并且该方法还包括针对多个布局中的每个布局确定全局光刻难度度量，全局光刻难度度量包括来自角度坐标Θ i的所选值之中的光刻难度度量的最大值。
在另一方面中，提供一种设计集成电路布局的方法，该方法包括以下步骤提供设计瓦片集合，其中集合中的设计瓦片中的每个设计瓦片包括待印刷的特征的唯一图案布局；提供多个芯片布局，其中芯片布局中的每个芯片布局由从设计瓦片集合选择的瓦片布置构成；提供光刻难度度量。该方法还包括针对芯片布局中的每个芯片布局执行以下方法步骤针对瓦片布置中的每个唯一瓦片确定空间频率空间中的衍射级；针对瓦片布置中的唯一瓦片中的每个唯一瓦片计算光刻难度度量的值；基于光刻难度度量的值评价唯一瓦片中的每个唯一瓦片。
根据本发明的方法可以实施于一种包括计算机可用介质的计算机程序产品和计算机系统中，该计算机可用介质包括计算机可读指令，其中计算机可读指令当在计算机上执行时使计算机或者计算机系统执行以下方法步骤提供待印刷的特征的多个布局；针对多个布局中的每个布局确定空间频率空间中的衍射级；提供光刻难度度量；针对多个布局中的每个布局计算光刻难度度量的值；并且基于光刻难度度量的值评价多个布局中的每个布局。
将从本发明的以下具体实施方式
中清楚本发明的前述和其它特征以及优点。
参照附图，在附图中，相似要素在未必按比例绘制的若干图中编号相似
图I图示了常规光刻成像系统的示意图。
图2图示了待印刷的重复图案的单位单元的例子。
图3图示了与图2的单位单元对应的在方向或者空间频率空间中的衍射级绘图。
图4图示了根据本发明的方法的一个实施例。
图5图示了设计布局的部分的示意图。
图6图示了在空间频率或者方向空间中的绘图，在该绘图中，角度坐标划分成区域。
图7A-7D图示了可变节距的光栅图案和衍射级幅度在空间频率空间或者方向空间中的对应绘图的例子。
图8A图示了相对难以印刷图案的能量在方向空间中的示意绘图。
图8B图示了相对易于印刷图案的能量在方向空间中的示意绘图。
图9图示了易于印刷滤波器的绘图。
图10图示了难以印刷滤波器的绘图。
图11图示了难以印刷和易于印刷滤波器的例子的另一绘图。
图12图示了衍射级能量值的分布函数绘图。
图13图示了待印刷的特征图案的部分。
图14图示了根据本发明的方法的一个实施例。
图15图示了计算机系统和包括用于执行这些方法步骤的指令的计算机程序产品O具体实施方式
本发明提供一种用于设计和优化用于在集成电路的制造中使用的布局，并且更具体地用于标识和优先化将针对其执行全优化方法的部分该布局的方法和装置。
在图I中图示了投影光刻系统的基本部件。照射源110提供照射也称为标线 (reticle)的掩模120的辐射；可以可互换地使用术语掩模和标线。标线120包括如下特征，这些特征作用于经过透镜140衍射照射辐射，该透镜向图像平面、例如半导体晶片150 上投射图像。从标线120向透镜140透射的辐射总量可以由光瞳130控制。照射源110可以能够控制各种源参数、比如方向和强度。晶片150通常包括光敏材料(称为抗蚀剂)。当抗蚀剂暴露于投射的图像时，显影的特征接近地符合期望IC电路和器件所需要的期望特征图案。
标线120上的特征图案充当与衍射光栅类似的衍射结构，该衍射结构透射可以构造性或者破坏性干涉的辐射图案。可以基于衍射光栅(或者标线120)的特征的间距在方向空间(或者也等效地称为空间频率空间)中以傅里叶变换方便地描述这一构造性和破坏性干涉图案。衍射能量的与衍射结构的空间频率关联的傅里叶分量在本领域中称为衍射级。例如零级与DC分量关联，但是更高级与照射辐射的波长相关并且与在重复衍射特征之间的间距(称为节距)反相关。当特征节距更小时，衍射角度更大，从而更高衍射级将在比透镜的数值孔径更大的角度衍射。
可以在方向空间中构造图以指示基于期望图案的重复尺度的光刻系统可以收集的衍射级。例如考虑图2中所示单位单元图案。单位单元图案具有在水平方向上重复的尺度203和对角重复尺度205指示的(可替换地，在竖直方向y上的节距201指示的)交错尺度。假设这一单位单元在衍射光栅中重复并且由轴上光束照射，衍射光栅的傅里叶变换是如图3中所示的可以在空间频率空间或者方向空间(ux，uy)中指示的衍射级a(ux，uy)。绘制衍射级(点300-326)的位置为以与轴上光束成角度衍射的光束的投射。绘制非零级与方向空间图300的中心(该中心代表零级的位置并且也是轴上光束的方向)的距离为从轴上光束的角度的正弦，该正弦是照射的波长除以重复距离之比。例如水平重复距离203代表的+2级由点301代表而-2级由点310代表。类似地，点305和319基于竖直重复距离 201代表+2和-2级。水平并且竖直衍射其它级、比如表示为{-1，+1}级的级308。透镜收集的仅有级是在光学系统的分辨率限制350内的300、301、310、303、308、313和312。圆 350的半径r是r= 1/2P = [(σ+1)ΝΑ]/λ。通常归一化半径r，并且为了易于讨论，下文将圆350称为单位圆。注意标线衍射的波前的幅度将依赖于照射幅度和掩模的衍射性质。
也可以如在下述等式中那样在空间频率范围中以径向坐标表示衍射级a(ux，Uy)
a (ux, uy) = a (r Z - θ )(等式 2)
其中r是在方向空间中的径向坐标，并且Θ是在方向空间中的角坐标。
芯片设计布局通常包含数以百万计的特征，这些特征中的许多特征布置于可以在整个芯片布局内重复的图案中。虽然可能希望执行对作为单个单位的整个芯片的优化，但是整个芯片的全优化由于比如计算机存储器、计算时间和成本这样的限制而不实际。出于优化的目的，将整个布局细分和分类成是在一起组装时详尽地代表芯片布局的，少的、计算的实际数目的唯一特征图案或者“瓦片”是有用的。优选地，最小瓦片尺寸包含特征集，从而位于瓦片边缘的特征在位于瓦片中心的特征周围的光学影响半径(ROI)内。ROI是位于 ROI以外的特征将基本上不会在预定可变性容差内影响目标(例如中心)特征的印刷时的距离。例如ROI可以设置成具有半径的区域，其中位于ROI以外的特征将按照少于5%的可变性容差影响在瓦片中心的特征的印刷尺寸。根据实际限制、比如存储器、CPU或者周转时间要求和成本选择最大瓦片尺寸。现在已知或者将来开发的任何方法可以用来标识这样的瓦片。如下文进一步讨论的那样，许多瓦片可以代表在布局内重复的图案，从而仅需针对整个布局对一个这样的瓦片执行一次根据本发明的分析。
根据本发明，针对给定瓦片j定义光刻难度(等效地称为“litho难度”)度量LD， 该度量LD提供第j个瓦片内的相对“难以印刷”图案比对相对“易于印刷”图案中的相对能量分布的测量。另外，沿着方向空间中的单位圆的给定角度坐标Qi定义Iitho难度度量， 其中为了方便，在下文中，索引i等效地指代给定角度坐标9i。用于第i个区域中的第j 个瓦片的Litho难度度量LNi是四个因素的函数1)能量比因子Af (见等式3)，该因子代表用于第j个瓦片的沿着空间频率空间中的角度坐标Θ i的“难以”印刷比对“易于”印刷衍射能量之比；2)能量熵因子Si (见等式4)，该因子代表用于第j个瓦片的沿着空间频率空间中的角度坐标Qi的能量熵的(通常归一化)测量；3)相位熵因子(见等式5)，该因子代表用于第j个瓦片的沿着空间频率空间中的角度坐标Θ i的相位熵的测量；以及4)总能量熵因子StI (见等式6)，该因子代表用于第j个瓦片的总能量熵的测量。
能量比因子A丨足义为
权利要求
1.一种设计集成电路布局的方法，包括以下步骤 提供待印刷的特征的多个布局(410)； 针对所述多个布局中的甸个布局确定空间频率空间中的衍射级(420)； 提供包括以下各项的函数的光刻难度度量(430，440) 能量比因子，包括所述衍射级沿着所述空间频率空间的角度坐标Θ i的难以印刷能量与易于印刷能量之比，其中所述难以印刷能量包括所述衍射级在所述空间频率空间的归一化径向坐标!■的值处的能量，所述值在!· = O的邻域中并且在r = I的邻域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射级的位于所述归ー化径向坐标r的中间值处的能量，所述中间值在所述r = O的邻域与所述r = I的邻域之间； 能量熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的相位熵；以及 总能量熵因子，包括所述衍射级的总能量熵； 针对所述多个布局中的每个布局计算所述光刻难度度量的值(450);并且 基于所述光刻难度度量的所述值评价所述多个布局中的姆个布局(460)。
2.根据权利要求I所述的方法，还包括对所述多个布局中的具有比预定光刻难度阈值更大的所述光刻难度度量的值的每个布局执行全优化处理(1360)。
3.根据权利要求I所述的方法，其中所述多个布局包括特征的图案的唯一瓦片集合，从而使得全芯片布局由从所述唯一瓦片集合选择的多个瓦片的布置构成(410)。
4.根据权利要求2所述的方法，其中设置所述预定光刻难度阈值以标识所述唯一瓦片集合中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全芯片布局的绑定图案。
5.根据权利要求I所述的方法，其中在所述角度坐标Θi的所选值计算所述光刻难度度量的所述计算的值，并且所述方法还包括针对所述多个布局中的每个布局确定全局光刻难度度量，所述全局光刻难度度量包括来自所述角度坐标Θ i的所述所选值之中的所述光刻难度度量的最大值(430，440)。
6.根据权利要求I所述的方法，还包括针对所述多个布局中的每个布局 计算全局能量比因子，所述全局能比因子包括在所述角度坐标Qi的所选值计算的所述难以印刷能量与易于印刷能量值之比的最大值(430)； 计算全局能量熵因子，所述全局能量熵因子包括在所述角度坐标Qi的所选值计算的所述能量熵值的最大值(440)； 计算全局相位熵因子，所述全局相位熵因子包括在所述角度坐标Qi的所选值计算的所述相位熵值的最大值(440);并且计算所述能量熵因子(440);并且 计算全局光刻难度度量值，所述全局光刻难度度量值包括所述计算的全局能量比因子、所述计算的全局能量熵因子、所述计算的全局相位熵因子和所述计算的能量熵因子的函数(450)。
7.根据权利要求I所述的方法，其中将所述空间频率空间细分成径向区域，每个径向区域包括角度坐标范围，并且所述方法还包括针对所述径向区域中的每个径向区域计算所述能量比因子、所述能量熵因子和所述相位熵因子的区域值。
8.根据权利要求I所述的方法，还包括根据所述角度坐标Qi的相对重要度加权所述能量比因子、所述能量熵因子、所述相位熵因子和所述光刻难度度量(460)。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述加权基于照射源的分布(460)。
10.一种设计集成电路布局的方法，包括以下步骤 提供设计瓦片集合，其中所述集合中的所述设计瓦片中的每个设计瓦片包括待印刷的特征的卩隹ー图案布局； 提供多个芯片布局，其中所述芯片布局中的每个芯片布局由从所述设计瓦片集合选择的瓦片布置构成(1310)； 提供包括以下各项的函数的光刻难度度量(1320，1330，1340) 能量比因子，包括所述衍射级沿着所述空间频率空间的角度坐标Qi的难以印刷能量与易于印刷能量之比，其中所述难以印刷能量包括所述衍射级在所述空间频率空间的归一化径向坐标!■的值处的能量，所述值在!· = O的邻域中并且在r = I的邻域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射级的位于所述归ー化径向坐标r的中间值处的能量，所述中间值在所述r = O的邻域与所述r = I的邻域之间； 能量熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的相位熵；以及 总能量熵因子，包括所述衍射级的总能量熵； 针对所述芯片布局中的每个芯片布局执行以下方法步骤(420，450，460) 针对所述瓦片布置中的每个唯一瓦片确定空间频率空间中的衍射级； 针对所述瓦片布置中的所述唯一瓦片中的每个唯一瓦片计算所述光刻难度度量的值； 基于所述光刻难度度量的所述值评价所述唯一瓦片中的每个唯一瓦片。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括如果与所述瓦片布置中的所述唯一瓦片之ー关联的、所述光刻难度度量的所述值之一大于预定光刻难度阈值，则修改所述芯片布局之一 (1370)。
12.ー种包括计算机可用介质的计算机程序产品，所述计算机可用介质具有存储于其中的计算机可读指令，其中所述计算机可读指令当在计算机上执行时使所述计算机执行以下方法步骤 提供待印刷的特征的多个布局(410)； 针对所述多个布局中的甸个布局确定空间频率空间中的衍射级(420)； 提供包括以下各项的函数的光刻难度度量(430，440) 能量比因子，包括所述衍射级沿着所述空间频率空间的角度坐标Θ i的难以印刷能量与易于印刷能量之比，其中所述难以印刷能量包括所述衍射级在所述空间频率空间的归一化径向坐标r的值的能量，所述值在r = O的邻域中并且在r = I的邻域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射级的位于所述归ー化径向坐标r的中间值的能量，所述中间值在所述r = O的邻域与所述r = I的邻域之间； 能量熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的相位熵；以及 总能量熵因子，包括所述衍射级的总能量熵； 针对所述多个布局中的每个布局计算所述光刻难度度量的值(450);并且基于所述光刻难度度量的所述值评价所述多个布局中的姆个布局(460)。
13.根据权利要求12所述的计算机程序产品，所述方法步骤还包括对所述多个布局中的具有比预定光刻难度阈值更大的所述光刻难度度量的值的每个布局执行全优化处理(1360)。
14.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中所述多个布局包括特征的图案的ロ隹ー瓦片集合，从而使得全芯片布局由从所述卩隹ー瓦片集合选择的多个瓦片的布置构成(410)。
15.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中设置所述预定光刻难度阈值以标识所述唯一瓦片集合中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全芯片布局的绑定图案。
16.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中在所述角度坐标Qi的所选值计算所述光刻难度度量的所述计算的值，并且所述方法步骤还包括针对所述多个布局中的每个布局确定全局光刻难度度量，所述全局光刻难度度量包括来自所述角度坐标Θ i的所述所选值之中的所述光刻难度度量的最大值(430，440)。
17.根据权利要求12所述的计算机程序产品，所述方法步骤还包括针对所述多个布局中的姆个布局 计算全局能量比因子，所述全局能比因子包括在所述角度坐标Qi的所选值计算的所述难以印刷能量与易于印刷能量值之比的最大值(430)； 计算全局能量熵因子，所述全局能量熵因子包括在所述角度坐标Qi的所选值计算的所述能量熵值的最大值(440)； 计算全局相位熵因子，所述全局相位熵因子包括在所述角度坐标Qi的所选值计算的所述相位熵值的最大值(440);并且 计算所述能量熵因子(440);并且 计算全局光刻难度度量值，所述全局光刻难度度量值包括所述计算的全局能量比因子、所述计算的全局能量熵因子、所述计算的全局相位熵因子和所述计算的能量熵因子的函数(450)。
18.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中将所述空间频率空间细分成径向区域，每个径向区域包括角度坐标范围，并且所述方法步骤还包括针对所述径向区域中的每个径向区域计算所述能量比因子、所述能量熵因子和所述相位熵因子的区域值。
19.根据权利要求12所述的计算机程序产品，所述方法步骤还包括根据所述角度坐标Θ i的相对重要度加权所述能量比因子、所述能量熵因子、所述相位熵因子和所述光刻难度度量(460)。
20.根据权利要求19所述的计算机程序产品，其中所述加权基于照射源的分布(460)。
21.ー种用于设计集成电路布局的计算机系统，所述计算机系统包括存储设备，所述存储设备具有存储于其中的计算机可读指令，其中所述计算机可读指令当在所述计算机系统上执行时使所述计算机系统执行以下步骤的方法 提供待印刷的特征的多个布局； 针对所述多个布局中的甸个布局确定空间频率空间中的衍射级(1310)； 提供包括以下各项的函数的光刻难度度量(1320，1330，1340) 能量比因子，包括所述衍射级沿着所述空间频率空间的角度坐标Θ i的难以印刷能量与易于印刷能量之比，其中所述难以印刷能量包括所述衍射级在所述空间频率空间的归一化径向坐标!■的值处的能量，所述值在!· = O的邻域中并且在r = I的邻域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射级的位于所述归ー化径向坐标r的中间值处的能量，所述中间值在所述r = O的邻域与所述r = I的邻域之间； 能量熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标Θ i的相位熵；以及 总能量熵因子，包括所述衍射级的总能量熵； 针对所述多个布局中的每个布局计算所述光刻难度度量的值(450);以及 基于所述光刻难度度量的所述值评价所述多个布局中的姆个布局(460)。
22.根据权利要求21所述的计算机系统，所述方法还包括以下步骤对所述多个布局中的具有比预定光刻难度阈值更大的所述光刻难度度量的值的每个布局执行全优化处理(1360)。
23.根据权利要求21所述的计算机系统，其中所述多个布局包括特征的图案的唯一瓦片集合，从而使得全芯片布局由从所述唯一瓦片集合选择的多个瓦片的布置构成(410)。
24.根据权利要求23所述的计算机系统，其中设置所述预定光刻难度阈值以标识所述唯一瓦片集中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全芯片布局的绑定图案。
25.根据权利要求21所述的计算机系统，其中在所述角度坐标Qi的所选值计算所述光刻难度度量的所述计算的值，并且所述方法还包括以下步骤针对所述多个布局中的每个布局确定全局光刻难度度量,所述全局光刻难度度量包括来自所述角度坐标Θ i的所述所选值之中的所述光刻难度度量的最大值(430，440)。
全文摘要
本发明提供光刻难度度量，该光刻难度度量是以下因子的函数能量比因子，包括衍射级沿着空间频率空间的角度坐标θi的难以印刷能量与易于印刷能量之比；能量熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标θi的能量熵；相位熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标θi的相位熵；以及总能量熵因子，包括所述衍射级的总能量熵(430，440)。难以印刷能量包括衍射级在空间频率空间的归一化径向坐标r的如下值处的能量，这些值在r＝0的邻域中和在r＝1的邻域中，并且易于印刷能量包括衍射级位于归一化径向坐标r的中间值处的能量，这些中间值在r＝0的邻域与r＝1的邻域之间。光刻难度度量的值可以用来标识设计布局的图案，这些图案是优化计算中的绑定图案。光刻难度度量可以用来设计具有良好、相对易于印刷特性的集成电路。
文档编号H01L21/027GK102986002SQ201180034018
公开日2013年3月20日 申请日期2011年7月6日 优先权日2010年7月14日
发明者S·巴赫里, D·L·德玛里斯, M·加布拉尼, D·O·梅尔维尔, A·E·罗森布鲁斯, 田克汉 申请人:国际商业机器公司