技术总结
本发明涉及一种球状光刻胶掩膜及其制备方法，本发明采用两步光刻、两次腐蚀的方法在半导体衬底上制备出一层球状光刻胶掩膜，所制备出的球状光刻胶颗粒直径范围1‑5μm：本发明先对衬底进行第一次光刻加一次腐蚀得到高反射的金属圆环；然后经过第二次光刻得到底切的长圆柱体；第二次腐蚀将金属圆环腐蚀掉，得到包括长圆柱和短圆柱的异形柱状光刻胶；最终经过热熔之后得到直径1‑5μm的球状光刻胶颗粒掩膜，且形貌可控。本发明解决了当光刻胶圆柱直径超过1μm、高度也超过1μm后无法仅通过烤热熔得到球状形貌的技术难题，使制备球状光刻胶颗粒形貌的可控性优良。
技术研发人员：王德晓;刘存志;王成新;沈燕;任忠祥
受保护的技术使用者：山东浪潮华光光电子股份有限公司
文档号码：201210087907
技术研发日：2012.03.29
技术公布日：2016.11.30