NMOS晶体管及其形成方法、包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管与流程

技术特征：
1.一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层内形成第一凹槽，所述第一凹槽的剖面形状为Σ形；填充所述第一凹槽，形成沟道结构；在所述沟道结构表面形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的碳化硅层内形成源/漏区。2.如权利要求1所述NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述碳化硅层的厚度大于或等于所述沟道区的厚度。3.如权利要求2所述NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述碳化硅层的厚度范围为200埃-800埃。4.如权利要求1所述NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述碳化硅层中碳的原子百分比含量范围为1％-3％。5.如权利要求1所述NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述碳化硅层的形成工艺为外延工艺或化学气相沉积工艺；硅源气体为DCS(SiH2Cl2)或SiH4或Si2H6；碳源气体为C2H4或CH3SiH3。6.如权利要求1所述NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟道结构为硅层，硅锗层，硅层和硅锗层的堆叠结构，或硅层、硅锗层和硅层的堆叠结构。7.如权利要求1所述NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟道结构的形成工艺为选择性外延工艺。8.一种NMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的碳化硅层；位于所述碳化硅层内的沟道结构，所述沟道结构的剖面形状为Σ形；位于所述沟道结构表面的第一栅极结构；位于所述第一栅极结构两侧的碳化硅层内的源/漏区。9.如权利要求8所述NMOS晶体管，其特征在于，所述碳化硅层的厚度大于或等于所述沟道结构的厚度。10.如权利要求8所述NMOS晶体管，其特征在于，所述碳化硅层的厚度范围为200埃-800埃。11.如权利要求8所述NMOS晶体管，其特征在于，所述碳化硅层中碳的原子百分比含量范围为1％-3％。12.如权利要求8所述NMOS晶体管，其特征在于，所述碳化硅层的形成工艺为外延工艺或化学气相沉积工艺；硅源气体为DCS(SiH2Cl2)或SiH4或Si2H6；碳源气体为C2H4或CH3SiH3。13.如权利要求8所述NMOS晶体管，其特征在于，所述沟道结构为硅层，硅锗层，硅层和硅锗层的堆叠结构，或硅层、硅锗层和硅层的堆叠结构。14.如权利要求8所述NMOS晶体管，其特征在于，所述沟道结构的形成工艺为选择性外延工艺。15.一种包括权利要求8-14任一项所述的NMOS晶体管的CMOS晶体管。