形成用于堆叠封装件的连接件的机构的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种封装的半导体器件，包括：半导体管芯，嵌入模塑料中；导电元件，嵌入所述模塑料中，其中，所述导电元件暴露在所述模塑料的表面上，所述导电元件和所述模塑料的顶面之间不具有间隙；金属焊盘，其中，所述金属焊盘接触所述导电元件并且与所述半导体管芯中的器件电连接，以及封装件，包括从所述封装件的表面伸出的至少一个接触件，所述至少一个接触件包括从同一凸块下金属化(UBM)层延伸的多个导电柱，其中，所述导电元件与所述至少一个接触件接合。2.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述导电元件由焊料、金或金合金制成。3.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述导电元件被配置为通过所述至少一个接触件与所述封装件的金属焊盘接合。4.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，进一步包括：另一个金属焊盘，其中，所述另一个金属焊盘被配置成与衬底的接触件相接合。5.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述导电元件具有与所述模塑料的表面齐平的平坦表面。6.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述导电元件具有弯曲的表面。7.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述导电元件的最大宽度在100μm至300μm的范围内。8.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，进一步包括：另一个导电元件，与所述导电元件相邻，其中，这两个导电元件的间距在100μm至500μm的范围内。9.一种半导体器件封装件，包括：第一半导体管芯封装件，带有嵌入模塑料中的导电元件，其中，所述导电元件暴露在所述模塑料的表面上，其中，所述模塑料覆盖至少第一半导体管芯，并且在所述导电元件和所述模塑料的顶面之间不具有间隙；以及第二半导体管芯封装件，带有位于表面上的导电接触件，所述导电接触件包括从第一凸块下金属化(UBM)层延伸的多个导电柱，其中，所述第一半导体管芯封装件的所述导电元件与所述第二半导体管芯封装件的所述导电接触件接合以形成连接件。10.根据权利要求9所述的半导体器件封装件，进一步包括：金属焊盘，嵌入所述第一半导体管芯封装件中，其中，所述导电元件接触所述金属焊盘，其中，所述金属焊盘与所述第一半导体管芯封装件中的第一半导体管芯中的器件电连接。11.根据权利要求10所述的半导体器件封装件，进一步包括：另一个金属焊盘，其中，所述另一个金属焊盘被配置成与衬底的接触件相接合。12.根据权利要求9所述的半导体器件封装件，其中，所述半导体器件封装件包括与所述连接件类似的另一个连接件，并且其中，这两个连接件的间距在100μm至500μm的范围内。13.根据权利要求9所述的半导体器件封装件，其中，所述第一半导体管芯封装件和所述第二半导体管芯封装件之间的距离在100μm至300μm的范围内。14.根据权利要求10所述的半导体器件封装件，其中，所述金属焊盘包括第二凸块下金属化(UBM)层，并且其中，所述导电元件接触所述第二凸块下金属化(UBM)层。15.根据权利要求9所述的半导体器件封装件，其中，所述第二半导体管芯封装件的所述导电接触件包括多于一个铜柱。16.一种形成半导体器件封装件的方法，包括：制备带有嵌入模塑料中的导电元件的第一半导体管芯封装件，其中，在所述模塑料的表面上暴露出所述导电元件，并且在所述导电元件和所述模塑料的顶面之间不具有间隙；提供第一半导体管芯封装件；提供第二半导体管芯封装件；以及将所述第一半导体管芯封装件的所述导电元件接合至所述第二半导体管芯封装件上的接触件，所述接触件包括从同一凸块下金属化(UBM)层延伸的多个导电柱。17.根据权利要求16所述的方法，其中，制备所述第一半导体管芯封装件包括：在第一半导体管芯上的金属焊盘上方放置导电元件，其中，将金属焊盘连接至所述第一半导体管芯上的器件；以及平坦化嵌入的导电元件和所述模塑料以暴露出嵌入的所述导电元件。18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：提供衬底；以及将与所述模塑料的所述表面相对的表面上的导电接触件接合至所述衬底上的电终端。