专利名称：半导体结构及其制造方法
技术领域：
本发明的一个或者多个实施例涉及半导体结构和用于制造半导体结构的方法。
图1到16B示出用于制造根据一个实施例的半导体结构的过程；
图17A示出根据一个实施例的半导体结构；
图17B示出图17A的一个部分的更大视 图18A示出根据一个实施例的半导体结构；
图18B示出根据一个实施例的半导体结构；
图18C示出根据一个实施例的半导体结构；
图18D示出根据一个实施例的半导体结构；并且 图19示出根据一个实施例的半导体结构。
具体实施例方式以下详细说明参考通过示意方式示出其中可以实践本发明的具体细节和实施例的附图。足够详细地描述了这 些实施例以使得本领域技术人员能够实践本发明。可以利用其它实施例并且可以实现结构、逻辑和电气变化而不偏离本发明的范围。各种实施例并不是必要地相互排斥的，因为某些实施例能够被与一个或者多个其它实施例组合以形成新的实施例。图1示出一种半导体结构。该半导体结构可以包括基板110。基板110可以是半导体基板。该半导体基板可以是硅基板。该半导体基板可以是块状半导体基板或者SOI基板。该块状半导体基板可以包括外延层或者可以不带外延层地形成。该半导体结构可以包括一个或者多个层间介电层130。介电层130可以包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。可替代地，介电层130可以包括磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、聚酰亚胺、低k电介质。可以通过层间介电层130形成双层(例如双内嵌)开口。双层开口 202包括上传导线部分202U和下传导通孔部分202L。传导线部分202U可以是开口诸如沟(但是还可以是孔)。传导通孔部分202L可以是开口诸如孔(但是还可以是沟)。可以在双层开口 202中形成传导特征210。可以利用双镶嵌工艺形成传导特征210。传导特征210包括上传导线部分210U以及下传导通孔部分210L。每一个传导特征210可以包括填充层240并且可以进一步包括种子层230和阻挡层220。阻挡层220可以包括传导材料。阻挡层220可以包括例如金属材料。阻挡层220可以包括。可以被用于阻挡层220的材料的实例包括氮化钽、氮化钛、氮化钽硅、钽、钛钨
坐寸o种子层230可以包括传导材料。种子层230可以包括金属材料。种子层230可以例如包括纯金属或者合金。理解到任何纯金属可以包括某个数量的微量杂质。合金可以包括至少两种金属元素。合金可以包括金属元素和非金属元素。种子层230可以包括元素Cu(铜)、A1 (铝)、Au (金)、Ag (银)和W (钨)中的一种或者多种。材料的实例包括纯铜、铜合金、纯铝、铝合金、纯金、金合金、纯银、银合金、纯钨和钨合金。可以利用物理汽相沉积或者溅射工艺形成种子层230。填充层240可以包括传导材料。填充层240可以包括金属材料。填充层240可以包括纯金属或者合金。填充层240可以包括元素Cu (铜)、A1 (铝)、Au (金)、Ag (银)和W(钨)中的一种或者多种。材料的实例包括纯铜、铜合金、纯铝、铝合金、纯金、金合金、纯银、银合金、纯钨和钨合金。可以通过电镀(或者电沉积)工艺形成填充层240。如所指出地，每一个传导特征210包括传导线210U和传导通孔210L。传导线210U可以在可以是沟的上开口 202U中形成，而传导通孔可以在可以是孔的下开口 202L中形成。上开口 202U和下开口 202L可以是双层(例如双内嵌)开口 202U、202L的两个部分。可以使用至少两个掩模步骤形成复合开口 202U、202L。在某些实施例中，传导线2IOU可以对于沿着水平方向传导电流而言是有用的。在某些实施例中，传导通孔210L可以对于主要地沿着竖直方向传输电信号而言是有用的。传导通孔210L可以将在一个金属化层级中的传导线电耦合到在另一个金属化层级中的传导线。传导通孔210L可以将在一个金属化层级中的传导线电耦合到基板110。传导线可以是传导垫或者可以包括传导垫。传导垫可以对于电信号的传输或者接收而言是有用的。在某些实施例中，可以利用双镶嵌工艺形成传导特征210。可以例如同时形成传导线210U和传导通孔210L。每一条传导线210U可以是半导体结构的金属化层级的一个部分。在图1中示出金属化层级Ml、M2和M3。传导结构可以包括最终金属化层级MF。每一个金属化层级可以包括一条或者多条传导线。在某些实施例中，每一条传导线可以被从另一条传导线隔开。在某些实施例中，一条传导线可以被从另一条传导线电隔离。传导线可以包括(或者可以是)传导垫。更加一般地，可以存在至少一个金属化层级。在一个实施例中，可以存在多个金属化层级。参考图1，看到了传导通孔如何将一个金属化层级(例如M1、M2、M3)耦合到另一个金属化层级。钝化层120可以在层间介电层130以及传导特征210之上形成。钝化层120可以包括氮化物(诸如氮化硅或者氮化硼)或者氮氧化物。钝化层120可以用于降低在互连210内的金属原子扩散到随后在传导线210U之上沉积的介电薄膜中的可能性。例如，如果传导线210U包括元素Cu (铜)，则钝化层120可以用作铜扩散阻挡层。图1所示的结构包括最终层间介电层130F。在所示的实施例中，最终层间介电层130F包括覆于阻挡层120之上的介电层132、覆于介电层132之上的介电层134和覆于介电层134之上的介电层136。介电层132可以包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。可替代地，介电薄膜132可以包括PSG、BPSG、S0G、低k电介质或者某种其它电介质。介电层134可以是蚀刻终止层。介电层134可以包括氧化物、氮化物(诸如氮化硅或者氮化硼)或者氮氧化物诸如氮氧化硅。介电层136可以包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。可替代地，介电薄膜136可以包括PSG、BPSG、S0G、低k电介质或者某种其它电介质。
参考图2,掩模层140在最终层间介电层130F之上形成。掩模层140可以例如包括抗蚀剂层(例如光致抗蚀剂层)。通过掩模层140形成开口 142以暴露介电层136。参考图3，通过介电层136形成开口 144。开口 144在介电层124 (例如蚀刻终止层)上终止。参考图4，然后通过介电层134形成开口 146。参考图5,开口 146填充有掩模层150。掩模层150还可以覆于介电层136的顶表面之上。掩模层150可以例如包括抗蚀剂层(例如光致抗蚀剂层)。参考图6,掩模层150被图案化。可以在掩模层150中形成一个或者多个开口 152。开口 152可以例如是沟或者孔。开口 152可以例如用于栅格图案。参考图7，图案化的掩模层150可以用作掩模，结合蚀刻工艺(例如干法蚀刻工艺)来蚀刻介电层136。介电层136可以被蚀刻至介电层134 (例如蚀刻终止层)。介电层136的蚀刻形成多个横向地隔开的介电区域136。横向地隔开的介电区域136限定至少一个开口 160。开口 160可以具有栅格或者筛网的形式。介电层132还可以被蚀刻以形成开口 162。可以使用与用于形成开口 160的相同的蚀刻工艺形成开口 162或者可以使用不同的蚀刻工艺形成开口 162。开口 162通过介电层132形成并且可以在阻挡层120 (其可以是氮化硅)上终止。开口 162可以具有孔的形式。参考图8，可以使用另外的蚀刻来穿透阻挡层120从而形成开口 164并且暴露传导特征210的顶表面。注意，开口 160、164限定带有上部160和下部164的双层开口。上部160可以具有可以对于传导线开口的形成而言有用的沟或者栅格的形式，所述传导线开口对于传导线的形成而言是有用的。如下面更加详细解释地，传导线可以包括传导垫或者可以自身是传导垫。开口 160、164的下部164可以具有对于传导通孔的形成而言有用的孔的形式。参考图9，在通过阻挡层120穿透之后，掩模层150可以被移除。参考图10，可以在图9所示的结构之上形成阻挡层320以形成图10所示的结构。可以在开口 160、164的底表面和侧壁表面上形成阻挡层320。然后可以在阻挡层320之上形成种子层330。参考图11，可以在种子层330之上形成填充层340。阻挡层320、种子层330和填充层340可以包括与上面针对阻挡层220、种子层230和填充层240描述的相同的材料。参考图12，图11所示的结构然后可以被平面化。平面化工艺可以是化学机械抛光工艺(CMP)。CMP移除填充层340的顶部部分以及种子层330的顶部部分和阻挡层320的顶部部分。CMP工艺可以暴露介电区域136的顶表面。图13A重复图12。图13B是图13A的顶视图。图13A是通过截面AA’的图13B的截面视图。从图13B看到填充层340可以形成对应于开口 160的栅格图案。图13A、B示出传导特征310。传导特征310包括上部310U和下部310L。上部310U是传导线310U。下部310L是传导通孔。上部310U是可以是半导体结构或者器件的最终金属化层级MF的一个部分的传导线。最终金属化层级MF可以包括一条或者多条传导线。最终金属化层级MF可以包括多条传导线。传导线可以被相互隔开。如所指出地，传导线310U可以包括传导垫或者可以是传导垫。在某些实施例中，传导垫可以是有用的从而半导体器件或者芯片可以向和从器件或者芯片外侧的位置发送和接收电信号。
参考图13A、B，可以观察到传导线310U包括一个或者多个横向地隔开的间隙360。在所示的实施例中，间隙360包括介电区域136。如从图13A、B看到的，在所示的实施例中，间隙360与介电区域136相同。在所不的实施例中，传导线310U包括多个横向地隔开的间隙360。间隙360可以具有遵循介电区域136的布置的布置(例如二维布置)。在图13A、B所示的实施例中，间隙360可以被以二维阵列布置。间隙360可以被沿着第一维度(例如X维度)和第二维度(例如Y维度)横向地隔开。间隙可以被布置成行和列。间隙可以成行交错和成列交错。在另一实施例中，间隙360可以仅仅沿着单一维度隔开。在所示的实施例中，间隙360可以完全通过传导线310U形成。然而，在另一实施例中，间隙360可以仅仅部分地通过传导线310U形成。因此，间隙360可以至少部分地通过传导线310U形成。在所示的实施例中，间隙360的横向截面以及介电区域136的横向截面每一个均具有长方形的形式。然而，在其它实施例中，横向截面可以采取其它形式诸如正方形、圆形、十字形等。在一个或者多个实施例中，间隙360可以被至少部分地通过传导线3IOU置放。在一个或者多个实施例中，间隙360可以被基本完全(或者完全)通过传导线310U置放。参考图13B，在一个或者多个实施例中，间隙360可以被沿着第一方向和第二方向置放。在一个或者多个实施例中，第一方向可以是彼此基本垂直(或者垂直)。在一个或者多个实施例中，间隙可以沿着第一方向交错和/或沿着第二方向交错。在一个或者多个实施例中，间隙可以被布置成行和列。在图18A、B、C、D中示出并且下面讨论间隙和间隙布置的实施例。参考图14，可以在图13A、B中的结构之上形成介电层410并且可以在介电层410之上形成介电层420。介电层410可以包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。介电层420可以包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。介电层410可以不同于介电层420。例如，介电层410和介电层420可以包括一种或者多种不同的介电材料。
参考图15，开口 430通过介电层410、420形成并且可以暴露传导线310U的顶表面的至少一个部分312从而传导线310U的至少一个部分可以用作传导垫(其还可以被称作接合垫、接触垫或者被称作垫)。因此，传导线310U的至少一个部分可以是传导垫。如上所指出地，传导垫可以例如对于向和从半导体器件传输电信号而言是有用的。类似地，传导垫可以对于探测和测试半导体器件而言是有用的。顶表面312可以被称作有效垫区域。理解到传导线310U (并且因此传导垫)可以具有任何横向截面形状。类似地，有效垫区域312可以具有任何横向形状。图16A所示的传导线310U可以被称作传导垫310U。参考图16A,在每一个间隙360内的每一个介电区域136的至少一个部分可以被移除。在所示的实施例中，可以移除每一个介电区域136的仅仅一个部分从而形成空腔440。在另一实施例中，可以移除在相应的间隙360内的全部每一个介电区域136从而空腔440完全通过传导垫310U。所述移除可以使用蚀刻工艺完成。在一个或者多个实施例中，蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺。在一个或者多个实施例中，蚀刻工艺可以包括湿法蚀刻工艺。在一个实施例中，空腔440可以填充有某种空腔填充材料。空腔填充材料可以是一种材料，可以是不同于介电材料136的另一种介电材料。空腔填充材料可以是没有填充材料340那么坚硬(或者那么刚硬)的材料。空腔填充材料可以没有介电材料136那么坚硬。
图16B示出图16A的顶视图。类似地，图16A代表通过截面AA’的图16B的截面视图。图16B示出开口 430以及有效垫区域312。因此，图16A、B示出包括多个隔开的间隙360的传导垫310U。在所示的实施例中，间隙360的横向截面可以是长方形。然而，在其它实施例中，该横向截面可以具有任何其它形状诸如例如正方形、圆形、椭圆形、三角形、十字形等。在一个实施例中，一个或者多个(或者每一个)间隙360的至少下部360L可以填充有介电材料136。在一个或者多个实施例中，介电材料136可以基本填充(或者填充)一个或者多个(或者每一个)间隙360。在一个实施例中，一个或者多个(或者每一个)间隙的上部360U可以是空腔440。在一个或者多个实施例中，空腔440可以基本填充(或者填充)一个或者多个(或者每一个)间隙360。在另一实施例中，空腔440可以填充有空腔填充材料。空腔填充材料可以是气体诸如空气(或者某种其它气体)。空腔填充材料可以是液体。空腔填充材料可以是固体，诸如不同于介电材料136的另一种介电材料。作为一个实例，空腔填充材料可以是没有层340的材料那么坚硬的材料。在一个或者多个实施例中，上部360U可以填充有空腔填充材料。在另一实施例中，可以移除每一个间隙360的全部介电材料136从而空腔440完全通过传导垫310U。在另一实施例中，不形成任何空腔是可能的。介电材料136填充每一个间隙360是可能的。传导垫310U被电耦合到传导通孔310L。传导通孔310L将传导垫310U电耦合到下一个较低的金属化层级。在一个或者多个实施例中，传导垫310U和传导通孔310L可以是双镶嵌结构。在一个或者多个实施例中，传导垫被形成为单镶嵌结构是可能的。再次参考图16A，看到间隙360的部分360L可以包括电介质136，而间隙360的部分360U可以是空腔440。在一个或者多个实施例中，电介质136可以至少形成间隙360的大约百分之五十。在一个或者多个实施例中，电介质136可以至少形成间隙360的大约百分之六十。在一个或者多个实施例中，电介质136可以至少形成间隙360的百分之七十。在一个或者多个实施例中，电介质136可以至少形成间隙360的百分之八十。在一个或者多个实施例中，电介质136可以至少形成间隙360的大约百分之九十。在一个或者多个实施例中，电介质136可以至少形成间隙360的大约百分之五十但是小于或者等于间隙360的大约百分之九十。在一个或者多个实施例中，空腔440可以至少形成间隙360的大约百分之十。在一个或者多个实施例中，空腔440可以至少形成间隙360的大约百分之二十。在一个或者多个实施例中，空腔440可以至少形成间隙360的大约百分之十。在一个或者多个实施例中，空腔440可以至少形成间隙360的大约百分之四十。在一个或者多个实施例中，空腔440可以至少形成间隙360的大约百分之五十。在一个或者多个实施例中，空腔440可以至少形成间隙360的大约百分之十但是小于或者等于间隙360的大约百分之五十。参考图17A和17B，可以在传导垫310U的顶部上放置焊线510。在一个或者多个实施例中，可以在有效接合区域312之上放置焊线510。焊线510向传导垫310U施加向下并且竖直的力FV1。可以例如，在有效接合区域312之上的某个位置处施加力FV1。因为已经从间隙360的上部360U移除介电材料136从而形成空腔440，所以传导垫310U的填充材料340能够朝向空腔440沿着横向方向(如示出地)移位。这能够在图17B中看到，图17B示出图17A的部分610的更加详细的视图。填充材料340横向地移位的能力可以允许传导垫310U吸收由焊线510施加的力FVl的一些。因此，在图17B所示的填充材料340内的向下力FV2可以小于被施加到填充材料340的顶表面的初始向下力FV1。这可以允许将更大力FVl施加到传导垫310U而不破坏垫自身或者在垫下面的材料。这可以容许在传导垫下面放置器件(例如电子器件诸如有源或者无源器件)。还可以在垫下面使用功能传导线(在一个或者多个金属化层级中或者对于器件)。如上所指出地，间隙360 (例如在图16A和16B中示出)可以具有任何横向截面形状。图18么、8、(、0提供(如在图16A和16B中所示)开口 430内形成的有效垫区域312的顶视图的实施例。图18A、B、C、D中的每一幅图示出包括间隙360的有效垫区域312。有效垫区域312进一步包括填充材料340并且可以进一步包括种子层材料和阻挡层材料(未示出)。如以上指出地，介电材料可以至少部分地填充间隙360。类似地，在其它实施例中，间隙360可以不包括介电材料。参考图18A、B、C、D，看到用于间隙360的横向截面的不同形状可以是可能的。图18A示出间隙360可以被形成为圆形。图18B示出间隙360可以被形成为十字形。图18C示出间隙360可以被形成为长方形(或者正方形)。图18D示出间隙360可以被形成为长方形,其中交替开口 360的长方形的长度沿着不同的方向定向。虽然图18A、B、C、D没有示出图16A、B中示出的层320和330，但是理解到，在一个或者多个实施例中，它们可以另外地存在。再次参考图18A、B、C、D，在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面的表面面积可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之五十是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之四十五是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之四十是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之 三十五是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之三十是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之二十五是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之二十是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之十五是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之十是可能的。在一个或者多个实施例中，对于有效垫区域312，间隙360的横向截面可以小于或者等于有效垫区域312的大约百分之五十并且大约大于或者等于有效垫区域312的大约百分之十是可能的。参考图19，示出了结构710 (例如半导体结构)。半导体结构710可以例如是半导体器件。半导体结构710可以例如代表半导体芯片的至少一个部分。结构710重复图17A中的结构而且还示出基板110 (例如，半导体基板)以及第一金属化层级Ml、第二金属化层级M2、第三金属化层级M3。传导垫310U可以是最终金属化层级MF的一个部分。
仍然参考图19，结构710进一步包括电子器件810。电子器件810可以在基板110内和/或之上形成。在一个或者多个实施例中，电子器件810的至少一个部分可以在基板110内形成。电子器件可以是半导体器件。电子器件可以例如是有源或者无源器件。在一个或者多个实施例中，电子器件810可以处于开口 430之下。在一个或者多个实施例中，电子器件可以处于传导垫310U的有效垫区域312之下。在一个或者多个实施例中，电子器件810可以在传导垫310U下面形成。一个或者多个实施例可以是一种半导体结构，该半导体结构包括传导垫，该传导垫包括至少部分地通过传导垫置放的多个横向地隔开的间隙。一个或者多个实施例可以是一种半导体结构，该半导体结构包括包括传导线的最终金属化层级，该传导线包括至少部分地通过传导线置放的多个横向地隔开的间隙。一个或者多个实施例涉及一种制造半导体结构的方法，该方法包括形成介电层；图案化介电层从而形成多个横向地隔开的介电区域，该介电区域在其间限定开口 ；在该开口内形成传导层；和，移除每一个介电区域的至少一个部分以在每一个介电区域的至少上部中形成空腔。要理解在这里阐述的公开以为了实现本发明的、充分的和完全的公开而描述的详细实施例的形式提出，并且这种细节不要被解释成限制如在所附权利要求中阐述和限定的本发明 的真实范围。
权利要求
1.一种半导体结构,包括 传导垫，所述传导垫包括被至少部分地通过所述传导垫置放的多个横向地隔开的间隙。
2.根据权利要求1所述的结构，其中所述间隙被基本完全地通过所述传导垫置放。
3.根据权利要求1所述的结构，其中每一个所述间隙的至少下部填充有介电材料。
4.根据权利要求2所述的结构，其中所述介电材料是氧化物。
5.根据权利要求1所述的结构，其中每一个所述间隙的上部是空腔。
6.根据权利要求1所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部是空腔。
7.根据权利要求2所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部填充有所述介电材料。
8.根据权利要求1所述的结构，其中所述多个间隙被沿着第一方向和沿着第二方向布置。
9.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。
10.根据权利要求1所述的结构，其中所述间隙具有长方形横向截面。
11.根据权利要求1所述的结构，其中所述传导垫是所述半导体结构的最终金属化层级的一个部分。
12.根据权利要求8所述的结构，其中所述间隙沿着所述第一方向交错并且沿着所述第二方向交错。
13.根据权利要求1所述的结构，进一步包括处于所述传导垫的有效垫区域之下的电子器件。
14.一种半导体结构,包括 包括传导线的最终金属化层级，所述传导线包括至少部分地通过所述传导线置放的多个横向地隔开的间隙。
15.根据权利要求14所述的结构，其中所述间隙被基本完全地通过所述传导线置放。
16.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的至少下部填充有介电材料。
17.根据权利要求16所述的结构，其中所述介电材料是氧化物。
18.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的上部是空腔。
19.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部是空腔。
20.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部填充有所述介电材料。
21.根据权利要求14所述的结构，其中所述多个间隙被沿着第一方向和沿着第二方向布置。
22.根据权利要求21所述的结构，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。
23.根据权利要求14所述的结构，其中所述间隙具有长方形横向截面。
24.根据权利要求14所述的结构，其中所述传导线的至少一个部分是传导垫。
25.根据权利要求14所述的结构，其中所述半导体结构包括处于所述传导垫的有效垫区域之下的电子器件。
26.—种制造半导体结构的方法，包括 形成介电层；图案化所述介电层从而形成多个横向地隔开的介电区域，所述介电区域在其间限定开Π ； 在所述开口内形成传导层；和 移除每一个所述介电区域的至少一个部分以在每一个所述介电区域的至少上部中形成空腔。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述移除仅仅移除每一个所述介电区域的上部。
28.根据权利要求26所述的方法，其中所述传导层是最终金属化层级的一个部分。
29.根据权利要求26所述的方法，其中所述图案化包括蚀刻所述介电层。
30.根据权利要求26所述的方法，其中所述形成所述传导层包括电沉积工艺。
31.根据权利要求26所述的方法，其中所述形成所述传导层是双镶嵌工艺。
32.根据权利要求26所述的方法，其中所述开口是双层开口的一个部分。
33.根据权利要求26所述的方法，其中所述传导层包括Cu(铜)。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述Cu具有纯铜和/或铜合金的形式。
全文摘要
本发明涉及半导体结构及其制造方法。一个或者多个实施例涉及一种半导体结构，该半导体结构包括传导垫，该传导垫包括至少部分地通过传导垫置放的多个横向地隔开的间隙。
文档编号H01L23/528GK103035614SQ20121037088
公开日2013年4月10日 申请日期2012年9月29日 优先权日2011年10月5日
发明者D.梅因霍尔德 申请人:英飞凌科技股份有限公司