封装基板、封装基板制作方法及封装结构的制作方法
【专利摘要】一种封装基板，其包括电路基板、多个第一导电柱及多个第二导电柱，所述电路基板具有第一基底及形成于第一基底一个表面的第一导电线路图形，所述第一导电柱及第二导电柱均与第一导电线路图形相互电连接，并自第一导电线路图形向远离第一导电线路图形的方向延伸，所述第二导电柱的高度大于所述第一导电柱的高度。本发明还提供所述封装基板的制作方法及包括所述封装基板的封装结构。
【专利说明】封装基板、封装基板制作方法及封装结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体封装技术，特别涉及一种封装基板、封装基板制作方法及封装结构。
【背景技术】
[0002] 随着半导体器件尺寸的不断减小，具有半导体器件的层叠封装结构也逐渐地备受关注。层叠封装结构一般通过层叠制作方法制成，即在封装基板上中心部位通过较小的焊球封装一个芯片，然后再采用较大的焊球与连接基板相互结合，所述的连接基板上结合有另外的芯片，从而得到层叠封装结构。由于仅采用焊球实现封装基板与芯片及连接基板之间的电连接，容易由于焊球与封装基板、连接基板及芯片的连接处产生裂缝，从而导致得到的层叠封装结构的品质较差。
【发明内容】
[0003]因此，有必要提供一种封装基板及其制作方法、封装结构，以克服上述不足。
[0004]一种封装基板，其包括电路基板、多个第一导电柱及多个第二导电柱，所述电路基板具有第一基底及形成于第一基底一个表面的第一导电线路图形，所述第一导电柱及第二导电柱均与第一导电线路图形相互电连接，并自第一导电线路图形向远离第一导电线路图形的方向延伸，所述第二导电柱的高度大于所述第一导电柱的高度。
[0005]一种封装基板的制作方法，包括步骤:提供一电路基板，所述电路基板包括第一基底、形成于第一基底一侧表面的第一导电线路图形以及形成于第一导电线路图形表面的第一防焊层，所述第一防焊层具有多个第一开口和第二开口，部分所述第一导电线路图形从所述第一开口和第二开口露出；在第一防焊层的表面形成金属种子层；在所述金属种子层的表面形成第一电镀层；在所述第一电镀层的表面形成第二电镀阻挡图形，所述第二电镀阻挡图形内有与所述第一开口相对应的第一开孔；在从所述第一开孔露出的第一电镀层的表面形成第一蚀刻阻挡图形；去除所述第二电镀阻挡图形；在第一电镀层及蚀刻阻挡图形的表面形成第二电镀层；在第二电镀层的表面形成第二蚀刻阻挡图形，所述第二蚀刻阻挡图形与第二开口相对应；以及对第一电镀层和第二电镀层进行蚀刻，使得被第二蚀刻阻挡图形覆盖的部分第一电镀层和第二电镀层形成与第二开口相对应的第二导电柱，使得被第一阻挡图形覆盖的部分第一电镀铜层形成与第一开口相对应的第一导电柱。
[0006]一种封装结构，包括第一封装体和封装于第一封装体的第二封装体，所述第一封装体包括第一芯片和所述的封装基板，所述第一芯片具有与第一导电柱一一对应的多个第一电极垫，所述第一电极垫与第一导电柱通过第一焊球相互电导通，所述第二封装体包括连接基板及封装于连接基板的第二芯片，所述连接基板具有与第二导电柱相对应的电性接触垫，所述第二导电柱与对应的电性接触垫通过第二焊球相互电导通。
[0007]本技术方案提供的封装基板及其制作方法，通过在形成第一电镀层之后，设置与欲形成的第一导电柱相对应的第一蚀刻阻挡图形，并在第一电镀层及第一蚀刻阻挡图形表面形成第二电镀层，然后，采用一次性蚀刻即可得到高度不同的第一导电柱和第二导电柱。所述第一导电柱的高度可以通过控制第一电镀层的厚度进行控制，第二导电柱的高度可以通过第一电镀层和第二电镀层的厚度之和进行控制，工艺操作简单。
[0008]本技术方案中，由于封装基板的第一导电柱的高度小于第二导电柱的高度，在进行封装时，第一芯片通过第一导电柱封装于封装基板，而第二封装体通过第二导电柱封装于封装基板。由于第一导电柱的高度与第二导电柱的高度不等，可以使得第一芯片厚度与第一导电柱的高度之和与第二导电柱的高度大致相等，从而可以减少封装结构的厚度，进而减小封装结构的体积。并且，由于封装基板与连接基板之间通过第二导电柱与第二焊球相结合的方式进行结合，第一芯片与封装基板之间通过第一导电柱与第一焊球相结合的方式进行结合，相比于现有技术中仅采用焊球进行封装，能够提升封装结构的品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1至图12为本技术方案第一实施例提供的封装基板制作过程的剖面示意图。
[0010]图13至图16为本技术方案第二实施例提供的封装基板制作过程的剖面示意图。
[0011]图17为本技术方案提供的封装结构的剖面示意图。
[0012]主要元件符号说明__
【权利要求】
1.一种封装基板，其包括电路基板、多个第一导电柱及多个第二导电柱，所述电路基板具有第一基底及形成于第一基底一个表面的第一导电线路图形，所述第一导电柱及第二导电柱均与第一导电线路图形相互电连接，并自第一导电线路图形向远离第一导电线路图形的方向延伸，所述第二导电柱的高度大于所述第一导电柱的高度。
2.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述第一导电柱远离第一导电线路图形的一端形成有焊帽。
3.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述第二导电柱远离第一导电线路图形一端具有镍金制成的保护层。
4.如权利要求3所述的封装基板，其特征在于，所述电路基板还包括形成于第一基底另一表面的第二导电线路图形及第二防焊层，所述第二防焊层内形成有多个第三开口，部分第二导电线路图形第三开口露出，在从第三开口露出的第二导电线路图形表面也形成镍金制成的保护层。
5.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述电路基板还包括第一防焊层，所述第一防焊层形成于第一导电线路图形的一侧，所述第一防焊层内形成有多个第一开口和多个第二开口，所述第一导电柱穿过所述第一开口与第一导电线路图形相互电连接，所述第二导电柱穿过第二开口与第一导电线路图形相互电连接。
6.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述多个第二导电柱环绕所述多个第一导电柱设置。
7.一种封装基板的制作方法，包括步骤: 提供一电路基板，所述电路基板包括第一基底、形成于第一基底一侧表面的第一导电线路图形以及形成于第一导电线路图形表面的第一防焊层，所述第一防焊层具有多个第一开口和第二开口，部分所述第一导电线路图形从所述第一开口和第二开口露出； 在第一防焊层的表面形成金属种子层； 在所述金属种子层的表面形成第一电镀层； 在所述第一电镀层的表面形成第二电镀阻挡图形，所述第二电镀阻挡图形内有与所述第一开口相对应的第一开孔； 在从所述第一开孔露出的第一电镀层的表面形成第一蚀刻阻挡图形； 去除所述第二电镀阻挡图形； 在第一电镀层及蚀刻阻挡图形的表面形成第二电镀层； 在第二电镀层的表面形成第二蚀刻阻挡图形，所述第二蚀刻阻挡图形与第二开口相对应；以及 对第一电镀层和第二电镀层进行蚀刻，使得被第二蚀刻阻挡图形覆盖的部分第一电镀层和第二电镀层形成与第二开口相对应的第二导电柱，使得被第一阻挡图形覆盖的部分第一电镀铜层形成与第一开口相对应的第一导电柱。
8.如权利要求7所述的封装基板的制作方法，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡图形采用贴合干膜，然后曝光及显影的方式形成，在形成第一导电柱和第二导电柱之后，还包括去除第二蚀刻阻挡图形的步骤。
9.如权利要求7所述的封装基板的制作方法，其特征在于，在在第一防焊层的表面形成金属种子层之间，还包括在电路基板的另一侧表面形成第一电镀阻挡图形的步骤，在形成第一导电柱和第二导电柱之后，还包括去除第一电镀阻挡图形的步骤。
10.如权利要求7所述的封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡图形采用电镀锡或者电镀镍的方式形成。
11.如权利要求10所述的封装基板的制作方法，其特征在于，在形成第一导电柱和第二导电柱之后，还包括对所述第一蚀刻阻挡图形进行红外回流焊处理，从而在每个第一导电柱表面形成焊帽的步骤。
12.如权利要求7所述的封装基板的制作方法，其特征在于，在形成第一导电柱和第二导电柱之后，还包括去除第一蚀刻阻挡图形的步骤。
13.如权利要求7所述的封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第一电镀层及蚀刻阻挡图形的表面形成第二电镀层之后，在第二电镀层的表面形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层中形成有与第二开口相对应的第二开孔；在从第二开孔露出的第二电镀层表面电镀镍金形成第二蚀刻阻挡层；去除光致抗蚀剂层并对第一电镀层和第二电镀层进行蚀刻，从而得到所述第一导电柱和第二导电柱。
14.一种封装结构，包括第一封装体和封装于第一封装体的第二封装体，所述第一封装体包括第一芯片和如权利要求1至6任一项所述的封装基板，所述第一芯片具有与第一导电柱对应的多个第一电极垫，所述第一电极垫与第一导电柱通过第一焊球相互电导通，所述第二封装体包括连接基板及封装于连接基板的第二芯片，所述连接基板具有与第二导电柱相对应的电性接触垫,所述第二导电柱与对应的电性接触垫通过第二焊球相互电导通。
15.如权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片的厚度与第一导电柱的高度之和与第二导电 柱的高度相等。
【文档编号】H01L21/48GK103904050SQ201210582244
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月28日 优先权日:2012年12月28日
【发明者】禹龙夏, 周鄂东, 罗文伦 申请人:宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司