专利名称：复合型led封装基板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及大功率LED封装基板，具体涉及复合型LED封装基板。
背景技术：
由于大功率LED灯珠在正常工作的状态下会产生大量的热量，因此LED封装基板必须具备良好的导热性能，以实现热量的快速传递。目前，市场上通用的LED封装基板一般采用金属基板或者陶瓷基板作为芯片的承载体。然而，金属基板与芯片的热膨胀系数不匹配，容易产生热应力并影响芯片的性能；而陶瓷基板虽与芯片的热膨胀系数匹配，但由于陶瓷基板的脆性大、机械强度低，在安装时容易发生破碎情况，使用寿命较短
实用新型内容
针对现有技术的不足，本实用新型的目的旨在于提供一种复合型LED封装基板，通过采用低膨胀导热层和金属基板的结合结构，既可确保其与芯片的热膨胀系数匹配，减少热应力对芯片的影响；又可提高其机械强度，延长其使用寿命。为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案复合型LED封装基板，包括金属基板、芯片，所述金属基板上设有安装槽，安装槽内嵌装有低膨胀导热层；所述芯片设置在低膨胀导热层的上表面。金属基板的上表面设置有绝缘层，绝缘层上布置有铜箔电路，所述芯片与铜箔电路电性连接；所述安装槽从金属基板延伸至绝缘层的上表面。所述低膨胀导热层的截面呈矩形。本实用新型所阐述的复合型LED封装基板，其有益效果在于I、由于其采用低膨胀导热层和金属基板的结合结构，通过低膨胀导热层可确保其与芯片的热膨胀系数相匹配，从而减少热应力对芯片的影响；而通过金属基板可提高其机械强度，从而延长其使用寿命；2、低膨胀导热层和金属基板的结合结构，可降低其制作成本，提高其性能，便于广泛使用。
图I为本实用新型复合型LED封装基板的结构示意图；其中，I、金属基板；2、绝缘层；3、铜箔电路；4、低膨胀导热层；5、芯片。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式
，对本实用新型复合型LED封装基板做进一步描述，以便于更清楚的理解本实用新型所要求保护的技术思路。如图I所示，为本实用新型复合型LED封装基板，包括呈矩形的金属基板I、芯片
5。金属基板I具有良好的导热率，可便于将芯片5工作时产生的热量快速传导，从而延长其使用寿命。金属基板I上还设有安装槽。安装槽内嵌装有低膨胀导热层4。所述低膨胀导热层4的截面呈矩形，而芯片5设置在低膨胀导热层4的上表面。由于低膨胀导热层4与芯片5的热膨胀相匹配，可减少热应力对芯片5的影响；而金属基板I的机械强度高，可延长其使用寿命。而且，低膨胀导热层4与金属基板I的结合，可便于降低其制作成本，提高其性能。顾名思义，所述低膨胀导热层4可以采用陶瓷材料。此外，膨胀系数较低导热率高的金属，也可实现低膨胀导热层4的功能。当然，上述金属基板I和低膨胀导热层4的外形并不仅限于矩形，还可根据实际需求，设置为圆形等其他形状。金属基板I的上表面设置有绝缘层2，绝缘层2上布置有铜箔电路3，所述芯片5 与铜箔电路3电性连接；所述安装槽从金属基板I延伸至绝缘层2的上表面。对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
权利要求1.复合型LED封装基板，包括金属基板、芯片，其特征在于所述金属基板上设有安装槽，安装槽内嵌装有低膨胀导热层；所述芯片设置在低膨胀导热层的上表面。
2.如权利要求I所述的复合型LED封装基板，其特征在于金属基板的上表面设置有绝缘层，绝缘层上布置有铜箔电路，所述芯片与铜箔电路电性连接；所述安装槽从金属基板延伸至绝缘层的上表面。
3.如权利要求I所述的复合型LED封装基板，其特征在于所述低膨胀导热层的截面呈矩形。
专利摘要本实用新型公开一种复合型LED封装基板，包括金属基板、芯片，所述金属基板上设有安装槽，安装槽内嵌装有低膨胀导热层；所述芯片设置在低膨胀导热层的上表面。由于其采用低膨胀导热层和金属基板的结合结构，通过低膨胀导热层可确保其与芯片的热膨胀系数相匹配，从而减少热应力对芯片的影响；而通过金属基板可提高其机械强度，从而延长其使用寿命。
文档编号H01L33/48GK202487657SQ20122013346
公开日2012年10月10日 申请日期2012年4月1日 优先权日2012年4月1日
发明者左海龙, 李锋, 郭涛 申请人:深圳市可瑞电子实业有限公司