专利名称：一种阵列基板和显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术：
现在市场上的显示装置采用多种不同的显示面板，例如OLED (OrangeLight-Emitting Diode,有机发光二极管)面板，电子纸采用的CLCD (胆固醇液晶显示器)面板、TFT-IXD(薄膜晶体液晶显示器)。下面以TFT-IXD为例说明显示面板中的重要组成部分-阵列基板。TFT-IXD因其体积小，功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。现有的TFT-LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的。阵列基板中相互交叉地配置定义像素区域的栅极线和信号线，在各像素区域中配置像素电极和薄膜 晶体管。将驱动信号施加到栅极线上，图像数据通过信号线施加到像素电极。然后在彩膜基板上配置黑底，使光不能透过除了像素电极以外的区域，在各像素区域配置滤色层，配置公共电极，最后在阵列基板和彩膜基板中充入液晶，通过加载驱动和信号的像素电极的电压来控制液晶的偏转来控制光线的强弱，配合彩膜基板的功能，在基板上显示出所要表达的图像。传统的TFT-IXD阵列基板制造采用TFT薄膜晶体管的静电释放环设计方法来达到除静电的效果。必须在TFT薄膜晶体管完全成形后才能达到除静电的效果，第一层金属层图形成形时尚不能清除静电。这样使得在生产过程中无法清除静电的危害。无法完全避免静电对TFT像素电路的损伤。其他种类显示面板中的阵列基板在制作过程中也存在同样的问题。
实用新型内容本实用新型提出了一种阵列基板，在金属层图形形成时就能有效的清除静电，避免阵列基板在制作过程中由于摩擦产生的静电的危害。本实用新型为一种阵列基板，包括数据线层、栅极线层，以及位于所述数据线层与栅极线层之间的绝缘层，该阵列基板进一步包括静电释放环，包括至少两个导体，导体之间不接触，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极，所述导体与所述栅极线层和/或数据线层相连。所述导体与所述数据线层相连为至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连。所述导体与所述栅极线层相连为至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极相连。所述导体与所述栅极线层和数据线层相连为，数据线层中，至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连；和栅极线层中，至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极线相连。数据线层中的至少一根数据线和栅极线层中的至少一根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线和栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且静电释放环中的一个导体只与一根数据线或栅极线相连；所述静电释放环中与数据线相连的导体和与栅极线相连的导体被数据线层与栅极线层中间的绝缘层隔离，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极。所述静电释放环包括的导体形状为互相平行的直线型或形状为同一个圆心圆弧型。 所述静电释放环中导体为金属。所述静电释放电极为三角形。本实用新型提供了一种显示装置，包含上述阵列基板。本实用新型在数据线层和/或栅极线层采用静电释放环连接数据线和/或栅极线，静电释放环为不接触的导体，任意两相邻导体上分布有对应的静电释放电极。利用尖端放电原理将各个数据线和/或栅极线上因为摩擦产生的静电电荷聚集在与数据线和/或栅极线相连的静电释放环中的导体的静电释放电极上通过同一静电释放环中与其对应的另一导体上的静电释放电极进行静电释放。这样使得在金属图形形成时静电释放环就可以开始发挥消除静电的作用，完全避免静电对TFT像素电路的损伤。
图I为本实用新型实施例的圆形静电释放环的与数据线和栅极线的连接图；图2为本实用新型实施例的圆形静电释放环结构示意图；图3为本实用新型实施例的栅极线层静电释放环剖面图；图4为本实用新型实施例的数据线层静电释放环剖面图；图5为本实用新型实施例的直线形条状静电释放环结构示意图；图6为本实用新型实施例的栅极线和数据线与同一静电释放环连接的剖面图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例具体说明。如图I所示为本具体实施例圆形静电释放环的与数据线和栅极线的连接图，图2所示的为本具体实施例中的导体示意图。如图I所示，阵列基板的一般结构包括数据线层I、栅极线层2，在数据线层I与栅极线层2之间具有绝缘层(图中未示出)。其中在数据线层，每相邻两根数据线I与同一静电释放环4相连。结合图2所示，一根数据线与静电释放环中的导体a相连，另一根数据线与静电释放环中的导体b相连，一个导体只与一根数据线连接。在栅极线层中，至少两根栅极线与同一静电释放环3相连，其中，一根栅极线与静电释放环中的导体a相连，另一根数据线与静电释放环中的导体b相连，一个导体只与一根栅极线连接。导体a与导体b之间不接触，并且两导体上分布有相互对应的静电释放电极。上述图示中的阵列基板中数据线层的数据线和栅极线层的栅极线可同时都采用上述实施例中的静电释放环结构进行静电释放，即较优地，导体与所述栅极线层和数据线层相连为，在数据线层，至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连；和在栅极线层，至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极线相连。也可只有其中的一层采用上述实施例中的静电释放环结构进行静电释放。即较优地，导体与所述数据线层相连为至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连。或者，较优地，导体与所述栅极线层相连为至少两根栅极线与 同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极相连。并且在数据线层或栅极线中，并不一定非要两根相邻数据线或两根相邻栅极线连至同一静电释放环，而本实施例中将两相邻数据线或两相邻栅极线连至同一静电释放环可方便布置静电释放环的位置。并且，在数据线层或栅极线层中，可以只有部分的数据线或栅极线利用本实施例中的静电释放环进行静电释放，也可以全部的数据线或栅极线利用本实施例中的静电释放环进行静电释放。本实施例中的静电释放环与数据线层中的数据线或栅极线层中的栅极线的连接方式，是采用了将静电释放环与任意相邻的两根数据线或任意相邻的两根栅极线的线端进行连接的方式。在实际运用中，还可以将静电释放环与任意两根或者多根数据线或任意两根或者多根栅极线的线端相连，或者将静电释放环与任意两根或者多根数据线或任意两根或者多根栅极线的中间区域相连，或者将一部分静电释放环与任意两根或者多根数据线或任意两根或者多根栅极线的线端相连，一部分静电释放环与任意两根或者多根数据线或任意两根或者多根栅极线的中间区域相连，只要满足两根数据线或栅极线与同一静电释放环相连，每根数据线或栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且静电释放环中的一个导体只与一数据线或栅极线相连，都能达到去除数据线或栅极线上产生的静电的目的。本实施例提供的阵列基板是采用本实用新型提供的静电释放环进行静电释放，而在实际运用中可将数据线层中的部分数据线采用本实用新型提供的静电释放环进行静电释放，或者，只有部分数据线采用本实用新型提供的静电释放环进行静电释放，部分数据线采用非本实用新型提供的静电环进行静电释放；同样，在栅极线层中，可将部分栅极线采用本实用新型提供的静电释放环进行静电释放，或者，只有部分栅极线采用本实用新型提供的静电释放环进行静电释放，部分栅极线采用非本实用新型提供的静电环进行静电释放。本实施例中的静电释放环所包括的每个导体只与栅极层中的一条栅极线或数据线层中的一条数据线连接，而静电释放环中至少有两个导体，以使得任意两相邻导体上分布的静电释放电极可以相互作用，利用尖端放电原理进行静电释放以消除栅极线或数据线上产生的静电电荷。本实施例中的静电释放环所利用的尖端放电原理实际上是指物体尖锐部分发生的一种放电现象。导体尖端的电荷特别密集，尖端附近的电场特别强，就会发生放电。尖端放电的原理是物体尖锐处的曲率大，电力线密集，因而电势梯度大，致使尖端附件部分气体被击穿而发生放电。图3所示为栅极线层静电释放环A-A’剖面示意图。栅极线位于玻璃板10上，与栅极线相连的静电释放环直接位于玻璃基板10上，静电释放电极7和静电释放电极V分别为栅极线层上静电释放环中两导体的对应静电释放电极。图4所示为数据线层静电释放环A-A’剖面示意图。数据线位于覆盖于玻璃基板10上的绝缘层9上，静电释放电极8和静电释放电极8’分别为数据层上静电释放环中两导体的对应静电释放电极。当数据线层中的数据线上有静电产生时，电荷聚集到与所述数据线相连的静电释放环中导体的静电释放电极上，静电释放环中两相邻导体上分布的静电释放电极相互作用进行静电释放。当栅极线层中的栅极线上有静电产生时，电荷聚集到与所述栅极线相连的静电释放环中导体的电极上，静电释放环中两相邻导体上分布的电极相互作用进行静电释放。本实施例中的静电释放环中的导体可以制成多种形状，只要保证静电释放环中的各个导体不接触，且两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极即可。静电释放电极用于给与静电释放环连接的数据线或栅极线上产生的静电进行静电释放。静电释放环中各导体其实可有多种实施方式，一种优选的实施方式是静电释放环中各导体呈圆弧形且为同一个圆心。如图2所示，还可在成圆弧形的导体上加上一段直线形的部分，直线形部分可作为引线，也可在直线形的部分上分布对应的静电释放电极用于静电释放。另外，还可以使直线形部分的两端都具有圆弧部分，圆弧部分上分布有静电释放电极，甚至还可以使直线形部分具有静电释放电极等。或者，如图5所示，也是静电释放环中导体的另一种优选实施方式，即静电释放环的导体为直线形平行放置。静电释放环除了如图2和图5中的实施方式外，还可以有其他的实施方式，例如静电释放环中可有三根导体，三根导体都呈直线形且平行放置，其中中间的导体与两边的导体都有对应的静电释放电极，或者静电释放环中三个导体之中中间的导体分出两个分支，两分支上分别有与两边的导体对应的静电释放电极等。本实施例中，其实对于静电释放环中的导体数量和形状的实施方式可以有多种变换，只要导体之间不接触且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极可进行静电释放，都应是本实用新型中所提供的静电释放环。本实用新型实施例利用尖端放电原理，如图2或图5所示，导体上的静电释放电极为三角形。当数据线或栅极线上有静电产生时，根据尖端放电原理，静电电荷会聚集到导体的各三角形静电释放电极上进行静电释放。其实，还可以将导体上的静电释放电极制成针形，可同样满足尖端放电原理对静电释放电极形状的要求。在本实施例中，静电释放电极还可制成其他形状，只要使得静电释放电极符合尖端放电的要求即可。在数据线层或栅极线层中，不仅同一层内的数据线或者栅极线可连至同一静电释放环进行静电释放，位于不同层的数据线和栅极线也可连至同一静电释放环进行静电释放，数据线层中的至少一根数据线和栅极线层中的至少一根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线和栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且静电释放环中的一个导体只与一根数据线或栅极线相连；所述静电释放环中与数据线相连的导体和与栅极线相连的导体被数据线层与栅极线层中间的绝缘层隔离，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极；或者，在数据线层，部分数据线连接至位于数据线层的静电释放环进行静电释放，部分数据线与栅极线层中的部分栅极线连接至同一静电释放环进行静电释放；或者，在栅极线层，部分栅极线连接至位于栅极线层的静电释放环进行静电释放，部分栅极线与数据线层中的部分数据线连接至同一静电释放环进行静电释放；或者，数据线层，部分数据线连接至位于数据线层的同一静电释放环进行静电释放，在栅极线层，部分栅极线连接至位于栅极线层的同一静电释放环进行静电释放，部分数据线与栅极线层中的部分栅极线连接至同一静电释放环进行静电释放。如图I所示，数据线层中的至少一根数据线和栅极线层中的至少一根栅极线与同一静电释放环5相连，其连接方式与两条数据线或两条栅极线与同一静电释放环相连的方 式基本相同，不同之处在于，如图I和图6所示，静电释放环5中与数据线相连的导体8和与栅极线相连的导体7被数据线层与栅极线层中间的绝缘层9隔离，且两导体间距最近的位置分布有相互对应的静电释放电极。图6中所示的实施方式是一个静电释放环中有两个导体的实施方式，其中两个导体分别与一根数据线和一根栅极线相连。由于数据线和栅极线由绝缘层9分隔为两层，该静电释放环中的两导体也被绝缘层分隔，通过以绝缘层为介质，将静电释放环中其中一个导体上的静电释放电极7聚集的电荷吸引另一层上静电释放环的另一个导体的静电释放电极8上，与另一个的异性电荷进行静电释放。数据线层的数据线或栅极线层的栅极线可通过上述实施方式中的静电释放环进行静电释放，不同导体上的电极间隔绝缘层进行静电释放。此种导体被绝缘层隔离的静电释放环优选适用于数据线层和栅极绝缘层的边缘区域，因为边缘区域的数据线层的数据线线端和栅极线层的栅极线线端之间的距离较近。如果其他部分的数据线连至其他部分的栅极线可能需要比较长的引线将数据线或栅极线连至静电释放环中的导体，会引起不便。因此，优先在边缘区域线端距离较近的数据线和栅极线之间使用导体被绝缘层分隔的静电释放环。上述实施例中的静电释放环中导体的材质优选金属，由于金属的导电性能优良，但实际上还可选择其他可导电的材质来制成静电释放环。本实用新型还提供了一种显示装置，且该显示装置是包含上述实施例中的阵列基板的。该显示装置可以是OLED显示器、CIXD显示器或者TFT-IXD显示器等等。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种阵列基板，包括数据线层、栅极线层，以及位于所述数据线层与栅极线层之间的绝缘层，其特征在于，该阵列基板进一步包括 静电释放环，包括至少两个导体，导体之间不接触，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极，所述导体与所述栅极线层和/或数据线层相连。
2.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征至于，所述导体与所述数据线层相连为至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连。
3.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征至于，所述导体与所述栅极线层相连为至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极相连。
4.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征至于，所述导体与所述栅极线层和数据线层相连为，数据线层中，至少两根数据线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根数据线相连；和 栅极线层中，至少两根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且所述静电释放环中的一个导体只与一根栅极线相连。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征至于， 数据线层中的至少一根数据线和栅极线层中的至少一根栅极线与同一静电释放环相连，其中，每根与所述静电环相连的数据线和栅极线至少有静电释放环中的一个导体与其相连，且静电释放环中的一个导体只与一根数据线或栅极线相连； 所述静电释放环中与数据线相连的导体和与栅极线相连的导体被数据线层与栅极线层中间的绝缘层隔离，且任意两相邻导体上分布有相互对应的静电释放电极。
6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述静电释放环包括的导体形状为互相平行的直线型或形状为同一个圆心圆弧型。
7.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述静电释放环中导体为金属。
8.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述静电释放电极为三角形。
9.一种显示装置，其特征在于，包含权利要求I 8中任意一项所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型提供了一种阵列基板和显示装置，所述阵列基板在制作过程中，金属层图形形成时就能有效的清除静电，避免阵列基板在制作过程中由于摩擦产生的静电的危害。该阵列基板包括数据线层、栅极线层，且数据线层与栅极线层中间具有绝缘层，静电释放环。静电释放环包括至少两个导体，导体之间不接触，且任意相邻两导体上分布有相互对应的静电释放电极，所述导体与所述栅极线层和/或数据线层相连。本法明还提供了采用上述阵列基板的显示装置。
文档编号H01L27/02GK202523709SQ201220193619
公开日2012年11月7日 申请日期2012年4月28日 优先权日2012年4月28日
发明者沈奇雨 申请人:北京京东方光电科技有限公司