专利名称：反应槽底部监测装置及反应槽的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种反应槽底部监测装置及反应槽。
背景技术：
目前，在半导体生产中，晶圆经常在反应槽内进行反应。如图I所示，通常，现有的反应槽包括槽体110和设于所述槽体110内部的支撑若干晶圆100的晶圆支撑机构120，所述晶圆支撑机构120包括三根晶圆托架，所述三根晶圆托架位于晶圆的下方并呈与晶圆的周缘相匹配的圆弧形分布。当晶圆100在反应腔室的反应槽内进行反应时，由于反应槽内时常有反应气体流·动，尤其当反应气体由下至上流动时，由于晶圆100仅有三个晶圆托架托住晶圆100的下方，因此，向上流动的反应气体非常容易带动晶圆100窜动，使得晶圆100和晶圆托架发生碰撞。当晶圆100和晶圆托架之间频繁碰撞时，一方面容易导致晶圆100碰碎，产生大量的晶圆碎片，另一方面，晶圆100和晶圆托架间的碰擦容易产生大量的颗粒物质，这些颗粒物质粘附到晶圆100上会严重影响晶圆100的品质，降低产品良率。当槽体110的的底部积聚有晶圆碎片等其他杂质，将后续批次的晶圆100放入晶圆支撑机构120时，这个晶圆碎片容易划伤后续批次的晶圆100，甚至会由于晶圆碎片占用了晶圆托架上的卡槽的位置，使得后续批次的晶圆100无法放置到安全、稳定的位置，造成后续批次的晶圆100的倒坍，使得晶圆100遭到严重破坏，降低产品良率。因此，如何提供一种可以实时监测槽体的底部状况的在反应槽底部监测装置及反应槽是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种反应槽底部监测装置及反应槽，可以实时监测槽体的底部状况，以避免晶圆碎片对晶圆的影响。为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案一种反应槽底部监测装置，包括探测器和控制单元，所述探测器和所述控制单元连接，所述探测器设置于所述槽体的底部。优选的，在上述的反应槽底部监测装置中，所述探测器包括一对激光传感器，所述激光传感器相对设置于所述槽体的底部内侧两端。优选的，在上述的反应槽底部监测装置中，所述反应槽内部设有晶圆放置机构，所述激光传感器位于所述晶圆放置机构的两侧。优选的，在上述的反应槽底部监测装置中，所述探测器还包括一电容传感器，所述电容传感器设置于所述槽体的底部外侧。优选的，在上述的反应槽底部监测装置中，所述电容传感器是长条状的。优选的，在上述的反应槽底部监测装置中，所述激光传感器和所述电容传感器通过或门控制器与所述控制单元连接。[0014]优选的，在上述的反应槽底部监测装置中，所述槽体的底部具有大于90度小于180度的夹角。优选的，在上述的反应槽底部监测装置中，所述槽体的底部具有120-150度的夹角。本实用新型还公开了一种反应槽，包括槽体和如上所述的反应槽底部监测装置。本实用新型提供的反应槽底部监测装置及反应槽设置了探测器和控制单元，所述探测器和所述控制单元连接，所述探测器设置于所述槽体的底部，采用探测器可以探测到位于槽体的底部的晶圆碎片，并将探测信息传递给控制器，使得操作人员及时知晓槽体的底部存在晶圆碎片，以便及时清除晶圆碎片，防止晶圆碎片对后续批次的晶圆生产带来不良影响，确保生产的稳定性和产品良率。
本实用新型的反应槽底部监测装置及反应槽由以下的实施例及附图给出。图I为现有的反应槽的结构示意图。图2为本实用新型一实施例的反应槽的立体结构示意图。图3为本实用新型一实施例的反应槽的侧视结构示意图。图中，100-晶圆，110、210_槽体，2101-底部，120、220-晶圆支撑机构，230-激光传感器，240-电容传感器，250-控制单元，260-或门控制器。
具体实施方式
以下将对本实用新型的反应槽底部监测装置及反应槽作进一步的详细描述。下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。请参阅图2和图3，本实施例提供的反应槽，包括槽体210和反应槽底部监测装置。所述反应槽底部监测装置，包括探测器和控制单元250，所述探测器和所述控制单元250连接，所述探测器设置于所述槽体210的底部2101。采用探测器可以探测到位于槽体210的底部2101的晶圆碎片，并将探测信息传递给控制器，使得操作人员及时知晓槽体210的底部2101存在晶圆碎片，以便及时清除晶圆碎片，防止晶圆碎片对后续批次的晶圆生产带来不良影响，确保生产的稳定性和产品良率。[0028]较佳的，在本实施例中，所述探测器包括一对激光传感器230，所述激光传感器230相对设置于所述槽体210的底部2101内侧两端，具体的所述激光传感器230位于所述晶圆放置机构的两侧。当其中一个激光传感器230接收不到相对的激光传感器230发出的激光时，说明有晶圆碎片存在挡在了激光的传输，此时，激光传感器230向控制单元250发送报警信息。较佳的，在本实施例中，所述探测器还包括一电容传感器240，所述电容传感器240设置于所述槽体210的底部2101外侧。所述电容传感器240可以监测到位于上方的反应槽的槽体210的底部2101是否具有晶圆碎片，即该电容传感器可以感知位于其上方的反应槽的槽体210内的物质变化，一旦槽体210的底部2101有晶圆碎片，该电容传感器可以感知，并向控制单元250发送报警信息。较佳的，在本实施例中，所述电容传感器240是长条状的，所述电容传感器240的长度与所述晶圆支撑机构220的长度相匹配且对应设置。从而，可以实现对反应槽的槽体210的底部2101的全面监测，防止晶圆碎片影响位于晶圆支撑机构220上的晶圆。
较佳的，在本实施例中，所述激光传感器230和所述电容传感器240通过或门控制器260与所述控制单元250连接。无论激光传感器230还是电容传感器240，只要监测到晶圆碎片的存在就想控制单元250发送报警信息，从而使得监测更加全面，防止晶圆碎片残留而影响晶圆。较佳的，所述槽体210的底部2101具有大于90度小于180度的夹角。更佳的，在本实施例中，所述槽体210的底部2101具有120-150度的夹角。通过将槽体210的底部2101从原先的平底设置成具有一定夹角的底部2101，可以使得晶圆碎片尽可能的离开晶圆支撑机构220，进一步防止晶圆碎片影响晶圆支撑机构220上的晶圆，确保晶圆安全稳定的进行制程反应，提闻广品良率。综上所述，本实用新型提供的反应槽底部监测装置及反应槽，通过设置探测器和控制单元250，所述探测器和所述控制单元250连接，所述探测器设置于所述槽体210的底部2101，采用探测器可以探测到位于槽体210的底部2101的晶圆碎片，并将探测信息传递给控制器，使得操作人员及时知晓槽体210的底部2101存在晶圆碎片，以便及时清除晶圆碎片，防止晶圆碎片对后续批次的晶圆生产带来不良影响，确保生产的稳定性和产品良率。综上所述，本实用新型提供的反应槽底部监测装置及反应槽，通过设置探测器和控制单元，所述探测器和所述控制单元连接，所述探测器设置于所述槽体的底部，采用探测器可以探测到位于槽体的底部的晶圆碎片，并将探测信息传递给控制器，使得操作人员及时知晓槽体的底部存在晶圆碎片，以便及时清除晶圆碎片，防止晶圆碎片对后续批次的晶圆生产带来不良影响，确保生产的稳定性和产品良率。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种反应槽底部监测装置，用于监测反应槽的槽体的底部是否具有晶圆碎片，其特征在于，包括探测器和控制单元，所述探测器和所述控制单元连接，所述探测器设置于所述槽体的底部。
2.根据权利要求I所述的反应槽底部监测装置，其特征在于，所述探测器包括一对激光传感器，所述激光传感器相对设置于所述槽体的底部内侧两端。
3.根据权利要求2所述的反应槽底部监测装置，其特征在于，所述反应槽内部设有晶圆支撑机构，所述激光传感器位于所述晶圆支撑机构的两侧。
4.根据权利要求2所述的反应槽底部监测装置，其特征在于，所述探测器还包括一电容传感器，所述电容传感器设置于所述槽体的底部外侧。
5.根据权利要求4所述的反应槽底部监测装置，其特征在于，所述电容传感器是长条状的。
6.根据权利要求4所述的反应槽底部监测装置，其特征在于，所述激光传感器和所述电容传感器通过或门控制器与所述控制单元连接。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的反应槽底部监测装置，其特征在于，所述槽体的底部具有大于90度小于180度的夹角。
8.根据权利要求7所述的反应槽底部监测装置，其特征在于，所述槽体的底部具有120-150度的夹角。
9.一种反应槽,包括槽体,其特征在于,还包括如权利要求I、中任意一项所述的反应槽底部监测装置。
专利摘要本实用新型公开了一种反应槽底部监测装置，用于监测反应槽的槽体的底部是否具有晶圆碎片，其特征在于，包括探测器和控制单元，所述探测器和所述控制单元连接，所述探测器设置于所述槽体的底部。本实用新型提供的反应槽底部监测装置及反应槽，通过设置探测器和控制单元，所述探测器和所述控制单元连接，所述探测器设置于所述槽体的底部，采用探测器可以探测到位于槽体的底部的晶圆碎片，并将探测信息传递给控制器，使得操作人员及时知晓槽体的底部存在晶圆碎片，以便及时清除晶圆碎片，防止晶圆碎片对后续批次的晶圆生产带来不良影响，确保生产的稳定性和产品良率。
文档编号H01L21/66GK202601582SQ201220263118
公开日2012年12月12日 申请日期2012年6月5日 优先权日2012年6月5日
发明者吴良辉, 胡婷芳 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司, 武汉新芯集成电路制造有限公司