专利名称：一种阵列基板及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术：
在薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)阵列结构中，常以氮化娃(SiNx)作为栅绝缘层，且栅绝缘层形成于栅电极和源漏信号电极之间，由于氮化硅本身介电常数较高，使得栅绝缘层电容较高，因此可有效提升充电电流值，缩短充电时间。但是，较高的充电电流值会使栅电极和源漏信号电极之间的电容变得较大，该电容直接影响显示屏的功耗，从而使得显示屏的耗电量明显变大；同时，以氮化硅(SiNx)为栅绝缘层，其平坦性较差，凹凸不平的表面对后端的对盒工艺中的液晶取向工艺造成较大的影响，使得液晶取向紊乱，易造成显示异常。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种阵列基板及显示装置，能防止充电电流损失的同时降低功耗，且能使底层平坦化。为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的:本实用新型提供了一种阵列基板，包括:衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层和像素电极，其中，所述氧化物薄膜晶体管中包括采用非感光型有机树脂形成的栅绝缘层。这里，所述非感光型有机树脂包括主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂；所述非感光型有机树脂形成的栅绝缘层具有平坦化的表面结构；所述钝化层为采用的材料包括氮化硅、有机树脂材料中至少一种的钝化层；所述氧化物薄膜晶体管包括:栅电极、形成于所述栅电极上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的源信号电极、漏信号电极以及沟道；或者，所述氧化物薄膜晶体管包括:源信号电极、漏信号电极和沟道，以及形成于所述源信号电极、漏信号电极和沟道上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的栅电极。本实用新型还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本实用新型公开的任意一种的阵列基板。本实用新型所提供的阵列基板，具有以下的优点和特点:本实用新型中的栅绝缘层采用主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂材料代替氮化硅材料，如此，一方面，由于非感光型有机树脂材料的介电常数较氮化硅材料的介电常数低，可有效降低显示屏功耗；另一方面，由于有机树脂材料为平坦化、均匀性好的材料，可有效改善栅绝缘层凹凸不平的现象，使得栅绝缘层平坦化，进而使阵列基板整体平坦，提高后续工艺的可控性。另外，虽然本实用新型采用的非感光型有机树脂的介电常数比较低，会影响阵列基板的充电电流，但是，通过采用氧化铟锡材料制作氧化物半导体层，可有效弥补充电电流的损失；且由于非感光型有机树脂材料中不含H元素，因此，可较好地防止氧化物薄膜晶体管充电电流的特性变差。
图1为实施例1阵列基板的组成结构示意图；图2为实施例2阵列基板的组成结构示意图。附图标记说明1、衬底基板，2、栅电极，3、栅绝缘层，4、氧化物半导体层，5、源漏信号电极层，5a、源信号电极，5b，漏信号电极，6、钝化层，7、过孔，8、像素电极，9、沟道
具体实施方式
下面将结合具体实施例及附图对本实用新型的实施方式进行详细描述。实施例1图1为实施例1阵列基板的组成结构示意图,如图1所示,所述阵列基板包括:衬底基板1、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层6和像素电极8 ;其中，所述氧化物薄膜晶体管中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂形成。本实用新型所述阵列基板中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂材料代替氮化硅材料，如此，一方面，由于非感光型有机树脂材料的介电常数较氮化硅材料的介电常数低，可有效降低显示屏功耗；另一方面，由于有机树脂材料为平坦化、均匀性好的材料，可有效改善栅绝缘层凹凸不平的现象，使得栅绝缘层平坦化，进而使阵列基板整体平坦，提高后续工艺的可控性，例如可以大幅度降低液晶器件制造过程中的对盒摩擦(cell rubbing)工艺的端差，提升产品特性。另外，虽然本实用新型所述阵列基板采用的非感光型有机树脂的介电常数比较低，会影响阵列基板的充电电流，但是，通过采用氧化铟锡材料制作氧化物半导体层，可有效弥补充电电流的损失；且由于非感光型有机树脂材料中不含H元素，因此，可较好地防止氧化物薄膜晶体管充电电流的特性变差。其中，所述氧化物薄膜晶体管可以至少包括:栅电极2、形成于所述栅电极2上的栅绝缘层3、形成于所述栅绝缘层3上的氧化物半导体层4、形成于所述氧化物半导体层4上的源漏信号电极层5、以及形成于所述源漏信号电极层5上的沟道9，所述沟道9在氧化物半导体层4上方截断源漏信号电极层，将所述源漏信号电极层截断成源信号电极5a和漏信号电极5b ；这里，所述阵列基板上的结构不限于上述所列出的结构，且氧化物薄膜晶体管、钝化层以及像素电极形成的方式也不限，其中，氧化物薄膜晶体管、钝化层以及像素电极的形成方式可以采用常规的实现方式，如5次掩膜版(5mask)工艺、4次掩膜版(4mask)工艺等，还可以利用多色调工艺及分层剥离工艺等技术，这些工艺方法均为本领域技术人员所知晓的，此处不再详细描述。[0026]这里，所述非感光型有机树脂可以包括主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂材料；所述钝化层采用的材料可以包括氮化硅、氧化硅等材料，也可以包括有机树脂材料，其中，采用有机树脂材料做钝化层，可以降低端差以提升产品特性；所述像素电极为透明导电材料，且该透明导电材料可以包括纳米铟锡金属氧化物(ITO)、铟锌金属氧化物(IZO)、或铟镓锌氧化物(IGZO)。结合以上所述，所述阵列基板上的氧化物薄膜晶体管的具体结构如图1所示，包括:衬底基板1，形成于所述衬底基板I上的栅电极2 ;形成于所述栅电极2上的栅绝缘层3 ;形成于所述栅绝缘层3上的氧化物半导体层4，且所述氧化物半导体层4通过栅绝缘层3与栅电极2相隔；形成于所述氧化物半导体层上的源漏信号电极层5 ;形成于所述源漏信号电极层5上的沟道9，所述沟道9在氧化物半导体层4上方截断源漏信号电极层，并将源漏信号电极层5截断成源信号电极5a和漏信号电极5b ;形成于在上述已形成栅电极
2、栅绝缘层3、氧化物半导体层4、源信号电极5a、漏信号电极5b以及沟道9的阵列基板上的钝化层6 ;形成于钝化层6上的过孔7和像素电极8，所述像素电极8通过过孔7与漏信号电极5b连接。阵列基板上还具有栅线和数据线，在阵列基板的制造过程中，栅线可以在形成栅电极的同时形成，数据线可以在形成源信号电极和漏信号电极的同时形成。相应的，所述阵列基板上的氧化物薄膜晶体管以及钝化层和像素电极的制造方法，包括:依次在衬底基板I上形成栅电极2 ;在所述栅电极上形成栅绝缘层3 ;在所述栅绝缘层3上形成氧化物半导体层4 ;在所述氧化物半导体层4上形成源漏信号电极层5 ;在所述源漏信号电极层5上形成沟道9，所述沟道9在所述氧化物半导体层4上方截断源漏信号电极层5，将源漏信号电极层5截断为源信号电极5a和漏信号电极5b ;在所述已形成栅电极2、栅绝缘层3、氧化物半导体层4、源信号电极5a、漏信号电极5b以及沟道9的阵列基板上形成钝化层6 ;在所述钝化层6刻蚀出过孔7，并形成像素电极8，所述像素电极8通过过孔7与漏信号电极5b连接。相应地，阵列基板上还具有栅线和数据线，在阵列基板的制造过程中，栅线可以在形成栅电极的同时形成，数据线可以在形成源信号电极和漏信号电极的同时形成。本实施例中所述钝化层采用的材料为有机树脂，由于有机树脂具有易于平坦化的特性，因此，从图1中可以看出，所述钝化层的表面为平坦的，也可有效地降低表面端差，提升产品特性。实施例2图2为实施例2阵列基板的组成结构示意图，该阵列基板上的氧化物薄膜晶体管的结构为顶栅结构，如图所示，所述阵列基板包括:衬底基板1、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管以及钝化层6和像素电极8 ;其中，所述氧化物薄膜晶体管中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂形成。阵列基板上还具有栅线和数据线(图中未示出)。本实用新型所述阵列基板中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂材料代替氮化硅材料，如此，一方面，由于非感光型有机树脂材料的介电常数较氮化硅材料的介电常数低，可有效降低显示屏功耗；另一方面，由于有机树脂材料为平坦化、均匀性好的材料，可有效改善栅绝缘层凹凸不平的现象，使得栅绝缘层平坦化，进而使阵列基板整体平坦，提高后续工艺的可控性，例如可以大幅度降低液晶器件制造过程中的对盒摩擦(cell rubbing)工艺的端差，提升产品特性。另外，虽然本实用新型所述阵列基板采用的非感光型有机树脂的介电常数比较低，会影响阵列基板的充电电流，但是，通过采用氧化铟锡材料制作氧化物半导体层，可有效弥补充电电流的损失；且由于非感光型有机树脂材料中不含H元素，因此，可较好地防止氧化物薄膜晶体管充电电流的特性变差。其中，所述氧化物薄膜晶体管可以至少包括:源漏信号电极层5、形成于所述源漏信号电极层5上的沟道9，所述沟道9截断源漏信号电极层，并将所述源漏信号电极层截断成源信号电极5a和漏信号电极5b，以及形成于所述源信号电极5a、漏信号电极5b和沟道上的氧化物半导体层4、形成于所述氧化物半导体层4上的栅绝缘层3、形成于所述栅绝缘层3上的栅电极2。这里，所述阵列基板上的结构不限于上述所列出的结构，且氧化物薄膜晶体管、钝化层以及像素电极形成的方式也不限，其中，氧化物薄膜晶体管、钝化层以及像素电极的形成方式可以采用常规的实现方式，如5次掩膜版(5mask)工艺、4次掩膜版(4mask)工艺等，还可以利用多色调工艺及分层剥离工艺等技术，这些工艺方法均为本领域技术人员所知晓的，此处不再详细描述。这里，所述非感光型有机树脂可以包括主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂材料；所述钝化层采用的材料可以包括氮化硅、氧化硅等材料，也可以包括有机树脂材料，其中，采用有机树脂材料做钝化层，可以降低端差以提升产品特性；所述像素电极为透明导电材料，且该透明导电材料可以包括纳米铟锡金属氧化物(ITO)、铟锌金属氧化物(IZO)、或铟镓锌氧化物(IGZO)。结合以上所述，所述阵列基板上的氧化物薄膜晶体管以及钝化层和像素电极的具体结构如图2所示,包括:衬底基板1，形成于衬底基板I上的源漏信号电极层5 ;形成于源漏信号电极层5上的沟道9，所述沟道9截断源漏信号电极层，并将所述源漏信号电极层5截断成源信号电极5a和漏信号电极5b ;形成于源信号电极5a、漏信号电极5b以及沟道9上的氧化物半导体层4，且所述氧化物半导体层4通过所述沟道9隔断源漏信号电极层；形成于在上述已形成源信号电极5a、漏信号电极5b、沟道9以及氧化物半导体层4的阵列基板上的栅绝缘层3 ;形成于栅绝缘层3上的栅电极2，且所述栅电极2通过栅绝缘层3与氧化物半导体层4相隔；形成于在上述已形成源信号电极5a、漏信号电极5b、沟道9、氧化物半导体层4、栅绝缘层3以及栅电极2的阵列基板上的钝化层6 ;形成于所述钝化层6上的过孔7和像素电极8，所述像素电极8通过过孔7与漏电极连接5b。阵列基板上还具有栅线和数据线，在阵列基板的制造过程中，栅线可以在形成栅电极的同时形成，数据线可以在形成源信号电极和漏信号电极的同时形成。相应地，所述阵列基板上的氧化物薄膜晶体管以及钝化层和像素电极的制造方法，包括:[0049]在衬底基板I上形成源漏信号电极层5 ;在所述源漏信号电极层5上形成沟道9，所述沟道9截断源漏信号电极层5，并将所述源漏信号电极层5截断成源信号电极5a和漏信号电极5b ;在所述源信号电极5a、漏信号电极5b和沟道9上形成氧化物半导体层4，且所述氧化物半导体层4通过所述沟道9隔断源漏信号电极层；在所述已形成源信号电极5a、漏信号电极5b、沟道9以及氧化物半导体层4的阵列基板上沉积栅绝缘层3 ;在所述栅绝缘层3上沉积栅电极2 ;在所述已形成源信号电极5a、漏信号电极5b、沟道9、氧化物半导体层
4、栅绝缘层3以及栅电极2的阵列基板上形成钝化层6 ;在所述钝化层6刻蚀出过孔7，并形成像素电极8，所述像素电极8通过过孔7与漏信号电极5b连接。相应地，阵列基板上还具有栅线和数据线，在阵列基板的制造过程中，栅线可以在形成栅电极的同时形成，数据线可以在形成源电极和漏电极的同时形成。本实施例中所述钝化层采用的材料为氮化硅，由于氮化硅为非平坦化材料，因此，从图2中可以看出，所述钝化层的表面为非平坦的。本实用新型实施例中例举的阵列基板的结构只是可选的方案，阵列基板上的各组成部分以及薄膜晶体管所包括的各层的位置和形成顺序不限于实施例中所描述的方式，而是可以有很多种变化，比如可以最先形成像素电极，然后再形成源漏信号电极、栅电极等，只要所形成的结构能够实现面板的驱动即可。本实用新型还提供了一种显示装置，其中，所述显示装置中的阵列基板为实施例1或实施例2所述的任意一种阵列基板。这里，所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板，包括:衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层和像素电极，其中，所述氧化物薄膜晶体管中包括采用非感光型有机树脂形成的栅绝缘层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非感光型有机树脂包括主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述非感光型有机树脂形成的栅绝缘层具有平坦化的表面结构。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为采用的材料包括氮化硅、有机树脂材料中至少一种的钝化层。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管包括:栅电极、形成于所述栅电极上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的源信号电极、漏信号电极以及沟道； 或者，所述氧化物薄膜晶体管包括:源信号电极、漏信号电极和沟道，以及形成于所述源信号电极、漏信号电极和沟道上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的栅电极。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型公开了一种阵列基板，包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管以及钝化层和像素层，其中，所述氧化物薄膜晶体管中的栅绝缘层采用的材料为非感光型有机树脂。本实用新型还公开了一种显示装置，采用本实用新型能有效降低功耗，且使底层平坦化。
文档编号H01L27/12GK202948924SQ20122046837
公开日2013年5月22日 申请日期2012年9月13日 优先权日2012年9月13日
发明者郭建 申请人:北京京东方光电科技有限公司