专利名称：显示装置以及显示装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种使用有机EL显示装置等的薄膜晶体管(以下也简写为“TFT (ThinFilm Transistor)")的显示装置以及显示装置的制造方法。
背景技术：
一直以来，FPD(平板显示器Flat Panel Display)的开发非常盛行，使用有机EL(电致发光Electro Luminescence)兀件或者LCD(液晶显不器Liquid CrystalDisplay)元件的显示装置广为人知。在LCD或有机EL显示装置中采用了有源矩阵方式，该有源矩阵方式能够使用多个像素以高精度显示任意的文字或图形。作为有源矩阵方式的驱动电路元件的一个例子，薄膜晶体管方式为人所知。在表面为绝缘性的基板上以矩阵状配置扫描线和信号线。由该扫 描线和信号线围起的区域成为像素，在各像素配置薄膜晶体管。近年来，对显示装置的大型化和高精细化的要求越来越高，扫描线和信号线的导电材料部的信号传递的延迟成为问题。作为解决该问题的手段，提出了利用电阻更低的铜来代替作为导电材料而一直被使用的铝等的导电金属的方案。在使用铜作为导电材料的情况下，需要采取防止铜氧化的对策。如果铜表面与空气中的氧或水分接触，则表面会形成CuO或Cu2O等的氧化层。由于这些氧化层不会成为非动态，因此，氧化会发展至内部，作为导电材料的铜的电阻率会增大，会失去作为低电阻的铜的优势。因此，为了不使铜布线的表面露出，需要某种防氧化层。为了防止铜表面的氧化，提出了以在SiNx、SiO5^P SiNO膜等的薄膜晶体管的制造中使用的绝缘膜覆盖铜布线的方案。为了阻挡铜布线与大气的接触，并保护其不受蚀刻加工中使用的蚀刻剂的影响，作为绝缘膜的代替物，能够举出铟锡氧化物(以下简称为“ΙΤ0”)或铟锌氧化物(以下简称为“ΙΖ0”)等的金属氧化物导体。通常，这些金属氧化物导体是在液晶显示装置中作为透明像素电极使用的。由于金属氧化物导体不会在与铜之间产生原子的相互扩散，因此，除了作为透明像素电极使用以外，作为铜布线的保护膜也很有效。例如，如果在安装了由铜布线构成的扫描线或信号线和驱动电路等的安装端子部分预先设置由金属氧化物导体形成的保护层，则铜布线不会被大气中的氧或水分氧化，铜布线的电阻率不会升高。因此，设置由金属氧化物导体形成的保护层是用于在安装端子部分维持接触电阻较低的良好连接的有效手段。另外，在薄膜晶体管基板内的绝缘膜设置接触孔、并且在经由接触孔的布线之间的连接部分也设置由金属氧化物导体构成的保护层是用于在经由接触孔的布线之间的连接部分维持接触电阻较低的良好连接的有效手段。另外，在薄膜晶体管基板的制造工序中，当利用溅射法等在整个基板表面形成金属薄膜之后，利用光刻将扫描线、信号线、栅极电极、源极电极、漏极电极和电容电极等的金属导体部分加工成规定的图案。但是，随着铜布线的部位不同而图案也不同，为了减少掩模数量，优选在各布线部位上能够在一次光刻工序中使用相同的抗蚀剂掩模来形成在铜薄膜上层叠了金属氧化物导体膜的层叠结构的图案。另一方面，由于ITO等的金属氧化物导体与铜的蚀刻液不同，因此，或者使用专用的蚀刻液、或者使用铜用的蚀刻液与金属氧化物导体的蚀刻液的混合溶液。例如，有的专利文献中提出了以下方案，即，在蚀刻时，首先使用盐酸水溶液或在盐酸水溶液中添加了硝酸的水溶液作为金属氧化物导体膜用的溶液；作为铜薄膜用的溶液而使用含有过硫酸铵溶液或者过硫酸氢钾(KHS05)和氢氟酸的溶液(例如，参照专利文献I)。但是，要求能够容易地制造具有由铜形成的低电阻布线的显示装置，并实现在长时间内可靠性高的显示装置。现有技术文献专利文献专利文献I JP特开2001-196371号公报
发明内容
发明概要本发明的显示装置具有显示元件；控制显示元件的发光的薄膜晶体管；和与薄膜晶体管连接的信号线，薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式形成在基板上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与沟道层连接的源极电极以及漏极电极，并且，信号线的安装端子部具有如下结构在铜层上层叠有金属氧化物的构成，且将安装端子部的截面设为梯形并且用保护膜覆盖了安装端子部的侧面和上表面的周边部。另外，本发明的显示装置的制造方法的特征为，显示装置具有显示元件；控制该显示元件的发光的薄膜晶体管；和与该薄膜晶体管连接的信号线，薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式形成在基板上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与沟道层连接的源极电极以及漏极电极，信号线的安装端子部按如下构成在铜层上形成层叠了金属氧化物层的膜，之后，在金属氧化物层上形成抗蚀剂掩模，然后，首先使用抗蚀剂掩模来蚀刻上层的金属氧化物层，之后，使用抗蚀剂掩模来蚀刻下层的铜层，然后，再次蚀刻上层的金属氧化物层，将安装端子部的截面加工为梯形，然后，用保护膜覆盖安装端子部的侧面和上表面的周边部。如上所述，根据本发明的薄膜晶体管用的铜布线基板及其制造方法和使用该制造方法的显示装置，能够容易地制造由铜形成的具有低电阻布线且大型化、高精细化的显示装置。另外，还能够确保安装端子部或经由接触孔的布线间连接部的耐氧化性或耐药剂性，并实现长期高可靠性的显示装置。
图1是作为本发明的一个实施方式中的显示装置的有机EL显示装置的局部解剖立体图。图2是本发明的一个实施方式中的显示装置的像素的电路构成图。图3是表示构成本发明的一个实施方式中的显示装置的一个像素的驱动晶体管的设备结构的剖视图。图4是表示本发明的一个实施方式中的显示装置的安装端子部分的构成的剖视图。图5A是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5B是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5C是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5E是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5F是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5G是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5H是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图51是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5J是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5K是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5L是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5M是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5N是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图50是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5P是表示本发明的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图6A是表示本发明的一个实施方式中的安装端子部的制造方法中的各工序的剖视图。图6B是表示本发明的一个实施方式中的安装端子部的制造方法中的各工序的剖视图。
图6C是表示本发明的一个实施方式中的安装端子部的制造方法中的各工序的剖视图。图6D是表示本发明的一个实施方式中的安装端子部的制造方法中的各工序的剖视图。图6E是表示本发明的一个实施方式中的安装端子部的制造方法中的各工序的剖视图。
具体实施例方式(实施方式)以下，参照附图对本发明的一个实施方式中的显示装置以及该显示装置中所使用的薄膜晶体管及其制造方法进行说明。首先，关于本发明的一个实施方式中的显示装置，以有机EL显示装置为例进行说明。图1是作为本发明的一个实施方式中的显示装置的有机EL显示装置的局部解剖立体图。表示了有机EL显示装置的大致结构。如图1所示，有机EL显示装置具有有源矩阵基板I ;在有源矩阵基板I上以矩阵状配置的多个像素2 ;与像素2连接，且在有源矩阵基板I上以阵列状配置的多个像素电路3 ;在像素2和像素电路3上按顺序层叠的作为阳极的电极4 ；由有机EL层5以及作为阴极的电极6构成的EL元件；和用于将像素电路3分别与控制电路连接的多根源极布线7以及栅极布线8。另外，EL元件的有机EL层5是通过将电子输送层、发光层和空穴输送层等的各层按顺序层叠而构成的。接下来，通过图2对像素2的电路构成的一个例子进行说明。图2是本发明的一个实施方式中的显示装置的像素的电路构成图。如图2所示，像素2具有作为显示元件的有机EL元件11 ;用于控制有机EL元件11的发光量的由薄膜晶体管构成的驱动晶体管12 ;用于控制有机EL元件11的导通/截止等的驱动定时的由薄膜晶体管构成的开关晶体管13 ;以及电容器14。而且，开关晶体管13的源极电极13S与源极布线7连接，栅极电极13G与栅极布线8连接，漏极电极13D与电容器14以及驱动晶体管12的栅极电极12G连接。另外，驱动晶体管12的漏极电极12D与电源布线9连接，源极电极12S与有机EL元件11的阳极连接。如上所述,作为显示装置的有机EL显示装置具有作为显示元件的有机EL元件
11;控制该显示元件的发光的薄膜晶体管；和与该薄膜晶体管连接的信号线。在这种构成中，如果向栅极布线8输入栅极信号，使开关晶体管13成为导通状态，则与经由源极布线7提供的图像信号对应的信号电压被写入到电容器14。在I帧期间内保持写入到电容器14的保持电压。于是，通过写入到电容器14的保持电压，使驱动晶体管12的电导模拟性地变化，与发光灰度对应的驱动电流从有机EL元件11的阳极流向阴极。通过该流向阴极的驱动电流，使有机EL元件11发光，以作为图像来显示。图3是表示本发明的一个实施方式中的有机EL显示装置的一个像素中的设备结构的剖视图。图4是表示有机EL显示装置的安装端子部分的构成的剖视图。首先，如图3所示，有机EL显示装置的薄膜晶体管部分是在绝缘性基板20上形成成为驱动晶体管12或开关晶体管13的薄膜晶体管30a及30b (将薄膜晶体管30a及30b统称为薄膜晶体管30)以及电容器40。另外，在图3中，关于成为驱动晶体管12的薄膜晶体管30b只显示了漏极电极35D，其他的构成与薄膜晶体管30a的构成相同，在以下的说明中，以薄膜晶体管30a为例进行说明。薄膜晶体管30a是底栅型的η型薄膜晶体管，是通过按顺序分别层叠以下部分构成的，即在绝缘性基板20上形成的栅极电极31 ;以覆盖栅极电极31的方式在基板20上形成的栅极绝缘膜32 ;在栅极绝缘膜32上形成的沟道层33 ;在沟道层33上分离形成的一对接触层34a及34b ;和在一对接触层34a及34b上形成的源极电极35S以及漏极电极35D。因此，源极电极35S以及漏极电极3 与沟道层33连接。基板20是由例如石英玻璃等的玻璃基板形成的绝缘性基板。另外，虽然未图示，但在基板20的表面上，为了防止包含在基板中的钠或磷等杂质侵入半导体膜，也可以形成由氮化硅膜(SiNx)或氧化硅膜(SiOx)等的绝缘膜构成的底层膜。
栅极电极31是在由绝缘性基板形成的基板20上例如由钥构成且被图案化为带状的电极。作为栅极电极31，也可以是钥(Mo)以外的金属，例如也可以由钥钨(MoW)等构成。另外，作为栅极电极31的材料，当在薄膜晶体管30的制造工序中包含加热工序时，优选难以因热量而变质的高熔点金属材料。在本实施方式中，作为栅极电极31，使用了膜厚为IOOnm左右的钥(Mo)。另外，如果使用铜作为栅极电极，则为了结晶化等而进行加热，从而容易扩散到后面要提到的栅极绝缘膜中，因此，需要抑制在保护层等中的扩散。另外，为了同时形成栅极电极和布线，也需要加厚膜厚，当形成薄膜晶体管时，如果栅极电极厚，则难以确保栅极绝缘膜的涂覆性，会在很大程度上影响制造时的成品率。因此，在本实施方式中，在不同的工序中形成栅极电极和扫描线，栅极电极以高熔点材料构成为膜厚薄在IOOnm以下，使用铜作为扫描线，且构成为膜厚在200nm以上。这样一来，能够获得低电阻的扫描线和具有耐热性的栅极电极。以覆盖栅极电极31的方式形成的栅极绝缘膜32能够使用例如二氧化硅(SiO2)。除此之外，作为栅极绝缘膜32的材料，能够由氮化硅膜(SiN)或氮氧化硅膜(SiON)或它们的层叠膜等构成。另外，在本实施方式中，由于使用铜作为在栅极绝缘膜32上形成的布线层，因此，优选在栅极绝缘膜32与布线材料相接的部分使用SiNx。通过使用SiNx能够降低铜的扩散。在本实施方式中，使用膜厚为200nm左右的SiNx作为栅极绝缘膜32。沟道层33在栅极电极31上方的栅极绝缘膜32上按岛状形成图案。沟道层33由半导体膜构成，形成为移动性高的半导体膜，因此，能够提高TFT的导通电流。作为沟道层33，能够使用包含结晶硅的晶质硅膜或氧化物半导体和有机半导体。晶质硅膜能够由微晶硅或多晶硅构成。晶质硅能够通过用退火等的加热处理将非晶质硅(amorphoussilicon)结晶化而形成。如果膜厚为30 160nm左右,则能够维持必要的导通电流，并抑制截止电流。在本实施方式中，使用膜厚为80nm左右的晶质硅作为沟道层33。另外，在本实施方式中，晶质硅膜中的结晶粒径为Iym以下。另外，作为沟道层33，可以是非晶质结构和晶质结构的混晶。另外，沟道层33是未掺杂层，未进行有意的杂质的添加。不过，有可能会在制造过程中无意地在氢化非晶质硅膜中混入杂质。因此，作为沟道层33的硅膜中的杂质浓度优选为IX IO1Vcm3以下。而且，作为沟道层33，优选杂质浓度无限低，因此，沟道层33的杂质浓度优选为IXlO1Vcm3以下。另外，如果作为沟道层33的硅膜的杂质浓度较高，则截止电流(Ioff)会变大，因此不优选。一对接触层34a及34b由包含杂质的非晶质硅膜构成，相互隔开地形成在沟道层33上，并且形成为还覆盖沟道层33的侧面。接触层34a及34b能够通过在膜厚为10 50nm左右的非晶质硅中添加磷(P)等η型杂质而形成。在本实施方式中以30nm的膜厚成膜。另外，接触层34a及34b的杂质浓度优选为I X IO2Vcm3以上且I X IO2Vcm3以下。一般来讲，该浓度是在硅膜中加入高浓度的杂质时能够容易实现的浓度。另外，作为接触层34a及34b中的η型杂质，不局限于磷，也可以是磷以外的其他V族元素。另外，不局限于η型杂质，例如，也可以使用含有硼(B)等的第III族元素的P型杂质。接触层34a及34b虽然可以由包含一定浓度的杂质的单层构成，但是如果朝向沟道层33呈从高浓度变为低浓度，则能够缓和接触层34a及34b与沟道层33的界面的电场集 中。因此，由于能够抑制截止时的漏电流而优选。具体而言，接触层34a及34b的杂质浓度在接近源极电极35S和漏极电极3 之处以IXlO2Vcm3以上且IXlO2Vcm3以下的高浓度区域构成。另外，优选接触层34a和34b的杂质浓度在接近沟道层33之处由5X 102°/cm3以下，优选I X 1019/cm3以上且I X 102°/cm3以下的低浓度区域构成。源极电极35S以及漏极电极3 分别形成在接触层34a及34b上，并以相互隔开的方式形成图案。另外，源极电极35S以及漏极电极3 与接触层34a及34b欧姆接合，并以侧面与接触层34a及34b —致的方式形成。源极电极35S以及漏极电极3 是利用例如溅射法以将ΙΤ0、Cu和Mo按该顺序层叠形成的三层金属层的方式成膜的。并且，是以例如将ITO的膜厚设为100nm，Cu的膜厚设为300nm，Mo的膜厚设为50nm的方式成膜的。而且，构成三层金属层的层叠膜的膜厚为200 IOOOnm左右。在此，电容器40由与薄膜晶体管30a的栅极电极31相同的电极41、与源极电极35S以及漏极电极3 相同的电极42以及夹在电极41及42之间的栅极绝缘膜32形成。另外，电容器40的电极41及42通过接触布线部50与薄膜晶体管30a及30b的各电极电连接，薄膜晶体管30b的漏极电极3 通过接触布线部51与图1所示的显示元件部分的电极4电连接。而且，为了使各电极、接触布线部50及51之间绝缘，而形成由例如氮化硅膜(SiNx)等的绝缘膜构成的层间绝缘膜53及54。接下来，对图4所示的安装端子部分进行说明。如图4所示，为了将与显示装置的各电极连接的信号线与外部的电路连接，从而形成了安装端子部60、61及62。安装端子部60、61、62及信号线与薄膜晶体管30a、30b的源极电极35S以及漏极电极3 相同，是由以铜为主要成分的铜层形成的。并且，在铜层的上层(保护层)上形成铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等金属氧化物的导电体；在铜层的下层(阻挡层)形成由钛(Ti)钽(Ta)、钥(Mo)和钨(W)这些金属中的一种或两种以上的材料构成的膜。该铜层的下层(阻挡层)的目的是为了当在沟道层33以及接触层34a等中使用硅时防止铜的扩散。另外，如果此时将铜层的下层和栅极电极设为相同的材料，则能够兼用制造装置以及材料，因此，从降低制造成本这一点而言为优选。
安装端子部60、61及62是通过在将由氮化硅膜(SiNx)等的绝缘膜形成的层间绝缘膜54以400nm的膜厚形成之后，在层间绝缘膜54的一部分上形成开口部54a、54b及54c而设置的。在此，层间绝缘膜53及54只要是能够确保铜布线的侧面的耐氧化以及耐药剂性的材质即可，不局限于SiNx。另外，也可以在与铜直接相接的部分使用SiNx并与涂覆型的绝缘膜层叠而使膜变厚。接下来，关于具有图3所示的结构的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法，使用作为表示它们的制造工序的一个例子的剖视图的图5A 图5P进行说明。首先，如图5A所示，在由绝缘性玻璃基板形成的基板20上通过溅射法以IOOnm左右的膜厚成膜由钥等形成的栅极金属膜31M。另外，也可以在形成栅极金属膜31M之前在基板20上形成内涂层膜。接下来，通过对栅极金属膜31M实施光刻以及湿式蚀刻而对栅极金属膜31M进行
图案化，如图5B所示，形成规定形状的栅极电极31和电容器的电极41。然后，如图5C所示，利用等离子CVD(化学气相沉积Chemical Vapor Deposition)覆盖栅极电极31和电极41，在基板20上以200nm左右的膜厚成膜由氧化硅膜形成的栅极绝缘膜32。接下来，如图所示，在栅极绝缘膜32上以30nm左右的膜厚形成由晶质硅形成的沟道层用膜33F。由晶质硅形成的沟道层用膜33F能够通过在或者利用CVD法直接成膜微晶硅、或者利用等离子CVD法成膜非晶质硅之后实施使用激光或者灯管进行的加热处理从而结晶化而形成。接下来，如图5E所示，将沟道层用膜33F覆盖，成膜由添加了磷作为η型杂质的非晶质硅形成的接触层用膜34F。然后，如图5F所示，通过实施光刻以及干式蚀刻对接触层用膜34F和沟道层用膜33F同时进行图案化，形成沟道层33和接触层34。接下来，如图5G所示，将接触层34和沟道层33覆盖，成膜源极漏极金属膜35Μ。然后，如图5Η所示，通过实施光刻以及湿式蚀刻将源极漏极金属膜35Μ图案化，将源极电极35S以及漏极电极35D与电容器40的电极41分离形成。另外，源极漏极金属膜35Μ的蚀刻是通过在金属氧化物导体膜与铜的层叠结构上实施湿式蚀刻而进行的。而且，如图51所示，通过使用与图5Η相同的形式进行干式蚀刻从而对接触层34图案化，分离形成规定形状的一对接触层34a及34b。另外，源极电极35S是以覆盖接触层34a的上表面以及沟道层33的侧面的方式形成的。漏极电极3 是以覆盖接触层34b的上表面以及沟道层33的侧面的方式形成的。接下来，如图5J所示，以400nm的膜厚成膜由氮化硅膜(SiNx)形成的层间绝缘膜53，然后，如图5K所示，继续实施光刻以及湿式蚀刻(或干式蚀刻)，由此，对于层间绝缘膜53同时形成至源极电极35S、漏极电极35D以及栅极电极31的接触孔和安装端子部(未图示)的开口部。另外，在图5K所示的剖视图中，源极电极35S的接触孔未图示。这是因为形成源极电极35S的接触孔的截面与图5K所示的截面不同。接下来，如图5L所示，在将基板20的整个面覆盖的状态下成膜布线层50M，然后，如图5M所示，将源极电极35S、漏极电极35D以及栅极电极31和接触布线部50连接。接下来，如图5N所示，以覆盖基板20的整个面的方式成膜层间绝缘膜54，然后，如图50所示，在与安装端子部和EL用的电极4连接的部分设置开口部。然后，如图5P所示，在成膜成为EL用的下部电极4的电极膜4M之后，实施光刻以及湿式蚀刻，由此制造具有图3及图4所示的结构的装置。在本发明中，信号线的安装端子部60、61及62具有如下结构在铜层上层叠ITO等的金属氧化物层，并且安装端子部60、61及62的截面被设为梯形，而且安装端子部60、61及62的侧面和上表面的周边部被保护膜覆盖。图6A 6E是表示本发明的一个实施方式的安装端子部的制造方法中的各工序的首1J视图。如图6A所示，在信号线的安装端子部，首先在基板20上形成以铜为主要成分的铜层70，并且形成由ITO等构成的金属氧化物层71。然后，使用通常的光刻技术在层叠膜上形成抗蚀剂掩模72。接下来，如图6B所示，使用硝酸水溶液对金属氧化物层71进行湿式蚀刻。接下来，如图6C所示，使用抗蚀剂掩模72进行利用由对铜和钥薄膜实施蚀刻的磷酸、硝酸和醋酸组成的混酸的湿式蚀刻。然后，如图6D所示，使用抗蚀剂掩模72，利用硝酸水溶液进行湿式蚀刻，将金属氧化物层71的伸出部71a除去。然后，通过除去抗蚀剂掩模72从而将端子部60、61及62的截面加工成梯形。然后，如图6E所示，通过用保护膜73将安装端子部60、61及62的侧面和上表面的周边部覆盖从而完成。即，在本发明中，信号线的安装端子部60、61及62构成为在铜层上形成层叠了金属氧化物层的膜之后，在金属氧化物层上形成抗蚀剂掩模，然后，首先使用抗蚀剂掩模对上层的金属氧化物层进行蚀刻，然后，使用抗蚀剂掩模对下层的铜层进行蚀刻，然后，再次对上层的金属氧化物层进行蚀刻，将截面加工成梯形，之后，用保护膜73覆盖安装端子部60、61及62的侧面和上表面的周边部，去除金属氧化物层71的伸出部71a，用保护膜73覆盖铜层和金属氧化物层的侧面，由此，能够防止安装端子部60、61及62的腐蚀。产业上的可利用性如上所述，本发明从获得高可靠性的显示装置的角度上来看是很有用的发明。附图标记的说明20 基板30、30a、30b 薄膜晶体管31 栅极电极32 栅极绝缘膜33 沟道层34、34a、34b 接触层35S 源极电极35D 漏极电极60,61,62 安装端子部70 铜层71 金属氧化物层72 抗蚀剂掩模73 保护膜
权利要求
1.一种显示装置，具有显示元件；控制上述显示元件的发光的薄膜晶体管；和与上述薄膜晶体管连接的信号线，上述薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖上述栅极电极的方式形成在上述基板上的栅极绝缘膜；在上述栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与上述沟道层连接的源极电极以及漏极电极，并且，上述信号线的安装端子部具有如下结构在铜层上层叠有金属氧化物层，且将上述安装端子部的截面设为梯形并且用保护膜覆盖了上述安装端子部的侧面和上表面的周边部。
2.—种显示装置的制造方法，该显示装置具有显示元件；控制上述显示元件的发光的薄膜晶体管；和与上述薄膜晶体管连接的信号线，上述薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖上述栅极电极的方式形成在上述基板上的栅极绝缘膜；在上述栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与上述沟道层连接的源极电极以及漏极电极，上述信号线的安装端子部按如下构成在铜层上形成层叠了金属氧化物层的膜，之后，在上述金属氧化物层上形成抗蚀剂掩模，然后，首先使用上述抗蚀剂掩模来蚀刻上层的上述金属氧化物层，之后，使用上述抗蚀剂掩模来蚀刻下层的上述铜层，然后，再次蚀刻上述上层的上述金属氧化物层，将上述安装端子部的截面加工为梯形，然后，用保护膜覆盖上述安装端子部的侧面和上表面的周边部。
全文摘要
一种显示装置以及显示装置的制造方法。该显示装置具有显示元件；控制显示元件的发光的薄膜晶体管；和与薄膜晶体管连接的信号线，薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式形成在基板上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与沟道层连接的源极电极以及漏极电极，并且，信号线的安装端子部具有如下结构在铜层上层叠有金属氧化物层，且将安装端子部的截面设为梯形并且用保护膜覆盖了安装端子部的侧面和上表面的周边部。
文档编号H01L27/32GK103003861SQ20128000167
公开日2013年3月27日 申请日期2012年3月8日 优先权日2011年7月19日
发明者佐藤一郎 申请人:松下电器产业株式会社