技术总结
本发明提供具有纵型沟槽MOSFET的半导体装置的制造方法，所述纵型沟槽MOSFET的半导体装置能够不降低栅极氧化膜的长期可靠性地抑制导通电阻的增大，同时也提高漏极与栅极之间的耐压。在具有沟槽栅极的纵型MOS晶体管中，通过使栅极电极至栅极电极下的N型高浓度埋入层的距离比现有构造更长，而且以其间作为P型沟槽底面下方区域（5），从而在将高电压施加至漏极区域并将0V施加至栅极电极的情况下，沟槽底面下方区域（5）耗尽化，由此，能够提高截止状态的耐压。
技术研发人员：南志昌
受保护的技术使用者：精工半导体有限公司
文档号码：201310063323
技术研发日：2013.02.28
技术公布日：2017.04.12