技术总结
一种晶体管及其形成方法，其中，晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有若干隔离层，相邻隔离层之间形成开口，开口底部具有阈值电压调节层，阈值电压调节层内具有掺杂离子；在阈值电压调节层表面形成阻挡层、以及位于阻挡层表面的沟道层，沟道层为本征态，阻挡层用于阻止阈值电压调节层内的掺杂离子穿透；在沟道层表面形成栅极结构，栅极结构的表面与隔离层表面齐平；去除隔离层直至暴露出半导体衬底为止；在去除隔离层之后，在阈值电压调节层、隔离层、沟道层和栅极结构两侧的半导体衬底表面形成掺杂层，掺杂层的表面不低于沟道层表面。所形成的晶体管功耗降低，性能稳定。
技术研发人员：赵猛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310092797
技术研发日：2013.03.21
技术公布日：2017.06.09