异质接面双极晶体管布局结构的制作方法
【专利摘要】一种异质接面双极晶体管布局结构，包括一或多个异质接面双极晶体管，其中每一个包含一基极、一射极以及一集极电极，于异质接面双极晶体管上方设有一被动层、一第一介电层、一集极重分布层、一或多个射极铜柱以及一或多个集极铜柱，其中被动层包含一射极焊垫与一集极焊垫，第一介电层具有一或多个射极导孔与集极导孔，分别位于射极焊垫与集极焊垫之上，射极铜柱是设于射极导孔上并电性连接于射极电极，而集极铜柱系设于集极重分布层之上并电性连接于集极电极，使射极铜柱与集极铜柱的布局具有弹性，并同时提升元件散热效率。
【专利说明】异质接面双极晶体管布局结构
【技术领域】
[0001] 本发明是有关一种异质接面双极晶体管布局结构，尤指一种同时具有重分布层 (redistribution layer, RDL)与铜柱的异质接面双极晶体管布局结构。
【背景技术】
[0002] 随着行动通讯产业的蓬勃发展，对高性能、体积小的电子元件的需求也日益增加， 由于化合物半导体异质接面双极晶体管集成电路具有高功率、低噪声、小尺寸等优点，目前 已被普遍应用于行动通讯电子产品中，因此，若能改进化合物半导体异质接面双极电晶电 路的性能与尺寸，将能有效提高产品竞争力。
[0003] 传统的覆晶技术在砷化镓异质接面双极晶体管元件的应用上，为了提升元件的散 热特性，会将铜柱覆盖在元件的射极上方，并搭配原有的金属导线制程技术建立元件的集 极、基极铜柱，但由于铜柱之间有制程上最小距离的限制，使元件尺寸会因此受到限制而无 法缩小，并导致铜柱与铜柱间的空间浪费，大幅降低产品市场竞争力，此外，因异质接面双 极晶体管的射极与集极磊晶层高度落差大，于其上设置铜柱高度不易一致，导致晶片封装 时容易产生焊点接触不良的问题，限制晶片封装良率的提升。
【发明内容】
[0004] 本发明的主要目的在于提供一种同时具有重分布层（redistribution layer)与 铜柱的异质接面双极晶体管布局结构，通过整合覆晶技术与导线重布技术，使元件散热效 率得以提升，而射极铜柱与集极铜柱的布局具有弹性，搭配使用具有低介电系数及优异平 坦化能力的介电材料，使传统覆晶技术中的射极铜柱与集极铜柱的高度差能被缩减，进而 提升广品良率。
[0005] 本发明的另一目的在于提供一种同时具有重分布层（redistribution layer)与 铜柱的异质接面双极晶体管布局结构，其能利用射极铜柱与集极铜柱布局的弹性，并能充 分利用晶片空间设置电路所需的被动元件，达到晶片尺寸微缩的目的。
[0006] 本发明的再一目的在于提供一种同时具有重分布层（redistribution layer)与 铜柱的异质接面双极晶体管布局结构，其通过填补导孔以补偿射极铜柱与集极铜柱的高度 差，更进一步提升广品良率。
[0007] 为达上述目的，本发明提供一种异质接面双极晶体管布局结构，其包括一或多个 异质接面双极晶体管、一被动层、一第一介电层、一集极重分布层、一或多个射极铜柱以及 一或多个集极铜柱，其中前述一或多个异质接面双极晶体管系形成于一基板上方，其中每 一个异质接面双极晶体管包含一基极电极、一射极电极以及一集极电极；前述被动层是形 成于该异质接面双极晶体管上方，包括一射极焊垫与一集极焊垫，其中前述射极焊垫系电 性连接于每一个射极电极，而前述集极焊垫是电性连接于每一个集极电极；前述第一介电 层系覆盖于该被动层之上，并于前述射极焊垫上方形成一或多个贯通该第一介电层的射极 导孔，并于该集极焊垫上方形成一或多个贯通该第一介电层的集极导孔；前述集极重分布 层是位于前述第一介电层之上，并延伸进入前述集极导孔而电性连接于前述集极焊垫；前 述射极铜柱中的每一个是位于至少一个前述射极导孔上方并填满该射极导孔而电性连接 于前述射极焊垫；而前述一或多个集极铜柱是位于前述集极重分布层之上并电性连接于该 集极重分布层。此外，本发明所提供的一种异质接面双极晶体管布局结构，可于前述第一介 电层上包含一射极重分布层，其延伸进入前述射极铜柱与射极导孔之间而电性连接于前述 射极焊垫。
[0008] 为达尺寸微缩的目的，本发明提供几种布局设计于上述异质接面双极晶体管布局 结构中形成铜柱及电路所需的被动元件：
[0009] 前述集极焊垫是与该射极铜柱相邻；前述集极铜柱中的每一个是位于前述至少一 个前述集极导孔之上方并填满该集极导孔；前述异质接面双极晶体管布局结构更包含一或 多个电容及电阻，耦接于前述异质接面双极晶体管，且该一或多个电容及电阻设置于前述 集极焊垫与射极焊垫间区域的被动层中；
[0010] 前述集极焊垫是与该射极铜柱相邻；前述集极铜柱是形成于前述集极焊垫之上、 前述集极导孔上方之外的区域；而前述射极铜柱通过填满射极导孔补偿射极铜柱与集极铜 柱的高度差；前述异质接面双极晶体管布局结构更包含一或多个电容及电阻，耦接于前述 异质接面双极晶体管，且设置于前述集极焊垫与射极焊垫间区域的被动层中；
[0011] 延伸上述异质接面双极晶体管布局结构中的集极重分布层，使集极铜柱可从前述 与射极铜柱相邻的位置移至他处以充分利用晶片空间，进而缩小晶片尺寸；前述集极重分 布层于前述第一介电层之上形成一集极重分布层延伸区域，前述集极铜柱是形成于前述集 极重分布层延伸区域上、前述集极导孔上方以外的位置，而前述射极铜柱通过填满该射极 导孔补偿该射极铜柱与集极铜柱的高度差；前述异质接面双极晶体管布局结构更包含一或 多个电容及电阻，耦接于前述异质接面双极晶体管；前述一或多个电容及电阻系设置于前 述射极焊垫与集极焊垫间区域之外、邻近前述射极焊垫处的被动层中，或设置于前述射极 铜柱下方、前述射极焊垫与集极焊垫间区域之外、邻近前述射极焊垫处的被动层中；
[0012] 此外亦可延伸上述异质接面双极晶体管布局结构中的集极焊垫，使集极导孔可从 前述与射极导孔平行相邻的位置移至他处以充分利用晶片空间，进而缩小晶片尺寸；前述 集极焊垫于前述被动层中形成一集极焊垫延伸区域，前述一或多个集极导孔中至少一个系 形成于该集极焊垫延伸区域之上，前述集极铜柱中的每一个是位于至少一个该集极焊垫延 伸区域上方的集极导孔之上并填满该集极导孔，而前述射极铜柱通过填满该射极导孔补偿 该射极铜柱与集极铜柱的高度差；前述异质接面双极晶体管布局结构更包含一或多个电容 及电阻，耦接于前述异质接面双极晶体管；前述一或多个电容及电阻是设置于前述射极焊 垫与集极焊垫间区域之外、邻近前述射极焊垫处的被动层中，或设置于前述射极铜柱下方、 前述射极焊垫与集极焊垫间区域之外、邻近前述射极焊垫处的被动层中。
[0013] 于实施时，前述基板是以化合物半导体材料砷化镓（GaAs)、氮化镓（GaN)、炭化娃 (SiC)或蓝宝石（sapphire)形成。
[0014] 本发明提供的同时具有重分布层与铜柱的异质接面双极晶体管布局结构确实可 达到预期的目的，在利用射极铜柱散热的同时，能缩小晶片尺寸，并能改善铜柱的高度分 布，进而提1?封装良率。
[0015] 为对于本发明的特点与作用能有更深入的了解，兹藉实施例配合图式详述于后。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 图1A为本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构的一种实施例的俯视结构 示意图。
[0017] 图1B及1C为沿图1A的虚线AA'及虚线BB'的剖面结构示意图。
[0018] 图1D为本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构的另一种实施例的俯视结 构示意图。
[0019] 图1E为沿图1D的虚线AA'的剖面结构示意图。
[0020] 图1F及图1G为本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构的另二种实施例的 俯视结构示意图。
[0021] 图2A及2B为本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构的另一种实施例的俯 视结构示意图及沿第2A图中虚线AA'的剖面结构示意图。
[0022] 图2C及2D为本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构的另一种实施例的俯 视结构示意图及沿第2C图中虚线AA'的剖面结构示意图。
[0023] 图3A及3B为本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构的另二种实施例的俯 视结构示意图。
[0024] 附图标记说明：1〇〇基板；110异质接面双极晶体管；111次集极层；112集极层； 113基极层；114射极层；121基极电极；122射极电极；123集极电极；130被动层；131第一 金属层；132第二金属层；131a、131b焊垫；132a射极焊垫；132b集极焊垫；132c集极焊垫 延伸区域；133、134、135覆盖层；141射极重分布层；142集极重分布层；142a集极重分布层 延伸区域；151第一介电层；152第二介电层；161射极铜柱；162集极铜柱；163、164焊球； 射171极导孔；172集极导孔；181电容；182电阻。
【具体实施方式】
[0025] 图1A-1C为本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构的一种实施例的示意 图，其中图1B为沿图1A的虚线AA'的剖面示意图，图1C为沿图1A的虚线BB'的剖面示意 图。如图所示，该异质接面双极晶体管布局结构包括一或多个异质接面双极晶体管110、一 被动层130、一第一介电层151、一集极重分布层142、一射极铜柱161以及一集极铜柱162， 其中前述一或多个异质接面双极晶体管110是位于一基板100上方，其中每一个异质接面 双极晶体管包含一次集极层111、一集极层112、一基极层113以及一射极层114,其中基极 层113上设有一基极电极121，射极层114上设有一射极电极122,而次集极层111上设有一 集极电极123 ;被动层130是形成于异质接面双极晶体管110上方，包括一射极焊垫132a与 一集极焊垫132b，其中射极焊垫132a是电性连接于每一个射极电极122,而集极焊垫132b 系电性连接于每一个集极电极123 ;第一介电层151是覆盖于被动层130之上，并于射极焊 垫132a上方形成一贯通第一介电层151的射极导孔171，且于集极焊垫132b上方形成一贯 通第一介电层151的集极导孔172 ;集极重分布层142是位于第一介电层151之上并延伸 进入集极导孔172而电性连接于集极焊垫132b ;射极铜柱161是位于射极导孔171的上方 并填满射极导孔171而电性连接于射极焊垫132a ;集极铜柱162是位集极导孔172的上方 并填满集极导孔172而电性连接于集极重分布层142 ;射极铜柱161与集极铜柱162上并 可分别形成一焊球163及164。上述异质接面双极晶体管布局结构可更于第一介电层151 之上形成一射极重分布层141，如图1D及1F所示，射极重分布层141并延伸进入射极铜柱 161与射极导孔171之间而电性连接于前述射极焊垫132a。
[0026] 在上述实施例中，异质接面双极晶体管的射极电极可为平行指状电极；射极焊垫 132a与集极焊垫132b为长条形，其长轴为平行排列；射极导孔171、集极导孔172与位于其 上方的射极铜柱161与集极铜柱162亦为长条形，集极铜柱162是与射极铜柱161相邻，其 长轴为平行排列；射极铜柱与集极铜柱边缘之间距屯受覆晶技术的限制，通常为介于10到 75 μ m之间；集极焊垫与射极焊垫之间的空间可用以设置电路所需的被动元件以节省晶片 空间，如图1A-1E所示，于集极焊垫132b与射极焊垫132a间区域的被动层130中设置一或 多个电容181及电阻182,并使其耦接于异质接面双极晶体管110。
[0027] 前述实施例中，亦可使用一或多个圆形集极铜柱取代长条型集极铜柱，并使用一 或多个较短的集极导孔取代一长条型集极导孔，每一个圆形集极铜柱162是设置于一集极 导孔172的上方，并使集极铜柱162填满集极导孔172,如图1F所示；此外，亦可将前述圆 形集极铜柱162设置于集极导孔172上方以外的区域，而通过集极重分布层142电性连接 于集极焊垫132b，如图1G所示。为了达到良好的散热功能，通常会使用具有较大截面积的 射极铜柱，而制程中具有较大截面积的射极铜柱其生成高度最后常会高于截面积较小的集 极铜柱，使元件封装后因铜柱的高度落差而导致接触不良；在本发明所提供的实施例中，射 极铜柱可通过填补射极导孔补偿射极与集极铜柱高度落差（如图1G)，射极铜柱与集极铜 柱皆位于导孔上方时，亦可通过控制导孔的大小（如图1D及1F)或是否设置射极重分布层 (如图1A)等方法补偿射极与集极铜柱高度落差。
[0028] 延伸上述异质接面双极晶体管布局结构中的集极重分布层，并将集极铜柱从前述 与射极铜柱平行相邻的位置移至他处，如此可充分利用晶片空间，达到缩小晶片尺寸的目 的；图2A至2D为本发明所提供的另一种实施例，其中集极重分布层142于第一介电层151 之上形成一集极重分布层延伸区域142a，将集极铜柱162设置于集极重分布层延伸区域 142a上、集极导孔172上方以外的位置，集极焊垫及其上方的集极导孔与集极重分布层因 此可更向射极铜柱161靠近，以缩小晶片尺寸；射极铜柱161的边缘与集极重分布层142的 边缘的最小距离设为d 2, d2的大小并无上限然实施时d2以越小为越佳，本实施例中d2通常 为介于1到30 μ m之间，较佳为介于1到20 μ m之间，更佳为介于1到10 μ m之间，最佳为 介于1到5 μ m之间；此外亦可缩小集极焊垫的面积，以更进一步缩小晶片尺寸，同时节省制 造材料。
[0029] 上述实施例中，集极焊垫与射极焊垫间距离缩短后，电路所需的被动元件如电容 及电阻则从集极焊垫与射极焊垫间区域移至异质接面双极晶体管的外缘，如图2A及2B所 示，于射极焊垫132a与集极焊垫132b间区域之外、邻近射极焊垫132a处的被动层中130设 置一或多个电容181及电阻182,并使其耦接于异质接面双极晶体管110 ;将射极焊垫132a 与其下方的异质接面双极晶体管磊晶层往集极焊垫132b方向移动，使射极铜柱161下方与 基板之间形成一空间，此空间可供设置电路所需的被动元件，以更进一步缩小晶片尺寸，如 图2C及2D所示，于射极铜柱161下方、射极焊垫132a与集极焊垫132b间区域之外、邻近 射极焊垫132a处的被动层中130设置一或多个电容181及电阻182,并使其耦接于异质接 面双极晶体管110。
[0030] 图3A及3B为本发明所提供的另一种实施例，其中集极焊垫132b于被动层130中 形成一集极焊垫延伸区域132c，集极导孔172与集极重分布层142是设置于此集极焊垫延 伸区域132c之上，集极铜柱162则设置于集极导孔172之上并填满该集极导孔，集极焊垫 因此可更向射极焊垫132a靠近，以缩小晶片尺寸；射极焊垫132a的边缘与集极焊垫132b 的边缘的最小距离设为d3, d3的大小并无上限然实施时d3以越小为越佳，本实施例中d3通 常为介于1到20 μ m之间，较佳为介于1到15 μ m之间，更佳为介于1到10 μ m之间，最佳 为介于1到5 μ m之间。
[0031] 上述实施例中，集极焊垫与射极焊垫间距离缩短后，电路所需的被动元件须设置 于异质接面双极晶体管的外缘，如图3A所示，于射极焊垫132a与集极焊垫132b间区域之 夕卜、邻近射极焊垫132a处的被动层中130设置一或多个电容181及电阻182,并使其耦接 于异质接面双极晶体管110 ;将射极焊垫132a与其下方的异质接面双极晶体管磊晶层往集 极焊垫132b方向移动，使射极铜柱161下方与基板之间形成一空间，此空间可供设置电路 所需的被动元件，以更进一步缩小晶片尺寸，如图3B所示，于射极铜柱161下方、射极焊垫 132a与集极焊垫132b间区域之外、邻近射极焊垫132a处的被动层中130设置一或多个电 容181及电阻182,并使其耦接于异质接面双极晶体管110。
[0032] 本发明所提供的被动层130可包含多层金属层，其中至少有位于最下层与异质接 面双极晶体管110的基极、集极与射极电极接触的一第一金属层131，以及位于最上层与 重分布层接触的一第二金属层132,第一金属层131可于晶体管电极上形成焊垫（如131a 及131b)或导线，因与异质接面双极晶体管直接接触，其通常由含金金属形成且不包含铜， 以避免铜原子对电子元件造成污染；最上层的第二金属层用以形成射极焊垫132a与集极 焊垫132b，由于不会直接接触电子元件，其可以含金金属或含铜金属形成；第一金属层131 与第二金属层132间可更包含一或多层金属层供互连之用；异质接面双极晶体管上以及每 两层金属层之间除电性接触以外的区域以一覆盖层（如133-135)覆盖，供绝缘以及保护 之用，覆盖层是以具绝缘性的材料形成，其中以氮化硅（SiN)为较佳；被动层130中的金 属层除作为电性连之用，亦可用于制作电容等被动元件，如图IB、1E、2B及2D所示，第一金 属层131、第二金属层132与介于两者间的覆盖层134可用以形成一金属-绝缘层-金属 (metal-insulator-metal, MIM)电容，更可于第一及第二金属层中插入一或多层金属层及 覆盖层，用以形成一堆叠式金属-绝缘层-金属（stacked MIM)电容。
[0033] 前述实施例中的异质接面双极晶体管为一化合物半导体电子元件，其下方的 基板1〇〇是以化合物半导体材料砷化镓（GaAs)、氮化镓（GaN)、炭化硅（SiC)或蓝宝石 (sapphire)形成，其中以砷化镓为较佳；射极重分布层141与集极重分布层142可由含 金或铜等导电性佳的金属形成，其中以含铜金属形成为较佳；并可利用重分布层于第一 介电层之上形成电感，以充份利用晶片的表面空间；为达成异质接面双极晶体管封装制 程中表面平坦化的需求，第一介电层151以具有绝佳孔隙填充能力与优良平坦化特性的 旋涂式介电材料形成为较佳，介电材料经由旋涂（spin coating)技术涂布于最上层的覆 盖层上，再以加热方式固化，第一介电层151可以介电材料聚酰亚胺（polyimide)、苯环 丁烯（benzocyclobutene，BCB)或聚苯恶唑（polybenzoxazole，PBO)形成，其中聚苯恶唑 (ΡΒ0)具有低介电系数及高拉伸强度，且此材料具有较高的固化厚度，可有效填补异质接 面双极晶体管射极与集极的高度落差，使形成于其上的导电铜柱能有一致的高度，为较佳 介电材料选择；此外，本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构可更包含一第二介电 层152,其是覆盖于第一介电层151、射极重分布层141以及集极重分布层142之上与射极 铜柱161和集极铜柱162电性连接以外的区域；第二介电层152可以介电材料聚酰亚胺 (polyimide)、苯环丁烯（benzocyclobutene，BCB)或聚苯恶唑（polybenzoxazole，PBO)形 成，其中以聚苯恶唑（PB0)为较佳。
[0034] 本发明所提供的设计，根据图1A-1G所示的任一实施例所制作的晶片，相较于先 前技术其尺寸约可缩小16% ;根据图2A所示实施例所制作的晶片，相较于先前技术其尺寸 约可缩小34% ;而根据图2C所示实施例所制作的晶片，相较于先前技术其尺寸缩小率更可 高达约40%，因此，本发明所提供的设计确实能有效缩小元件尺寸。
[0035] 本发明具有以下优点：
[0036] 1.本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构中，可将射极铜柱直接设置于异 质接面双极晶体管的射极之上，因此能增进异质接面双极晶体管的散热效率。
[0037] 2.本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构中，当射极焊垫与集极焊垫间距 离较大时，可将电容及电阻等被动元件设置于平行排列的射极焊垫与集极焊垫间的区域， 能有效利用晶片空间，缩小晶片尺寸。
[0038] 3.本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构中，通过重分布层，可将铜柱设 置于任意位置上，因此能避免覆晶技术对相邻铜柱最小间距的限制，达到缩小晶片尺寸的 目的，并能缩小集极焊垫的尺寸，更近一步缩小晶片尺寸并节省制造材料；此外，本发明可 缩短射极焊垫与集极焊垫间的距离，使射极铜柱变为部份覆盖射极焊垫，电容及电阻等被 动元件则可设置于射极铜柱下方的空间，更进一步缩小晶片尺寸。
[0039] 4.本发明所提供的异质接面双极晶体管布局结构中，使用低介电常数的旋涂式介 电材料，可有效填补异质接面双极晶体管射极与集极的高度落差，使形成于其上的导电铜 柱能有一致的高度；而具有较大截面积的射极铜柱，可通过填补射极导孔补偿射极与集极 铜柱高度落差，由此提高封装良率。
[0040] 综上所述，本发明提供的同时具有重分布层与铜柱的异质接面双极晶体管布局结 构确实可达到预期的目的，在利用射极铜柱散热的同时，能缩小晶片尺寸，并能改善铜柱的 高度分布，进而提高封装良率。其确具产业利用的价值，爰依法提出专利申请。
[0041] 又上述说明与图示仅是用以说明本发明的实施例，凡熟于此业技艺的人士，仍可 做等效的局部变化与修饰，其并未脱离本发明的技术与精神。
【权利要求】
1. 一种异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，包括： 一或多个异质接面双极晶体管，其形成于一基板上方，其中每一个异质接面双极晶体 管包含一基极电极、一射极电极以及一集极电极； 一被动层，其形成于该异质接面双极晶体管上方，包括一射极焊垫与一集极焊垫，其中 该射极焊垫是电性连接于每一个射极电极，而该集极焊垫是电性连接于每一个集极电极； 一第一介电层，其覆盖于该被动层之上，并于该射极焊垫上方形成一或多个贯通该第 一介电层的射极导孔，以及于该集极焊垫上方形成一或多个贯通该第一介电层的集极导 孔； 一集极重分布层，其位于该第一介电层之上并延伸进入该集极导孔而电性连接于该集 极焊垫； 一或多个射极铜柱，其中每一个是位于至少一个射极导孔上方并填满该射极导孔而电 性连接于该射极焊垫；以及 一或多个集极铜柱，位于该集极重分布层之上并电性连接于该集极重分布层。
2. 根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，该第一介电层 上更包含一射极重分布层，其延伸进入该射极铜柱与射极导孔之间而电性连接于该射极焊 垫。
3. 根据权利要求1或2所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，该集极重分 布层于该第一介电层之上形成一集极重分布层延伸区域，该集极铜柱是形成于该集极重分 布层延伸区域上、该集极导孔上方以外的位置；该射极铜柱通过填满该射极导孔补偿该射 极铜柱与集极铜柱的高度差。
4. 根据权利要求3所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，更包含一或多 个电容及电阻，耦接于该异质接面双极晶体管；该一或多个电容及电阻是设置于该射极焊 垫与该集极焊垫间区域之外、邻近该射极焊垫处的该被动层中。
5. 根据权利要求3所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，更包含一或多 个电容及电阻，耦接于该异质接面双极晶体管；该一或多个电容及电阻是设置于该射极铜 柱下方、该射极焊垫与该集极焊垫间区域之外、邻近该射极焊垫处的该被动层中。
6. 根据权利要求1或2所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，该集极焊垫 于该被动层中形成一集极焊垫延伸区域，该一或多个集极导孔中至少一个是形成于该集极 焊垫延伸区域之上，该集极铜柱中的每一个是位于至少一个该集极焊垫延伸区域上方的集 极导孔之上并填满该集极导孔；该射极铜柱通过填满该射极导孔补偿该射极铜柱与集极铜 柱的高度差。
7. 根据权利要求6所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，更包含一或多 个电容及电阻，耦接于该异质接面双极晶体管；该一或多个电容及电阻是设置于该射极焊 垫与该集极焊垫间区域之外、邻近该射极焊垫的该被动层中。
8. 根据权利要求6所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，更包含一或多 个电容及电阻，耦接于该异质接面双极晶体管；该一或多个电容及电阻是设置于该射极铜 柱下方、该射极焊垫与该集极焊垫间区域之外、邻近该射极焊垫处的该被动层中。
9. 根据权利要求1或2所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，该集极铜柱 是与该射极铜柱相邻；该集极铜柱中的每一个是位于至少一个该集极导孔之上并填满该集 极导孔；该异质接面双极晶体管布局结构更包含一或多个电容及电阻，耦接于该异质接面 双极晶体管，且该一或多个电容及电阻是设置于该集极焊垫与该射极焊垫间区域的该被动 层中。
10. 根据权利要求1或2所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，该集极铜 柱是与该射极铜柱相邻；该集极铜柱中的每一个是位于该集极焊垫之上、该集极导孔上方 之外的区域；该射极铜柱通过填满该射极导孔补偿射极铜柱与集极铜柱的高度差；该异质 接面双极晶体管布局结构更包含一或多个电容及电阻，耦接于该异质接面双极晶体管，且 该一或多个电容及电阻是设置于该集极铜柱与该射极铜柱间区域的该被动层中。
11. 根据权利要求1或2所述的异质接面双极晶体管布局结构，其特征在于，该基板是 以化合物半导体材料砷化镓、氮化镓、炭化硅或蓝宝石形成。
【文档编号】H01L29/737GK104124270SQ201310146581
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月24日 优先权日:2013年4月24日
【发明者】蔡绪孝, 张修诚, 高谷信一郎, 林正国 申请人:稳懋半导体股份有限公司