固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种能够降低暗电流的固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法。根据本发明的一个实施方式，提供了固体拍摄装置。固体拍摄装置具备光电变换元件、固体电荷层、氮化硅膜和氧化硅膜。光电变换元件将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累。固定电荷层被设置在光电变换元件的受光面侧，并保持负的固定电荷。氮化硅膜被设置在固定电荷层的受光面侧。氧化硅膜被设置在固定电荷层和氮化硅膜之间。
【专利说明】固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]在现有技术中，固体拍摄装置具备与拍摄图像的各像素对应并设置成矩阵状的多个光电变换元件。各光电变换元件将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷，并作为表示各像素的亮度的信息积累。
[0003]在这种固体拍摄装置中，由于在光电变换元件的受光面上的晶体缺陷等原因，存在不管有无入射光都在光电变换元件中积累电荷的情况。这种电荷在输出拍摄图像时变成暗电流而被检测到，并在拍摄图像中成为白色痕迹出现。因此，在固体拍摄装置中，需要降低暗电流。
[0004][专利文献I]特开2007-258684号公报
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的问题是提供能够降低暗电流的固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法。
[0006]本发明的实施方式的固体拍摄装置具备:光电变换元件，其将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累；固定电荷层，其设置在上述光电变换元件的受光面侧，保持负的固定电荷；在上述固定电荷层的受光面侧设置的氮化硅膜；在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜。
[0007]另一种实施方式的固体拍摄装置的制造方法包括:形成将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累的光电变换兀件；在上述光电变换兀件的受光面侧形成保持负的固定电荷的固定电荷层；在上述固定电荷层的受光面侧形成氧化硅膜；在上述氧化硅膜的受光面侧形成氮化硅膜。
[0008]根据上述构成的固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法，能够降低暗电流。【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是实施方式所涉及的CMOS传感器的从顶面看的说明图。
[0010]图2是表示实施方式所涉及的像素单元的一部分的从剖面看的说明图。
[0011]图3是表示实施方式所涉及的CMOS传感器的制造工序的从剖面看的说明图。
[0012]图4是表示实施方式所涉及的CMOS传感器的制造工序的从剖面看的说明图。
[0013]图5是表示实施方式所涉及的CMOS传感器的制造工序的从剖面看的说明图。
【具体实施方式】
[0014]以下参照附图详细地说明实施方式所涉及的固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法。另外，本发明并不限定于本实施方式。[0015]在本实施方式中，作为固体拍摄装置的一个例子，以在与将入射光进行光电变换的光电变换元件的入射光入射的面相反的面一侧形成布线层的所谓背面照射型CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器为例进行说明。
[0016]另外，本实施方式所涉及的固体拍摄装置并不限于背面照射型CMOS图像传感器，也可以是表面照射型CMOS图像传感器、CCD (电荷耦合器件)图像传感器等任意图像传感器。
[0017]图1是实施方式所涉及的背面照射型CMOS图像传感器(以下称为“CMOS传感器I”)的从顶面看的说明图。如图1所示，CMOS传感器I具备像素部2和逻辑部3。
[0018]像素部2具备设置成矩阵状的多个光电变换元件。各光电变换元件将入射光光电变换成与受光量(受光强度)相应的量的电荷并积累在电荷积累区域中。另外，关于光电变换元件的构成，将参照图2以后说明。
[0019]逻辑部3具备:定时发生器31、垂直选择电路32、采样电路33、水平选择电路34、增益控制电路35、A/D (模拟/数字)变换电路36、放大电路37等。
[0020]定时发生器31是对像素部2、垂直选择电路32、采样电路33、水平选择电路34、增益控制电路35、A/D变换电路36、放大电路37等输出成为工作定时的基准的脉冲信号的处理部。
[0021]垂直选择电路32是以行为单位从配置成矩阵状的多个光电变换元件中依次选择读出电荷的光电变换元件的处理部。这种垂直选择电路32使在以行为单位选择的各光电变换元件中积累的电荷作为表示各像素的亮度的像素信号从光电变换元件向采样电路33输出。
[0022]采样电路33是从由通过垂直选择电路32以行为单位选择的各光电变换元件输入的像素信号中用CDS (相关双采样)除去噪音并暂时保持的处理部。
[0023]水平选择电路34是按每一列顺序地选择并读出由采样电路33保持的像素信号，并向增益控制电路35输出的处理部。增益控制电路35是调整从水平选择电路34输入的像素信号的增益，并向A/D变换电路36输出的处理部。
[0024]A/D变换电路36是将从增益控制电路35输入的模拟像素信号向数字像素信号变换，并向放大电路37输出的处理部。放大电路37是放大从A/D变换电路36输入的数字信号，并向指定的DSP (数字信号处理器(省略图示))输出的处理部。
[0025]这样，在CMOS传感器I中，配置在像素部2中的多个光电变换元件将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累，逻辑部3通过将在各光电变换元件中积累的电荷作为像素信号读出而进行拍摄。
[0026]在这种CMOS传感器I中，当在光电变换元件的入射光入射的一侧的端面(以下称为“受光面”)由于晶体缺陷而发生界面态和/或污染物质附着时，在未接收入射光的光电变换元件中可能积累电荷。
[0027]这种电荷在由逻辑部3读出像素信号时变成暗电流，从像素部2向逻辑部3流入，并在拍摄图像中变成白色痕迹出现。因此，在实施方式所涉及的CMOS传感器I中，构成像素部2以便抑制暗电流。以下，参照图2说明实施方式所涉及的像素部2的构成。
[0028]图2是表示实施方式所涉及的像素部2的一部分的从剖面看的说明图。另外，在图2中概念性地示出了像素部2中的I个像素的剖面。[0029]如图2所示，像素部2具备:在支撑基板11上隔着粘接层12而设置的多层布线层15和光电变换元件18。多层布线层15例如具备:由氧化硅等形成的层间绝缘膜14和埋设在层间绝缘膜14的内部并在读出经过光电变换后的负电荷和/或向各电路元件传送驱动信号等中使用的多层布线13。
[0030]光电变换元件18例如包括:掺杂了 P (磷)等N型杂质的N型Si区域17和掺杂了 B (硼)等P型杂质的P型Si区域16。在此，P型Si区域16从顶面看被设置成包围N型Si区域17。
[0031]这种光电变换元件18是通过P型Si区域16和N型Si区域17的PN接合而形成的光电二极管。然后，光电变换元件18将从与其与多层布线层15的界面相反的端面入射的入射光进行光电变换以形成与受光量相应的量的负(_)电荷，并积累在N型Si区域17中。
[0032]此外，像素部2在光电变换元件18的受光面上具备形成膜厚度小于等于3nm的第I氧化硅膜19。这样，在像素部2中，由于能够降低在N型Si区域17的受光面侧端面产生的悬空键，因此能够抑制由于悬空键而引起的界面态的增加。
[0033]因此，根据像素部2，由于能够抑制由于界面态引起且与有无入射光无关地产生的负电荷在N型Si区域17中积累，因此，能够降低暗电流。
[0034]此外，像素部2在第I氧化硅膜19的入射光入射的一侧的面(受光面)上具备保持负的固定电荷的厚度小于等于IOnm的固定电荷层20。这种固定电荷层20例如用HfO (氧化铪)形成。
[0035]另外，固定电荷层20的材料并不限于HfO，也可以是如Al (招)、Ti (钛)、Zr (错)、Mg (镁)的氧化物等那样的能够保持负的固定电荷的任意金属氧化物。此外，固定电荷层20的材料也可以是组合了从Hf0、A10、Ti0、Zr0、Mg0中选择的任意一个材料的材料。此夕卜，固定电荷层20采用在形成稳定的薄膜方面有效的ALD (原子层沉积)法形成。
[0036]这样，像素部2在光电变换元件18的N型Si区域17的受光面一侧隔着第I氧化硅膜19具备保持负的固定电荷的固定电荷层20。由此，在像素部2中，由于在固定电荷层20中保持的负的固定电荷，在N型Si区域17内存在的正电荷(正空穴)被吸引，在N型Si区域17的受光面附近形成正空穴积累区域25。
[0037]这种在正空穴积累区域25中积累的正电荷通过与由于在N型Si区域17的受光面附近产生的界面态而引起的负电荷的再耦合，能够降低与有无入射光无关地产生的成为暗电流的原因的负电荷。因此，根据像素部2，能够更有效地降低暗电流。
[0038]进一步地，像素部2具备在固定电荷层20的入射光入射的一侧的面(受光面)上依次层叠的厚度小于等于5nm的第2氧化娃膜21、氮化娃膜22、彩色滤光片23、微透镜24。
[0039]微透镜24是平凸透镜，将向像素部2入射的入射光向光电变换元件18聚光。此夕卜，彩色滤光片23使例如红色、绿色、蓝色三原色中的任意一个颜色的入射光透过。此外，氮化硅膜22具有作为防止透过彩色滤光片23的入射光的反射的反射防止膜的功能。
[0040]在此，当形成为连接固定电荷层20和氧化硅膜22时，在固定电荷层20中混入氮气，固定电荷层20的组成发生变化，所产生的固定电荷量减少。这样，N型Si区域17表面的正空穴积累区域25的正电荷浓度降低，减小暗电流抑制效果。
[0041]在此，为了减小氮气对固定电荷层20的影响，虽然考虑了充分加厚固定电荷层20，但由于固定电荷层20采用ALD法形成，因此，膜厚度的形成加大了制造负担。[0042]因此，形成在物理上隔开固定电荷层20和氮化硅膜22之间的屏蔽膜。关于该膜，电气特性稳定的氧化硅膜21是有效的。该氧化硅膜21的厚度只要能够充分减小氮气对固定电荷层20的影响即可，例如，小于等于5nm就足够了。
[0043]此外，该氧化硅膜21采用在稳定地形成薄膜方面有效的ALD法形成。这样，抑制了氮气混入固定电荷层20，由于固定电荷层20的膜的组成不会发生变化，因此能够避免暗电流抑制效果的减小。
[0044]此外，在像素部2中，由于第I氧化硅膜19的膜厚度小于等于3nm，第2氧化硅膜21的膜厚度小于等于5nm，因此，能够抑制由于第I氧化硅膜19和第2氧化硅膜21的入射光的反射和折射到能够忽略的程度。
[0045]而且，在像素部2中，由于固定电荷层20的厚度小于等于10nm，因此，能够在将所需要的量的负电荷保持在固定电荷层20中的同时，抑制由于固定电荷层20的入射光的反射和折射到能够忽略的程度。
[0046]以下参照图3?图5，对实施方式所涉及的CMOS传感器I的制造方法进行说明。另外，CMOS传感器I的逻辑部3的制造方法与现有的一般CMOS传感器是一样的。因此，以下对CMOS传感器I的像素部2的制造方法进行说明，对于逻辑部3的制造方法，省略其说明。
[0047]图3?图5是表示实施方式所涉及的CMOS传感器I的制造工序的从剖面看的说明图。另外，在图3?图5中，概念性地示出了像素部2的I个像素部分的制造工序。
[0048]如图3 (a)所示，在制造CMOS传感器I时，在Si晶片等半导体基板10上形成P型Si区域16。此时，例如，在半导体基板10上通过使掺杂了 B等P型杂质的Si层外延生长，形成P型Si区域16。另外，这种P型Si区域16也可以通过向Si晶片的内部离子注入P型杂质并进行退火处理而形成。
[0049]接着，如图3 (b)所示,在P型Si区域16的指定区域从顶面向半导体基板10形成开口，其后，向开口的内部形成N型Si区域17。此时，例如，通过在开口的内部使掺杂了P等N型杂质的Si层外延生长，形成N型Si区域17。
[0050]另外，这种N型Si区域17也可以通过从P型Si区域16的顶面侧向P型Si区域16内部离子注入N型杂质并进行退火处理而形成。这种N型Si区域17从顶面看被配置成多个矩阵状。
[0051]这样，通过向P型Si区域16的内部嵌入N型Si区域17，形成了 PN结，从而形成作为光电二极管的光电变换元件18。另外，在此，N型Si区域17变成积累经过了光电变换后的负电荷的电荷积累区域，与半导体基板10的接合面一侧在后面露出，成为入射光的受光面。
[0052]接着，如图3 (C)所示，在光电变换元件18的顶面形成多层布线层15。此时，例如，通过重复形成氧化硅膜等层间绝缘膜14的步骤、在层间绝缘膜14上形成指定布线图案的步骤和通过在布线图案内嵌入Cu等形成多层布线层13的步骤，形成多层布线层15。其后，如图3 (d)所示。在多层布线层15的顶面涂敷粘接剂以设置粘接层12，并在粘接层12的顶面粘贴例如Si晶片等支撑基板11。
[0053]接着，如图4 Ca)所示，在使图3 Cd)所示的结构体的顶底颠倒后，用磨床等研磨装置4从背面侧(在此，是从顶面侧)开始研磨半导体基板10，将半导体基板10磨薄到指定厚度。
[0054]其后，例如用CMP (化学机械研磨)进一步研磨半导体基板10的背面侧，如图4 (b)所示，使N型Si区域17的背面(在此，是顶面)露出。此时，在作为N型Si区域17的研磨面的顶面发生悬空键，产生界面态。
[0055]在此，如前所述，这种N型Si区域17是积累了经过光电变换后的负电荷的电荷积累区域，其露出的顶面成为光电变换元件18的受光面。然后，不理想的是当在光电变换元件18的受光面产生界面态时，由于界面态引起且与有无入射光无关地产生的负电荷被积累在到N型Si区域17中，变成暗电流的原因。
[0056]因此，在实施方式所涉及的CMOS传感器I的制造方法中，如图4 (C)所示，在光电变换元件18的受光面上形成厚度小于等于3nm的第I氧化硅膜19。
[0057]在此，在第I氧化硅膜19的形成中使用ALD法。在该方法中，例如由于可以在400°C左右形成膜，因此，具有即使在氧化硅膜19成膜时在已经形成的多层布线13中使用Cu的情况下也能够避免溶出的问题和/或与等离子CVD (化学气相沉积)法等其它低温成膜法相比、能够形成稳定的Si界面和/或薄膜形成时的膜厚度控制性优异的特征，适合于氧化硅膜19的形成。
[0058]这样，通过在光电变换元件18的受光面上设置第I氧化硅膜19，能够抑制在N型Si区域17的顶面产生界面态，因此，能够降低暗电流。此外，第I氧化硅膜19由于膜厚度小于等于3nm，因此能够将入射光的反射和折射抑制到能够忽略的程度。
[0059]另外，在此，虽然对在N型Si区域17的顶面以及P型Si区域16的顶面形成第I氧化硅膜19的情形进行了说明，但是，第I氧化硅膜19如果至少在N型Si区域17的顶面设置，也能够抑制成为暗电流的原因的负电荷的发生。
[0060]接着，如图5 Ca)所示，在第I氧化硅膜19的顶面形成保持负的固定电荷的固定电荷层20。该固定电荷层20例如形成厚度小于等于IOnm的HfO膜。
[0061]在此，在固定电荷层20的形成中使用ALD法。在该方法中，例如由于可以在小于等于400°C下形成膜，因此，具有即使在氧化硅膜19成膜时在已经形成的多层布线13中使用Cu的情况下也能够避免溶出的问题和/或薄膜形成时的膜厚度控制性优异的特征，适合于固定电荷层20的形成。
[0062]进一步地，利用成膜中的处理温度或者其后的形成步骤的处理温度，通过使HfO的至少一部分结晶化(晶体化)来产生负的固定电荷，并被其吸引而在N型Si区域17的光照射界面侧形成正空穴积累区域25。由此，由于成为暗电流的原因的在界面附近存在的晶体缺陷和/或重金属元素而发生的电子与正空穴被再耦合。因此，根据CMOS传感器1，能够进一步降低暗电流。
[0063]另外，在此虽然说明了固定电荷层20的材料是HfO的情况，但固定电荷层20的材料也可以是包含Hf、T1、Al、Zr、Mg中一种以上的材料。
[0064]其后，如图5 (b)所示，在固定电荷层20的入射光入射的面(受光面)形成第2氧化硅膜21，如图5 (c)所示，在第2氧化硅膜21的入射光入射的面(受光面)形成成为反射防止膜的氮化硅膜22。
[0065]此时，第2氧化硅膜21和第I氧化硅膜19 一样，用ALD法形成。然后，氮化硅膜22用一般的CVD法形成。另外，作为固定电荷层20的HfO等由于是高折射率膜，因此即使是单体也起到反射防止膜的功能，但是，为了产生稳定的固定电荷，需要用ALD法成膜，这需要成膜时间，为了形成厚膜，生产性负担增大。由此，即使在使用固定电荷层20的情况下，也通过在反射防止膜中使用可以用CVD法形成的氮化硅膜22，减轻对生产性的负荷。
[0066]这样，在实施方式所涉及的CMOS传感器I的制造方法中，通过在固定电荷层20和氮化硅膜22之间形成第2氧化硅膜21，能够抑制固定电荷层20的组成的变化，形成稳定的固定电荷层20，并且进一步地，反射防止层通过用CVD法形成氮化硅膜，能够减轻生产性的负荷。
[0067]由此，在CMOS传感器I的制造方法中，由于能够抑制在N型Si区域17的正空穴积累区域25 (参照图2)内积累的正电量，因此，能够制造能够大幅度降低暗电流的CMOS传感器I。
[0068]此外，如果使第I氧化硅膜19和第2氧化硅膜21的膜厚度一致，则由于变成完全相同的条件，因此，形成时的装置的运行效率上升，能够进一步降低生产性的负荷。
[0069]其后，在CMOS传感器I的制造方法中，在氮化硅膜22的顶面顺序地形成彩色滤光片23和微透镜24，制造具备图2所示的像素部2的CMOS传感器I。
[0070]另外，在本实施方式中，对于全部用ALD法形成第I氧化硅膜19、固定电荷层20、第2氧化硅膜21的情况进行了说明，但也可以用ALD法形成这其中的至少一个。
[0071]如上所述，实施方式所涉及的固体拍摄装置具备光电变换元件、固定电荷层、氮化娃膜和氧化娃膜。光电变换兀件将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累。固定电荷层被设置在光电变换元件的受光面侧，保持负的固定电荷。氮化硅膜被设置在固定电荷层的受光面侧。氧化娃膜被设置在固定电荷层与氮化娃膜之间。
[0072]根据这种固体拍摄装置，通过用在固定电荷层和氮化硅膜之间设置的氧化硅膜防止固定电荷层内的负电荷与氮化硅膜内的正电荷进行再耦合而减少，能够进一步大幅度地降低暗电流。
[0073]此外，实施方式所涉及的固体拍摄装置进一步具备在光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜。由此，实施方式所涉及的固体拍摄装置通过抑制在光电变换元件的受光面产生的界面态的增加，能够进一步降低暗电流。
[0074]此外，实施方式所涉及的氧化硅膜以及固定电荷层使用ALD法形成。根据这种ALD法，例如能够以比在固体拍摄装置的多层布线中使用的金属的熔点低的处理温度形成氧化硅膜以及固定电荷层。因此，根据实施方式所涉及的固体拍摄装置，能够防止由于氧化硅膜和固定电荷层的形成而对多层布线产生的不良影响。
[0075]此外，实施方式所涉及的在固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜的厚度小于等于5nm，在光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜的厚度小于等于3nm。根据这种氧化硅膜，能够将向光电变换元件入射的入射光的反射和折射抑制到能够忽略的程度。
[0076]此外，实施方式所涉及的固定电荷层的厚度小于等于10nm。该膜厚度假设为使暗电流降低的负的固定电荷的发生所需要的最低限度的膜厚度，反射防止膜用以生产负荷小的CVD法能够形成的氮化硅膜形成。
[0077]虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子提出的，并不意味着限定发明范围。这些新的实施方式能够以其它各种形式实施，在不脱离发明的主旨的范围下能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围和/或主旨中，并且也包含在权利要求的范围所记载的发明及其等同的范围中。
【权利要求】
1.一种固体拍摄装置，具备: 光电变换兀件，其将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累； 固定电荷层，其设置在上述光电变换元件的受光面侧，保持负的固定电荷； 在上述固定电荷层的受光面侧设置的氮化硅膜；以及 在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜。
2.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，还具备:在上述光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜。
3.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述氧化硅膜和上述固定电荷层使用ALD (原子层沉积)法形成。
4.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的上述氧化硅膜的厚度小于等于5nm。
5.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述固定电荷层的厚度小于等于10nm。
6.根据权利要求2所述的固体拍摄装置，其中，在上述光电变换元件的受光面设置的上述氧化硅膜的厚度小于等于3nm。
7.根据权利要求2所述的固体拍摄装置，其中，在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜和在上述光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜的厚度相等。
8.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述固定电荷层具有结晶化了的部位。
9.根据权利要求1所述的固体`拍摄装置，其中，上述氮化硅膜使用CVD(化学气相沉积)法形成。
10.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述固体拍摄装置是背面照射型的图像传感器，上述固定电荷层和上述氧化硅膜用比上述背面照射型的图像传感器具备的布线的熔点低的成膜温度形成。
11.一种固体拍摄装置的制造方法，包括: 形成将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累的光电变换兀件； 在上述光电变换元件的受光面侧形成保持负的固定电荷的固定电荷层； 在上述固定电荷层的受光面侧形成氧化硅膜；以及 在上述氧化硅膜的受光面侧形成氮化硅膜。
12.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:在上述光电变换元件的受光面形成氧化硅膜。
13.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:使用ALD(原子层沉积)法形成上述氧化硅膜和上述固定电荷层。
14.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:形成在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的上述氧化硅膜，以使得厚度小于等于5nm。
15.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:形成上述固定电荷层，以使得厚度小于等于10nm。
16.根据权利要求12所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:形成在上述光电变换元件的受光面设置的上述氧化硅膜，以使得厚度小于等于3nm。
17.根据权利要求12所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:形成在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜和在上述光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜，以使得两者的厚度相等。
18.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:使上述固定电荷层的一部分结晶化。
19.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括:使用CVD(化学气相沉积)法形成上述氮化硅膜。
20.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，其中，上述固体拍摄装置是背面照射型的图像传感器，上述方法包括用比上述背面照射型的图像传感器具备的布线的熔点低的成膜温度形成上述固定电荷层和上述氧化硅膜。
【文档编号】H01L27/146GK103779363SQ201310202507
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年5月28日 优先权日:2012年10月23日
【发明者】渡边龙太, 宇家真司 申请人:株式会社东芝