一种半导体多芯片封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种半导体多芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的四周布置有管脚，部分所述管脚间连接有管脚套，所述管脚套包括第一管脚套及第二管脚套，所述引线框架的内部分为三个区域，分别为第一区域、第二区域及第三区域。本实用新型提供的一种半导体多芯片封装结构，采用金属线与铝箔分区域混合焊接，大大节省了企业的生产成本。
【专利说明】一种半导体多芯片封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装，具体涉及一种半导体多芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]随着我过集成电路产业的迅猛发展，对半导体封装技术的要求也越来越高，这无疑带动了我国半导体封装技术的市场发展，同时为我国的引线框架行业带来了发展机遇。
[0003]铝箔由于具有较强的电流承载力，所以广泛用于芯片与引线框架的连接中，现有的芯片与引线框架的连接中普遍采用铝箔焊接或金属线焊接连接，但由于铝箔面积较大，不宜作用于比较窄小的空间内，且铝箔使用过多会出现生产成本过高现象，而如果用金属线来代替铝箔，其电流承载能力不够，所以急需想出一种既能满足电流承载力又能满足生产成本低的连接方式。
[0004]申请号为201220116370.8的中国专利该年公开了名称为“新型芯片封装结构”的实用新型专利，其专利中包括封装基板、芯片、黏着层和导线，所述的封装基板与芯片之间设有四个条状物，所述芯片的上表面设有导线与封装基板的上表面电连接，且部分芯片和部分封装基板上设有封装胶体用于包覆导线；其专利中采用导线连接芯片与封装基板，而导线的电流承载能力较弱，这样会导致导线的寿命过短，且存在一定的安全性。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的是提供一种半导体多芯片封装结构，采用金属线与铝箔分区域混合焊接，大大节省企业的生产成本，提高产品的使用寿命。
[0006]为了实现以上目的，本实用新型提供一种半导体多芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的四周布置有管脚，部分所述管脚间连接有管脚套，所述管脚套包括第一管脚套及第二管脚套，所述引线框架的内部分为三个区域，分别为第一区域、第二区域及第三区域，本实用新型的改进之处在于，所述第一区域包括第一芯片、第一铝箔，所述第一芯片通过第一铝箔连接于所述引线框架；所述第二区域包括第二芯片，所述第二芯片的一端通过金属线连接于所述第一芯片，所述第二芯片的另一端通过金属线连接于所述第一管脚套；所述第三区域包括第三芯片、第二铝箔，所述第三芯片的一端通过第二铝箔连接于所述引线框架，所述第三芯片的另一端通过金属线连接于所述第二管脚套。
[0007]进一步的，所述第一区域面积大于所述第三区域面积。
[0008]进一步的，所述第三区域面积大于所述第二区域面积。
[0009]本实用新型提供的一种半导体多芯片封装结构，采用金属线与铝箔分区域混合焊接方式，解决了现有的仅用金属线连接会导致承载电流强度能力不足、仅用铝箔连接会导致增加企业成本，且不适用与小区域内的现象，降低了企业的生产成本，同时提高了产品的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】[0010]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本实用新型提供的一种半导体多芯片封装结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]本实用新型提供的一种半导体多芯片封装结构，采用金属线与铝箔分区域混合焊接，大大节省了企业的生产成本，提高了产品的使用寿命。
[0013]下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0014]参见图1为本实用新型提供的一种半导体多芯片封装结构的结构示意图。本实用新型提供的一种半导体多芯片封装结构，包括引线框架1，所述引线框架I的四周布置有管脚2，部分所述管脚2间连接有管脚套，所述管脚套包括第一管脚套3及第二管脚套4，所述引线框架I的内部分为三个区域，分别为第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域包括第一芯片5、第一铝箔6，所述第一芯片5通过第一铝箔6连接于所述引线框架I ;所述第二区域包括第二芯片7，所述第二芯片7的一端通过金属线8连接于所述第一芯片5，所述第二芯片7的另一端通过金属线8连接于所述第一管脚套3 ;所述第三区域包括第三芯片9、第二铝箔10，所述第三芯片9的一端通过第二铝箔10连接于所述引线框架1，所述第三芯片9的另一端通过金属线8连接于所述第二管脚套4，所述第一区域面积大于所述第三区域面积，所述第三区域面积大于所述第二区域面积；在区域面积较大需要较高电流承载能力的地方采用铝箔连接，提高了连接的安全性，进而提高产品的使用寿命，在窄小的区域内采用金属线实现焊接连接，降低了企业的生产成本，同时解决了窄小区域不宜采用铝箔连接的现状。
[0015]通过以上描述可知，本实用新型提供的一种半导体多芯片封装结构，采用金属线与铝箔分区域混合焊接方式，解决了现有的仅用金属线连接会导致承载电流强度能力不足、仅用铝箔连接会导致增加企业成本，且不适用与小区域内的现象，降低了企业的生产成本，同时提闻了广品的使用寿命。
[0016]以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种半导体多芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的四周布置有管脚，部分所述管脚间连接有管脚套，所述管脚套包括第一管脚套及第二管脚套，所述引线框架的内部分为三个区域，分别为第一区域、第二区域及第三区域，其特征在于 所述第一区域包括第一芯片、第一铝箔，所述第一芯片通过第一铝箔连接于所述引线框架； 所述第二区域包括第二芯片，所述第二芯片的一端通过金属线连接于所述第一芯片，所述第二芯片的另一端通过金属线连接于所述第一管脚套； 所述第三区域包括第三芯片、第二铝箔，所述第三芯片的一端通过第二铝箔连接于所述引线框架，所述第三芯片的另一端通过金属线连接于所述第二管脚套。
2.根据权利要求1所述的一种半导体多芯片封装结构，其特征在于，所述第一区域面积大于所述第三区域面积。
3.根据权利要求1所述的一种半导体多芯片封装结构，其特征在于，所述第三区域面积大于所述第二区域面积。
【文档编号】H01L23/495GK203536427SQ201320567418
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年9月13日 优先权日:2013年9月13日
【发明者】曹周, 邱建军 申请人:杰群电子科技（东莞）有限公司