一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜和镀在基膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普通区镀层厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区逐渐增大。本发明是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高一倍，使薄膜耐压提升1.15倍薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μm，实现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品质量。
【专利说明】一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子元器件【技术领域】，尤其涉及一种具有渐进式镀层的新型小型化电 容器。
【背景技术】
[0002] 传统的普通镀膜技术蒸镀的薄膜包括加厚区和非加厚区，方阻分别控制在加厚区 2?4 Ω / □，非加厚区：7?9 Ω / □。目前，电容器小型化只能是通过降低薄膜厚度达到减 小电容尺寸的目的，但这样会降低产品质量，由于电容的击穿电压高低和薄膜的厚度大小 成正比，而电容寿命的长短和薄膜的击穿电压高低也成正比，就是说电容寿命的长短和薄 膜的厚度大小成正比，所述通过降低薄膜厚度来实现电容小型化会导致电容寿命降低。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种具有渐进式镀层的新型小型化电 容器，散热性能和自愈性能好，薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通 的电容，它的击穿电压可提高70VAC/ym，实现不降低电容质量的前提下进行小型化。
[0004] 为了实现上述目的本发明采用如下技术方案：
[0005] -种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜和镀在基 膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普通区镀层厚 度呈现梯形斜坡式，厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区 逐渐增大。
[0006] 所述加厚区的方阻为2?4 Ω / 口。
[0007] 所述中心区的方阻为7?9Ω/口。
[0008] 所述普通区的方阻为12?16 Ω / 口。
[0009] 与已有技术相比，本发明的有益效果如下：
[0010] 本发明是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的 散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高一倍，使薄膜耐压提升1. 15倍薄膜的击穿 电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/ym，实 现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误 差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1为本发明薄膜结构示意图。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
[0013] 实施例：
[0014] 一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜1和镀在 基膜上的镀层2,所述镀层1包括加厚区3、中心区4和普通区5,所述加厚区3、中心区4和 普通区5镀层厚度呈现梯形斜坡式，厚度从加厚区3向普通区5均匀递减，所述镀层的方阻 从加厚区3向普通区5逐渐增大，所述加厚区的方阻为2?4Ω / □，所述中心区的方阻为 7?9 Ω / □，所述普通区的方阻为12?16 Ω / □。本发明是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具 有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高 一倍，使薄膜耐压提升1. 15倍薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通 的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μ m，实现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约 成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品 质量。
[0015] 试验例：
[0016] 将5. 8微米薄膜制成的本发明电容与现有技术中6. 8微米薄膜制成的电容分别经 过1. 25UN，2000H条件试验，试验结果对比情况如下表：
[0017]
【权利要求】
1. 一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述电容器的薄膜包括基 膜和镀在基膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普 通区镀层厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区逐渐增大。
2. 根据权利要求1所述的具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述加 厚区的方阻为2?4Ω / 口。
3. 根据权利要求1所述的具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述中 心区的方阻为7?9Ω / 口。
4. 根据权利要求1所述的具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述普 通区的方阻为12?16 Ω / 口。
【文档编号】H01G4/015GK104143434SQ201410384339
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年8月6日 优先权日:2014年8月6日
【发明者】温海波, 温海清, 梅丽玲, 肖娟, 薛泽峰, 章新宇 申请人:安徽源光电器有限公司