倒装芯片封装方法
【专利摘要】本发明提供一种倒装芯片封装方法，包括步骤：提供一引线框架；在所述引线框架上形成多个第一铜柱；提供一芯片，所述芯片上形成有多个第二铜柱；将所述引线框架上的多个第一铜柱与所述芯片上的多个第二铜柱对接回流。本发明提供的倒装芯片封装方法除了在芯片上设置有铜柱外，在引线框架的对应位置也制作铜柱，形成了一个双铜柱的结构，运用此种结构一是可以增加芯片与框架之间的空间，方便底部填充料的填充；二是因为铜柱一般通过光刻、电镀等步骤形成，铜柱的高度越高，对工艺设备的要求越高，本发明通过上下两个铜柱的存在，减少了单侧铜柱的高度，降低了工艺、设备的要求，减少了生产成本。
【专利说明】倒装芯片封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种倒装芯片封装方法。
【背景技术】
[0002]倒装芯片(Flip chip)是一种小尺寸、高密度的芯片封装技术，相比于传统封装技术，如引线键合，倒装芯片直接以有源区面对基板，通过芯片输入/输出(I/o)区的凸点直接与基板形成互联，大大减少了互联长度，提高了芯片的电性能，同时也减小了封装尺寸，具有更小、更薄的特点。
【发明内容】
[0003]在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0004]本发明提供一种倒装芯片封装方法，包括步骤:
[0005]SlOl:提供一引线框架；
[0006]S102:在所述引线框架上形成多个第一铜柱；
[0007]S103:提供一芯片，所述芯片上形成有多个第二铜柱；
[0008]S104:将所述引线框架上的多个所述第一铜柱与所述芯片上的多个所述第二铜柱一一对应并进行回流焊接。
[0009]本发明提供的倒装芯片封装方法除了在芯片上设置有铜柱外，在引线框架的对应位置也制作铜柱，形成了一个双铜柱的结构，运用此种结构一是可以增加芯片与框架之间的空间，方便底部填充料的填充；二是因为铜柱一般通过光刻、电镀等步骤形成，铜柱的高度越高，对工艺设备的要求越高，本发明通过上下两个铜柱的存在，减少了单侧铜柱的高度，降低了工艺、设备的要求，减少了生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本发明中封装方法流程图；
[0012]图2为本发明中引线框架结构示意图；
[0013]图3为本发明中引线框架上形成铜柱结构示意图；
[0014]图4为本发明中带有铜柱的芯片结构示意图；
[0015]图5为本发明中封装完成结构示意图。
[0016]附图标记:
[0017]1-引线框架；11-第一铜柱；2-芯片；21_第二铜柱。
【具体实施方式】
[0018]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0019]如图1所示，本发明提供一种倒装芯片封装方法，包括步骤:
[0020]SlOl:提供一引线框架；
[0021]S102:在所述引线框架上形成多个第一铜柱；
[0022]S103:提供一芯片，所述芯片上形成有多个第二铜柱；
[0023]S104:将所述引线框架上的多个所述第一铜柱与所述芯片上的多个所述第二铜柱一一对应并进行回流焊接。
[0024]本发明中的封装方法通过双铜柱增加了芯片与框架之间的空间，更加方便后续步骤中底部填充料的填充；同时利用上下两个铜柱相连接，减少铜柱一次性形成的高度，降低了工艺和设备的要求，减少了生产成本。
[0025]如图2所示，首先提供一金属材质的引线框架1，所述引线框架作为集成电路的芯片载体，借助于键合材料实现了芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路；在所述引线框架I上形成有多个第一铜柱11，如图3所示；可选的，所述第一铜柱通过电镀的方式形成在引线框架上的指定位置，所述引线框架上的第一铜柱在接下来的步骤中需要与第二铜柱一一对应进行回流焊接实现电连接，所以所述第一铜柱在引线框架上形成的位置与下述芯片上的第二铜柱的位置相对应。
[0026]可选的，所述第一铜柱高度为Ium?lOOum。所述第一铜柱会与第二铜柱--对应相连接，实现芯片与引线框架之间的电连接，常用的封装方法中直接一次形成铜柱，形成的铜柱越高，为了满足封装的均一性和可靠性，对封装工艺和设备的要求越高；这里采用先在引线框架上形成第一铜柱，再与第二铜柱相连，减少了一次形成铜柱的高度，降低了工艺和设备的要求，减少了生产成本。
[0027]所述第一铜柱可以在引线框架上通过电镀等方式形成，或者可以在制作引线框架的时候直接形成。
[0028]如图4所示，随后提供一芯片2，所述芯片上已经形成有多个第二铜柱21，可选的，所述第二铜柱21形成于所述芯片上输入/输出位置，多个所述第二铜柱21与多个所述第一铜柱11 对应相连接，实现芯片上电信号的输入和输出。
[0029]可选的，所述第二铜柱顶部有锡膏，所述第二铜柱通过所述锡膏与所述第一铜柱回流焊接，实现电连接；由于上下铜柱的存在，在回流焊接时加强了对锡膏的吸附作用，减少了锡膏溢流及短路现象的发生，并且通过上下两个铜柱叠加相对于单一铜柱的高度能够有所增加，另一方面可以增加芯片与框架之间的空间，方便底部填充料的填充。
[0030]本发明中的倒装芯片封装方法通过在框架和芯片上分别制作铜柱，通过两个铜柱的连接增加了芯片与框架之间的空间，更加方便底部填充料的填充，并且减少了单侧铜柱的制作高度，降低了工艺、设备的要求，减少了生产成本。
[0031]最后应说明的是:虽然以上已经详细说明了本发明及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本发明的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本发明的公开内容将容易理解，根据本发明可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。
【权利要求】
1.一种倒装芯片封装方法，其特征在于，包括步骤: 5101:提供一引线框架； 5102:在所述引线框架上形成多个第一铜柱； 5103:提供一芯片，所述芯片上形成有多个第二铜柱； S104:将所述引线框架上的多个所述第一铜柱与所述芯片上的多个所述第二铜柱一一对应并进行回流焊接。
2.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装方法，其特征在于，所述多个第一铜柱通过电镀的方式形成。
3.根据权利要求2所述的一种倒装芯片封装方法，其特征在于，所述第一铜柱高度为Ium ?10um0
4.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装方法，其特征在于，所述多个第二铜柱形成于所述芯片上输入/输出位置。
5.根据权利要求4所述的一种倒装芯片封装方法，其特征在于，所述第二铜柱顶部有锡膏，所述第二铜柱通过所述锡膏与所述第一铜柱回流焊接，实现电连接。
【文档编号】H01L21/56GK104201119SQ201410432341
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月28日 优先权日:2014年8月28日
【发明者】林仲珉 申请人:南通富士通微电子股份有限公司