1.一种半导体元件，其特征在于，具有：
开关元件区域，其具有有源区域，该有源区域具有在第1导电型的衬底的上表面侧设置的第1导电型的发射极区域、在所述衬底的上表面侧设置的第2导电型的基极区域和在所述衬底的下表面侧设置的第2导电型的集电极层；以及
二极管区域，其具有在所述衬底的上表面侧设置的第2导电型的阳极层和在所述衬底的下表面侧设置的第1导电型的阴极层，
所述阴极层在俯视图中与所述有源区域分离，
在所述有源区域的上表面侧形成有杂质浓度比所述阳极层高的第2导电型的高浓度区域。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述高浓度区域是所述基极区域。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，具有：
上表面电极，其形成于所述衬底的上表面；以及
第2导电型的P+接触区域，其设置于所述基极区域和所述上表面电极之间，杂质浓度比所述基极区域高，
所述高浓度区域是所述P+接触区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
俯视图中的所述阴极层和所述有源区域之间的距离以米为单位大于或等于所述衬底的以秒为单位的载流子的寿命×100所得到的长度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
俯视图中的所述阴极层和所述有源区域之间的距离大于或等于所述衬底的厚度的1.5倍。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
所述开关元件区域在所述有源区域和所述二极管区域之间具有形成了栅极电极和栅极线的栅极区域。
7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，
具有在所述栅极区域的所述衬底形成的第2导电型的阱区域，
所述阴极层在俯视图中与所述阱区域分离。
8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，
所述阱区域形成于所述栅极区域的所述有源区域侧，未形成于所述栅极区域的所述二极管区域侧。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体元件，其特征在于，
在所述阳极层和所述衬底之间具有杂质浓度比所述衬底高的第1导电型的载流子存储区域。