半导体元件的制作方法

文档序号:12514001阅读:来源:国知局
技术总结
具有:有源区域,其具有在第1导电型的衬底的上表面侧设置的第1导电型的发射极区域、在该衬底的上表面侧设置的第2导电型的基极区域和在该衬底的下表面侧设置的第2导电型的集电极层;以及二极管区域,其具有在该衬底的上表面侧设置的第2导电型的阳极层和在该衬底的下表面侧设置的第1导电型的阴极层,该阴极层在俯视图中与该有源区域分离,在该有源区域的上表面侧形成杂质浓度比该阳极层高的第2导电型的高浓度区域。

技术研发人员:高桥彻雄;瓜生胜美
受保护的技术使用者:三菱电机株式会社
文档号码:201480081528
技术研发日:2014.08.26
技术公布日:2017.05.31

当前第3页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1