1.一种回蚀硬掩膜的方法，所述硬掩膜设置于介质层上，所述硬掩膜上具有第一通孔，所述介质层具有与所述第一通孔相对应的第二通孔，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在所述第二通孔中形成光刻胶层；
沿所述第一通孔内壁向外回蚀所述硬掩膜，以在所述硬掩膜中形成第三通孔，所述第三通孔的横截面积大于所述第一通孔的横截面积；
去除所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述光刻胶层的步骤包括：
形成覆盖在所述硬掩膜的表面上，并填充在所述第一通孔和第二通孔中的光刻胶预备层；
刻蚀去除所述光刻胶预备层中位于所述硬掩膜的表面上，以及位于所述第一通孔中的部分，形成位于所述第二通孔中的光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述回蚀硬掩膜的步骤采用湿法刻蚀的方式，优选地，所述湿法刻蚀在25～45℃的温度下进行。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的步骤中采用H2O2溶液或者SC1溶液对所述硬掩膜进行刻蚀。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜为TiN。
6.一种互连层结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
形成内部具有第一金属区域的第一互连层；
在所述第一互连层上形成具有第二通孔的第二互连层和具有第一通孔的硬掩膜，其中所述第一通孔与所述第二通孔相对应；
采用权利要求1至5中任一项所述的回蚀硬掩膜的方法回蚀所述硬掩膜；
在所述第二通孔中形成第二金属区域。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成内部具有所述第一金属区域的所述第一互连层的步骤包括：
在半导体器件区的表面沿远离所述半导体器件区的方向依次形成第一刻蚀阻挡层和第一介电层，以形成所述第一互连层；
依次刻蚀所述第一介电层和所述第一刻蚀阻挡层，在所述第一互连层中形成第一沟道；
在所述第一沟道中形成所述第一金属区域。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述第一互连层上形成具有第二通孔的第二互连层和具有第一通孔的硬掩膜的步骤包括：
在所述第一互连层表面沿远离所述第一互连层的方向依次形成第二刻蚀阻挡层和第二介电层，以形成所述第二互连层；
在所述第二互连层上形成硬掩膜，并刻蚀所述硬掩膜，在所述硬掩膜中形成所述第一通孔；
沿所述第一通孔向下刻蚀所述第二介电层和第二刻蚀阻挡层，以形成使得第一金属区域上表面裸露的所述第二通孔。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在形成所述硬掩膜的步骤之前，在所述第二介电层上形成粘附层。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述粘附层为SiO2。