技术总结
本申请提供了一种回蚀硬掩膜的方法及互连层结构的制作方法。回蚀硬掩膜的方法中，硬掩膜设置于介质层上，硬掩膜上具有第一通孔，介质层上具有与第一通孔相对应的第二通孔，该方法包括以下步骤：在第二通孔中形成光刻胶层；沿第一通孔内壁向外回蚀硬掩膜，以在硬掩膜中形成第三通孔，第三通孔的横截面积大于第一通孔的横截面积；去除光刻胶层。该方法先在位于硬掩膜下方的介质层内的通孔中形成光刻胶层，然后再对硬掩膜进行刻蚀，利用所形成的光刻胶层对通孔进行保护，从而避免了刻蚀液对硬掩膜底部的器件造成损伤，提高了芯片的稳定性。
技术研发人员：刘焕新
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510173521
技术研发日：2015.04.13
技术公布日：2016.11.23