技术总结
本发明实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：形成在衬底上方的第一金属层和形成在第一金属层上方的介电层。半导体器件结构还包括：形成在介电层中和第一金属层上方的粘合层和形成在介电层中的第二金属层。第二金属层电连接至第一金属层，并且粘合层的部分形成在第二金属层和介电层之间。粘合层包括第一部分，第一部分内衬有第二金属层的顶部，并且第一部分具有沿着垂直方向的延伸部分。本发明实施例涉及具有互连结构的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构。
技术研发人员：张哲诚;林志翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510987777
技术研发日：2015.12.24
技术公布日：2016.12.21