1.一种形成磁性隧道结(MTJ)器件的方法，所述方法包括：
在所述MTJ器件的暴露侧部上形成分隔件；以及
形成与所述MTJ器件相关联的抗蚀刻保护涂层，所述抗蚀刻保护涂层提供比所述分隔件更大的抗蚀性。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括形成所述MTJ器件的第一部分。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述抗蚀刻保护涂层之后形成所述MTJ器件的第二部分。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述MTJ器件的所述第二部分是使用基于惰性气体的等离子体蚀刻工艺、基于有机化合物的蚀刻工艺、基于氯的蚀刻工艺、或其任何组合来执行的。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括：
在定向沉积工艺期间，通过重新定位包括所述MTJ器件的晶片来在所述分隔件的顶表面上以及在所述分隔件的侧壁上部上形成保护冠；以及
氧化所述保护冠。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，重新定位所述晶片包括使所述晶片倾斜并且旋转所述晶片。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述定向沉积工艺包括离子束沉积工艺、蒸镀工艺、或其任何组合。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括：
在所述分隔件上形成金属层；
对所述金属层进行化学改性；以及
蚀刻所述金属层，其中对所述金属层进行化学改性和蚀刻所述金属层在所述分隔件的侧壁上形成所述抗蚀刻保护涂层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，对所述金属层进行化学改性包括使用氧化工艺来氧化所述金属层。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括：
在所述分隔件上形成硅基层；
对所述硅基层执行离子注入工艺；以及
蚀刻所述硅基层，其中执行所述离子注入工艺和所述蚀刻在所述分隔件的侧壁上形成所述抗蚀刻保护涂层。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，蚀刻所述硅基层是使用基于氟的等离子体蚀刻工艺来执行的。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述硅基层包括氮化硅、氧化硅、或其任何组合。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，执行所述离子注入工艺提高所述硅基层的抗蚀性。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括对所述分隔件执行离子注入工艺以形成所述抗蚀刻保护涂层。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述MTJ器件之后从所述分隔件移除所述抗蚀刻保护涂层。
16.一种装置，包括：
磁性隧道结(MTJ)器件的电极；以及
所述MTJ器件的存储层，
其中所述MTJ器件是使用包括以下操作的过程来形成的：
在所述电极的暴露部分上以及在所述存储层的暴露侧部上形成分隔件；以及
形成与所述MTJ器件相关联的抗蚀刻保护涂层，所述抗蚀刻保护涂层提供比所述分隔件更大的抗蚀性。
17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述抗蚀刻保护涂层包括附连至所述分隔件的顶部和所述分隔件的侧壁上部的保护冠、沉积在所述分隔件的所述侧壁上的金属层、或其组合。
18.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述抗蚀刻保护涂层包括附连至所述分隔件的侧壁的离子注入硅基层。
19.如权利要求16所述的装置，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括将离子注入工艺应用于所述分隔件以形成所述抗蚀刻保护涂层。
20.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述抗蚀刻保护涂层包括氧化钽、氧化铝、或其任何组合。
21.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述过程进一步包括形成包括高密度MTJ阵列的晶片，其中所述高密度MTJ阵列包括所述抗蚀刻保护涂层和多个MTJ器件，并且其中所述多个MTJ器件包括所述MTJ器件。
22.如权利要求21所述的装置，其特征在于，所述高密度MTJ阵列的高度空间比大于1.0。
23.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述MTJ器件被集成到选自下组的电子设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。
24.一种包括指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时使得所述处理器在形成磁性隧道结(MTJ)器件期间发起操作，所述操作包括：
在所述MTJ器件的暴露侧部上形成分隔件；以及
形成与所述MTJ器件相关联的抗蚀刻保护涂层，所述抗蚀刻保护涂层提供比所述分隔件更大的抗蚀性。
25.如权利要求24所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括：
在定向沉积工艺期间，通过重新定位包括所述MTJ器件的晶片来在所述分隔件的顶表面上以及在所述分隔件的侧壁上部上形成保护冠；以及
氧化所述保护冠。
26.如权利要求24所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括：
在所述分隔件上形成金属层；
氧化所述金属层；以及
蚀刻所述金属层，其中所述氧化和所述蚀刻在所述分隔件的侧壁上形成所述抗蚀刻保护涂层。
27.如权利要求24所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，形成所述抗蚀刻保护涂层包括：
在所述分隔件上形成硅基层；
对所述硅基层执行离子注入工艺；以及
蚀刻所述硅基层，其中所述离子注入工艺和所述蚀刻在所述分隔件的侧壁上形成所述抗蚀刻保护涂层。
28.如权利要求24所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述操作进一步包括在形成所述MTJ器件之后从所述分隔件移除所述抗蚀刻保护涂层。
29.一种方法，包括：
接收数据文件，所述数据文件包括对应于半导体器件的设计信息；以及
根据所述设计信息制造所述半导体器件，其中制造所述半导体器件包括：
在形成磁性隧道结(MTJ)器件期间：
在MTJ器件的暴露侧部上形成分隔件；以及
形成与所述MTJ器件相关联的抗蚀刻保护涂层，所述抗蚀刻保护涂层提供比所述分隔件更大的抗蚀性。
30.如权利要求29所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述半导体器件集成到选自包括以下各项的组的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。