用于磁性隧道结器件的抗蚀刻保护涂层的制作方法

技术总结
一种形成磁性隧道结(MTJ)器件(118)的方法包括在该MTJ器件的暴露侧部(124)上形成分隔件(116)。该方法进一步包括形成与该MTJ器件(118)相关联的抗蚀刻保护涂层(116)。该抗蚀刻保护涂层(130)提供比该分隔件(116)更大的抗蚀性。

技术研发人员：Y·陆;C·朴;W-C·陈
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201580025952
技术研发日：2015.05.08
技术公布日：2017.02.22