抑制了包含钽的材料的损伤的半导体元件的清洗液、及使用其的清洗方法与流程

技术特征：

技术总结
根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有Low‑k膜和包含10原子％以上的钽的材料，所述清洗方法使用包含过氧化氢0.002～50质量％、碱土金属化合物0.001～1质量％、碱和水的清洗液。

技术研发人员：尾家俊行;岛田宪司
受保护的技术使用者：三菱瓦斯化学株式会社
技术研发日：2015.10.02
技术公布日：2017.08.18