技术总结
本发明涉及具有一个半导体主体的集成电路壳体(IC‑壳体)，其中半导体主体具有一个单片的集成电路及至少两个金属接触面，及该集成电路借助导体线路与两个电接触面连接以及半导体主体被设置在一个载体基底上且与该载体基底力锁合地连接，及该载体基底具有至少两个连接接触部及这两个连接接触部与两个接触面连接以及半导体主体与载体基底被一个浇注质量体覆盖，其中浇注质量体构成IC‑壳体的一部分及两个连接接触部的各一区段穿过IC壳体，其中这两个连接接触部设置在载体基底上及每个连接接触部与位于相应的连接接触部下面的载体基底构成一个孔状构形，其中相应的孔状构形被构成穿通接触部，以便提供与另一电构件的电连接。
技术研发人员：K·黑贝勒;J·弗兰克;T·勒内克
受保护的技术使用者：TDK-迈克纳斯有限责任公司
技术研发日：2016.01.11
技术公布日：2018.11.09