技术领域
本发明涉及框构件以及密封光半导体元件的制造方法，详细而言，涉及
框构件以及使用该框构件来密封光半导体元件的密封光半导体元件的制造
方法。
背景技术：
以往，公知有利用密封层密封光半导体元件来制造密封光半导体元件的
技术。
例如，提出了以下方法(例如，参照日本特开2013－214716号公报。)。
即、首先，准备已安装有光半导体元件的基板、密封片，将它们设置于压力
机。具体而言，将基板配置于压力机的上板，将密封片配置于压力机的下板。
与此同时，将间隔件以包围密封片的方式配置。之后，使压力机工作，以压
力机的上板的周端部与间隔件接触的方式对密封片进行加压。由此，密封片
被加压而密封光半导体元件。
然而，用于形成密封片的密封材料通常相对于由间隔件围着的空间有剩
余地设置，由此，存在这样的不良情况：剩余的密封材料从由间隔件围着的
空间越过间隔件，将压力机等周围的构件等污染。
技术实现要素：
本发明的目的在于，提供一种能够防止周围的构件的污染的框构件以及
使用该框构件的密封光半导体元件的制造方法。
本发明(1)是一种框构件，其用于利用由密封材料形成的密封层来密
封光半导体元件，其特征在于，该框构件包括：第1框部，其以形成第1空间
的方式构成；第2框部，其以在所述第1框部的外侧与所述第1框部隔开间隔
而在其与所述第1框部之间形成第2空间的方式配置，并以包围所述第1框部
的方式配置；连结部，其用于将所述第1框部和所述第2框部连结起来，所述
第1空间供所述密封层以及所述光半导体元件配置，所述第2空间用于收纳所
述密封材料中的形成密封了所述光半导体元件的所述密封层的部分之外的
剩余的部分。
采用该框构件，能够将密封层以及光半导体元件配置于第1空间，之后，
将在对它们进行加压时密封材料中的形成密封了光半导体元件的密封层的
部分之外的剩余的部分收纳在第2空间中。
因此，能够防止框构件的周围的构件的污染。
另外，本发明的框构件(2)根据(1)所述的框构件，其中，所述第1
框部具有将所述第1空间和所述第2空间连通的第1槽。
在该框构件中，在第1空间被密封材料填充了的情况下，能够使在第1空
间中的剩余的密封材料在第1槽中通过，并将其收纳在第2空间中。因此，能
够利用第1槽将剩余的密封材料顺畅地收纳在第2空间中。
另外，本发明的框构件(3)根据(1)或(2)所述的框构件，其中，
所述第2空间设置有多个，所述连结部具有将彼此相邻的所述第2空间连通的
第2槽。
在该框构件中，即使是彼此相邻的第2空间中的一个第2空间被剩余的密
封材料填充了的情况，也能够借助第2槽由另一个第2空间收纳剩余的密封材
料。也就是说，能够将剩余的密封材料以从一个到另一个的顺序依次收纳在
第2空间中。因此，能够利用密封层均匀地密封光半导体元件。
另外，本发明的框构件(4)根据(2)或(3)所述的框构件，其中，
所述连结部设置有多个，所述第2空间被多个所述连结部划分成多个。
在该框构件中，能够将剩余的密封材料收纳在被划分成多个的第2空间
的各空间中，因此，能够可靠地防止框构件的周围的构件的污染。
另外，本发明的框构件(5)根据(4)所述的框构件，其中，多个所述
第2空间具有第3空间和开口面积小于所述第3空间的开口面积的第4空间。
在该框构件中，多个第2空间具有开口面积较大的第3空间和开口面积较
小的第4空间，因此，与仅具有开口面积较大的多个空间的框构件相比，能
够谋求框构件的小型化。
另外，本发明的框构件(6)根据(5)所述的框构件，其中，所述第1
槽将所述第1空间和所述第3空间连通。
在该框构件中，在第1空间被密封材料填充了的情况下，能够使第1空间
中的剩余的密封材料首先在第1槽中通过并将其优先收纳在第3空间中。进
而，剩余的密封材料越过第1框部而收纳在第3空间和第4空间中。而且，第3
空间的开口面积大于第4空间的开口面积，因此，即使优先收纳剩余的密封
材料，也能够容许充分的收纳。
另外，本发明的框构件(7)根据(5)或(6)所述的框构件，其中，
所述第2槽将所述第3空间和所述第4空间连通。
在该框构件中，在第1空间被密封材料填充了的情况下，第1空间中的剩
余的密封材料首先越过第1框部，之后，收纳在第3空间和第4空间中。进而，
若开口面积较小的第4空间被剩余的密封材料填充，则剩余的密封材料可经
由第2槽由开口面积较大的第3空间收纳。也就是说，第3空间能够辅助第4空
间收纳剩余的密封材料。
另外，本发明的密封光半导体元件的制造方法(8)包括如下工序：准
备下板、上板和上述的框构件，其中，该上板能够在所述下板的上侧与所述
下板隔开间隔地相对配置；将所述框构件相对于所述下板的上表面配置于上
侧；将所述密封层以沿着上下方向进行投影时所述密封层配置于所述第1空
间的方式相对于所述下板的上表面配置于上侧；将所述光半导体元件相对于
所述上板的下表面配置于下侧；将所述上板以在沿着上下方向进行投影时所
述光半导体元件包含于所述密封层的方式与所述下板相对地配置于所述下
板的上侧；以及通过对所述上板以及所述下板进行加压，对所述密封层进行
加压而利用所述密封层来密封所述光半导体元件，在利用所述密封层密封所
述光半导体元件的工序中，将所述密封材料中的形成密封了所述光半导体元
件的所述密封层的部分之外的剩余的部分收纳在所述第2空间中。
采用本发明的方法，在利用密封层来密封光半导体元件的工序中，将密
封材料中的形成密封了光半导体元件的密封层的部分之外的剩余的部分收
纳在第2空间中，因此，能够防止框构件的周围的构件的污染。
采用本发明的框构件以及密封光半导体元件的制造方法，能够防止框构
件的周围的构件的污染。
附图说明
图1表示本发明的框构件的第1实施方式(框构件具有第1槽、第3空间的
宽度与第4空间的宽度相同的形态)的立体图。
图2表示图1所示的框构件的俯视图。
图3表示将图1所示的框构件、密封片、元件构件片、下夹具以及上夹具
安放到压力机时的分解立体图。
图4A以及图4B是将框构件、密封片、元件构件片、下夹具以及上夹具
安放于压力机的工序图，图4A表示俯视图(透视了上夹具的一部分以及上板
时的俯视图)、图4B表示沿着图4A的A－A线的剖视图。
图5A以及图5B是将上加压板相对于下加压板加压的工序图，图5A表示
俯视图(透视了上夹具的一部分以及上板时的俯视图)，图5B表示沿着图5A
的A－A线的剖视图。
图6A以及图6B是制造光半导体装置的工序图，图6A表示将密封光半导
体元件从支承板剥下的工序，图6B表示将密封光半导体元件安装于基板的工
序。
图7表示将第1实施方式的变形例中的、框构件、密封片、元件构件片、
下夹具以及上夹具安放到压力机时的分解立体图。
图8A以及图8B是将框构件、密封片、元件构件片、下夹具以及上夹具
安放于压力机的工序图，图8A表示仰视图，图8B表示沿着图8A的X－X线的
剖视图。
图9A～图9C是相对于上夹具配置元件构件片的工序，图9A表示准备元
件构件片以及上夹具的工序，图9B表示使元件构件片相对于上夹具滑动的工
序，图9C表示利用第2销的对准第2凸部来抑制元件构件片向右方移动的工
序。
图10A以及图10B是相对于上夹具配置元件构件片的工序，图10A与图
9A相对应，表示准备元件构件片以及上夹具的工序，图10B与图9B相对应，
表示使元件构件片相对于上夹具滑动的工序。
图11是第1实施方式的变形例，表示将具有4个片配置区域的上夹具、4
个元件构件片、4个密封片、以及4个框构件安放于压力机时的分解立体图。
图12表示图11所示的变形例中的上夹具以及元件构件片的仰视图。
图13表示框构件的变形例(没有设置第1槽的形态)的俯视图。
图14表示框构件的变形例(在第1右部以及第1左部也设有第1槽的形态)
的俯视图。
图15表示框构件的变形例(第1槽设于第1前部的左右方向中央部以及第
1后部的左右方向中央部的形态)的俯视图。
图16表示框构件的变形例(第4空间的宽度小于第3空间的宽度的形态)
的俯视图。
图17表示框构件的第2实施方式(框构件具有第2槽的形态)的俯视图。
图18A以及图18B是将图17所示的框构件、密封片、元件构件片、下夹
具以及上夹具安放于压力机而对它们进行加压的工序图，图18A表示俯视图
(透视了上夹具的一部分以及上板时的俯视图)，图18B表示剖视图。
图19表示框构件的第3实施方式(框构件具有第1槽以及第2槽的形态)
的俯视图。
具体实施方式
说明本发明的框构件的第1实施方式以及第2实施方式。
＜第1实施方式＞
在图2中、纸面上下方向是前后方向(第1方向)，纸面上侧是后侧(第1
方向的一侧)，纸面下侧是前侧(第1方向的另一侧)。纸面左右方向是左右
方向(与第1方向正交的第2方向)，纸面左侧是左侧(第2方向的一侧)，纸
面右侧是右侧(第2方向的另一侧)。纸厚方向是上下方向(与第1方向以及
第2方向正交的第3方向)，纸面近前侧是上侧(第3方向的一侧)，纸面进深
侧是下侧(第3方向的另一侧)。具体而言，以各图的方向箭头为准。
1.框构件
框构件1是在利用密封层43(后述，参照图5A以及图5B)来密封光半导
体元件46(后述，参照图5A以及图5B)时所使用的。具体而言，如图1以及
图2所示，框构件1例如由金属形成，具有上下方向上较薄的板形状(平板形
状)。另外，框构件1具有俯视大致矩形的外形。框构件1具有一体的、第1框
部2、以包围第1框部2的方式配置的第2框部3和将第1框部2和第2框部3连结
起来的连结部4。
第1框部2是框构件1的前后方向以及左右方向(面方向)上的内侧部分。
第1框部2具有俯视大致矩形框形状。第1框部2具有一体的、沿着左右方向延
伸的第1前部21、沿着左右方向延伸并在第1前部21的后侧与第1前部21隔开
间隔而与第1前部21相对地配置的第1后部22、将第1前部21的右端部以及第1
后部22的右端部连结起来的第1右部23、将第1前部21的左端部以及第1后部
22的左端部连结起来的第1左部24。第1前部21以及第1后部22具有后述的第1
槽8。另外，第1框部2具有形成在其内侧的第1空间10。
第1空间10是沿着框构件1的厚度方向(上下方向)贯穿框构件1的开口
部(贯穿孔)。第1空间10被第1框部2围着，具有俯视大致矩形形状。第1空
间10具有能够供后述的密封层43以及多个光半导体元件46(参照图5A以及图
5B)配置的尺寸。
第2框部3与第1框部2隔开间隔地配置于第1框部2的前后方向以及左右
方向(面方向)上的外侧。第2框部3具有与框构件1的俯视时的外形相同的
外形。第2框部3具有一体的、配置于第2框部3的前部且沿着左右方向延伸的
第2前部31、沿着左右方向延伸且在第2前部31的后侧与第2前部31之间彼此
隔开间隔而相对地配置的第2后部32、将第2前部31的右端部以及第2后部32
的右端部连结起来的第2右部33、以及将第2前部31的左端部以及第2后部32
的左端部连结起来的第2左部34。
第2前部31和第2后部32分别具有左右方向上较长的俯视大致矩形形状。
第2右部33具有沿着前后方向延伸的形状。第2右部33具有从其右端缘朝
向左侧凹陷的右凹部35。右凹部35具有俯视大致矩形形状，配置于第2右部
33的前后方向中央部。
第2左部34具有沿着前后方向延伸的形状。第2左部34具有从其左端缘朝
向右侧凹陷的左凹部36。左凹部36具有俯视大致矩形形状，配置于第2左部
34的前后方向中央部。
连结部4设有多个(4个)。具体而言，连结部4配置于框构件1的四个角
部。详细而言，连结部4将第1框部2的四个角部的各个角部和第2框部3的四
个角部的各个角部连结起来。也就是说，连结部4具有将第1前部21的右端部
(第1框部2的右前角部)以及第2前部31的右端部(第2框部3的右前角部)
连结起来的右前连结部51、将第1前部21的左端部(第1框部2的左前角部)
以及第2前部31的左端部(第2框部3的左前角部)连结起来的左前连结部52、
将第1后部22的右端部(第1框部2的右后角部)以及第2后部32的右端部(第
2框部3的右后角部)连结起来的右后连结部53、将第1后部22的左端部(第1
框部2的左后角部)以及第2后部32的左端部(第2框部3的左后角部)连结起
来的左后连结部54。右后连结部53以及左后连结部54与右前连结部51以及左
前连结部52相对于将左凹部5以及右凹部6连结的假想线LA呈线对称地配
置。
而且，框构件1具有连结部4，因此，第2空间11形成在第1框部2和第2框
部3之间。
第2空间11以与第1空间10之间隔着第2框部3的方式配置于第1框部2的
外侧。第2空间11是沿着框构件1的厚度方向(上下方向)贯穿框构件1的开
口部(贯穿孔、狭缝)。第2空间11被多个连结部4(右前连结部51、左前连
结部52、右后连结部53以及左后连结部54)划分成多个(4个)。也就是说，
第2空间11被分割成多个(4个)。具体而言，第2空间11具有相互独立的第3
空间25和第4空间26。
第3空间25配置于框构件1的前部以及后部。第3空间25具有彼此独立的
前空间55和后空间56。
前空间55配置于框构件1的前部。前空间55沿着左右方向延伸。前空间
55由第1前部21、第2前部31、右前连结部51和左前连结部52划分而成，具有
左右方向上较长的俯视大致矩形形状。前空间55的左右方向长度(长度)L1
被设定为与第1空间10的左右方向长度相同或比第1空间10的左右方向长度
长。前空间55的前后方向长度(宽度)W1例如为1mm以上、优选是3mm以
上，另外，例如为20mm以下、优选是10mm以下。前空间55的开口面积(俯
视时的开口面积。以下相同。)小于第1空间10的开口面积。具体而言，前空
间55的开口面积为第1空间10的开口面积的例如25％以下、优选是15％以下，
更优选是10％以下，另外，例如是1％以上。
后空间56配置于框构件1的后部。后空间56沿着左右方向延伸。后空间
56由第1后部22、第2后部32、右后连结部53和左后连结部54划分而成，具有
左右方向较长的俯视大致矩形形状。后空间56的左右方向长度(长度)L2
以及前后方向长度(宽度)W2分别与前空间55的W1以及L1相同。后空间56
的开口面积与前空间55的开口面积相同。
第4空间26配置于框构件1的左部以及右部。第4空间26具有彼此独立的
右空间57和左空间58。
右空间57配置于框构件1的右部。右空间57沿着前后方向延伸。右空间
57由第1右部23、第2右部33、右前连结部51和右后连结部53划分而成，具有
前后方向较长的俯视大致矩形形状。右空间57的前后方向长度(长度)L3
被设定为与第1空间10的前后方向长度L9相同或比第1空间10的前后方向长
度L9长。右空间57的左右方向长度(宽度)W3与上述的W1以及W2相同。
由此，右空间57的开口面积与前空间55的开口面积以及后空间56的开口面积
相同。
左空间58配置于框构件1的左部。左空间58沿着前后方向延伸。左空间
58由第1左部24、第2左部34、左前连结部52和左后连结部54划分而成，具有
沿着前后方向延伸的俯视大致矩形形状。左空间58的前后方向长度L4以及左
右方向长度(宽度)W4分别与右空间57的L3以及W3相同。左空间58的开口
面积与右空间57的开口面积相同。
4个第2空间11(前空间55、后空间56、右空间57以及左空间58)的总开
口面积小于第1空间10的开口面积，具体而言，为第1空间10的面积的例如
50％以下、优选是35％以下、更优选是20％以下，另外，例如是5％以上。
进而，在该框构件1中，第1框部2具有第1槽8。具体而言，第1槽8设置
于第1前部21以及第1后部22。
第1槽8设有多个。第1槽8具有设于第1前部21的前槽81和设于第1后部22
的后槽82。
前槽81设有多个(两个)，具体而言，设于第1前部21的左右两端部各自
的上部。多个前槽81分别是从第1前部21的上表面开始切除到厚度方向(上
下方向)中途而成的切槽(凹槽)。多个前槽81分别具有主剖视大致矩形形
状。多个前槽81分别在俯视时沿着前后方向跨着第1前部21，其前端部到达
前空间55，其后端部到达第1空间10。另外，多个前槽81各自的底面在沿着
左右方向进行投影时位于比第1前部21的左右方向中央部、右前连结部51以
及左前连结部52这三者的上表面低的位置。
后槽82相对于上述的假想线LA与前槽81呈线对称地配置以及形成。详
细而言，后槽82设有多个(两个)。后槽82设于第1后部22的左右两端部各自
的上部。多个后槽82分别是从第1后部22的上表面开始切除到厚度方向中途
而成的切槽(凹槽)。多个后槽82分别具有主剖视大致矩形形状。多个后槽
82分别在俯视时沿着前后方向跨着第1后部22，其后端部到达后空间56，其
前端部到达第1空间10。另外，多个后槽82各自的底面在沿着左右方向进行
投影时位于比第1后部22的左右方向中央部、右后连结部53以及左后连结部
54这三者的上表面低的位置。
第1槽8将第1空间10和第2空间11连通。具体而言，第1槽8将第1空间10
和第3空间25连通。更具体而言，前槽81将第1空间10和前空间55连通，后槽
82将第1空间10和后空间56连通。
另一方面，第1空间10和第4空间26未连通。另外，第3空间25与第4空间
26也未连通。
第1槽8的尺寸可适当设定。具体而言，如参照图1那样，第1槽8的宽度
W5为例如0.5mm以上，优选是1mm以上，另外，例如是20mm以下，优选是
10mm以下。
第1槽8的宽度W5只要是上述的下限以上，就能够使剥离片42充分地落
入(被压入)第1槽8内，剩余的密封材料α能够通过第1槽8，因此使密封层
43的厚度稳定。
另一方面，第1槽8的宽度W5只要是上述的上限以下，则能够抑制剩余
的密封材料α向第3空间25的流入，能够防止在第1空间10中产生密封材料的
不足。因此，能够防止在密封层43中产生空隙和/或表面凹陷。
第1槽8的深度D例如是0.01mm以上，优选是0.03mm以上、更优选是
0.05mm以上。另外，第1槽8的深度D例如是框构件1的厚度T的80％以下，具
体而言，例如是0.5mm以下，优选是0.3mm以下、更优选是0.2mm以下。
第1槽8的深度D只要是上述的下限以上，密封材料所含有的填料和/或
荧光体就能够通过第1槽8，抑制在第1槽8附近产生偏析，另外，不限制剩余
的密封材料α的流动，使密封层43的厚度稳定。
另一方面，第1槽8的深度D只要是上述的上限以下，就能够抑制剩余的
密封材料α向第3空间25的流入，能够防止在第1空间10中产生密封材料的不
足。因此，能够防止在密封层43中产生空隙和/或表面凹陷。
2.密封光半导体元件以及光半导体装置的制造方法
接着，对使用该框构件1来密封光半导体元件46并制造密封光半导体元
件47的方法以及使用密封光半导体元件47来制造光半导体装置48的方法进
行说明。
在该方法中，如图3所示，首先，分别准备作为下板的一个例子的下夹
具61、作为上板的一个例子的上夹具71、框构件1、密封片41和元件构件片
49(准备下板、上板和框构件的工序的一个例子)。
下夹具61例如由金属形成，如图3以及图4A所示，具有大致矩形平板形
状。下夹具61具有比框构件1的外形大的外形。下夹具61具有第1销62、弹簧
63、定位标记64和下定位孔65。
第1销62配置于下夹具61的四个角部。多个(4个)第1销62分别具有从
下夹具61的四个角部各自的上表面朝向上侧延伸的大致圆柱形状。
弹簧63与多个第1销62相对应地设置。多个弹簧63分别是能够沿着上下
方向伸缩的压缩螺旋弹簧。多个弹簧63分别供第1销62插入(安装)。
定位标记64配置有多个(4个)。具体而言，多个(4个)定位标记64与
多个(4个)第1销62隔开间隔地配置在比多个(4个)第1销62靠内侧的位置。
多个定位标记64分别具有俯视大致L字形状。定位标记64是通过对下夹具61
的上表面进行切削而形成的。定位标记64配置在与剥离片42的4个角部相对
应的位置。
下定位孔65以与框构件1的右凹部35以及左凹部36相对应的方式配置有
多个(两个)。下定位孔65是沿着厚度方向贯穿下夹具61的贯穿孔。多个下
定位孔65分别具有沿着前后方向延伸的俯视大致矩形形状。
上夹具71例如由金属形成，具有大致矩形平板形状。上夹具71具有与下
夹具61的外形相同的外形。上夹具71具有上定位孔72。另外，上夹具71具有
片配置区域70。
上定位孔72是沿着厚度方向贯穿上夹具71的贯穿孔。上定位孔72在上夹
具71的四个角部配置有多个(4个)。上定位孔72具有能够供第1销62插入的
形状以及尺寸。
如图3所示，片配置区域70是上夹具71的下表面的中央的区域，是供后
述的元件构件片49配置的区域。
密封片41包括剥离片42和密封层43。优选的是，密封片41仅由剥离片42
和密封层43构成。
密封片41具有平板形状，具体而言具有预定的厚度，具有沿着左右方向
以及前后方向延伸且平坦的表面以及平坦的背面。
剥离片42为了在直到利用密封层43密封光半导体元件46为止的期间保
护密封层43而以可剥离的方式粘贴于密封层43的背面(图4B中的下表面)。
剥离片42由挠性薄膜形成。另外，剥离片42的粘贴面、也就是说，与密封层
43接触的接触面根据需要被实施氟处理等剥离处理。
作为剥离片42，可列举出例如聚乙烯薄膜、聚脂薄膜(PET等)等聚合
物薄膜、例如陶瓷片、例如金属箔等。另外，剥离片42的形状具有例如俯视
大致矩形形状(包括长方形、长条状)等。
如图4B所示，剥离片42的尺寸被设定为在沿着厚度方向进行投影时剥离
片42的周端缘载置于框构件1的上表面。具体而言，剥离片42的尺寸被设定
为剥离片42覆盖第1空间10以及第2空间11。
剥离片42的厚度例如是1μm以上，优选是10μm以上，另外，例如是
2000μm以下，优选是1000μm以下。
密封层43由密封材料形成为大致矩形片形状。
作为密封材料，可列举出例如密封树脂组合物。密封树脂组合物含有密
封树脂。
作为密封树脂，可列举出透明性的树脂，具体而言，可列举出热固性树
脂、热塑性树脂，优选的是，可列举出热固性树脂。
作为热固性树脂，可列举出例如两阶段反应固化性树脂、一阶段反应固
化性树脂。
两阶段反应固化性树脂具有两个反应机理，其能够在第1阶段的反应中
从A阶段状态实现B阶段化(半固化)，接下来，能够在第2阶段的反应中从B
阶段状态实现C阶段化(完全固化)。也就是说，两阶段反应固化性树脂是能
够通过适度的加热条件而成为B阶段状态的热固性树脂。但是，两阶段反应
固化性树脂也能够通过剧烈的加热从A阶段状态一次性就成为C阶段状态而
不维持B阶段状态。此外，B阶段状态是热固性树脂呈液状的A阶段状态和完
全固化了的C阶段状态之间的状态，且是稍微进行固化以及凝胶化、压缩弹
性模量小于C阶段状态的弹性模量的半固体或固体状态。
一阶段反应固化性树脂具有1个反应机理，其能够在第1阶段的反应中从
A阶段状态实现C阶段化(完全固化)。此外，一阶段反应固化性树脂包括如
下的热固性树脂：在第1阶段的反应的中途停止该反应，能够从A阶段状态成
为B阶段状态，之后进一步加热，能够再次开始第1阶段的反应，从B阶段状
态实现C阶段化(完全固化)。也就是说，该热固性树脂是能够成为B阶段状
态的热固性树脂。当然，一阶段反应固化性树脂包括如下的热固性树脂：不
能以使该热固性树脂在一阶段的反应的中途停止的方式对该热固性树脂组
合物进行控制，也就是说，无法成为B阶段状态，一次性就从A阶段状态实
现C阶段化(完全固化)。
也就是说，热固性树脂包括取决于加热条件能够成为B阶段状态的热固
性树脂和无法成为B阶段状态的热固性树脂。
作为密封树脂，可列举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚
酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、密胺树脂、不饱和聚脂树脂等。
作为密封树脂，优选是可列举出有机硅树脂、环氧树脂。
作为有机硅树脂，优选是可列举出能够成为B阶段状态的热固性有机硅
树脂、无法成为B阶段状态的热固性有机硅树脂。
作为环氧树脂，可列举出能够成为B阶段状态的热固性环氧树脂。
上述的密封树脂也可以是同一种类的树脂或多个种类的树脂。
进而，密封树脂组合物也能够含有填料、荧光体。
作为填料，可列举出无机颗粒、有机颗粒等颗粒。
作为无机颗粒，可列举出例如氧化硅(SiO2)、滑石(Mg3(Si4O10)(HO)
2)、氧化铝(Al2O3)、氧化硼(B2O3)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)、氧
化锶(SrO)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氧化钡(BaO)、氧化锑(Sb2O3)
等氧化物、例如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)等氮化物等无机物颗粒(无
机物)。另外，作为无机颗粒，可列举出例如从上述例示的无机物制备的复
合无机物颗粒，具体而言，可列举出从氧化物制备的复合无机氧化物颗粒(具
体而言，玻璃颗粒等)。
作为有机颗粒的有机材料，可列举出例如丙烯系树脂、苯乙烯系树脂、
丙烯酸-苯乙烯系树脂、有机硅系树脂、聚碳酸酯系树脂、苯并胍胺系树脂、
聚烯烃系树脂、聚脂系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂等。
填料能够单独使用或组合使用。
对于填料的含有比例，相对于密封树脂组合物为例如1质量％以上，优
选是3质量％以上，另外，例如是80质量％以下，优选是75质量％以下。
作为荧光体，可列举出例如能够将蓝色光转换为黄色光的黄色荧光体、
能够将蓝色光转换为红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可列举出例如(Ba，Sr，Ca)2SiO4；Eu、(Sr，Ba)
2SiO4：Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12：Ce(YAG
(钇·铝·石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(铽·铝·石榴石)：Ce)
等具有石榴石型结晶构造的石榴石型荧光体、例如Ca－α－SiAlON等氮氧化
物荧光体等。
作为红色荧光体，可列举出例如CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物荧
光体等。
作为荧光体的形状，可列举出例如球状、板状、针状等。
荧光体的最大长度的平均值(在为球状的情况，是平均粒径)例如是
0.1μm以上，优选是1μm以上，另外，例如是200μm以下，优选是100μm以下。
荧光体能够单独使用或组合使用。
对于荧光体的配合比例，相对于密封树脂组合物是例如0.1质量％以上，
优选是0.5质量％以上，例如是90质量％以下，优选是80质量％以下。
为了制备密封层43，例如将上述的密封树脂和根据需要选择配合的填料
以及荧光体配合，制备密封树脂组合物的清漆，接下来，将该清漆涂敷于剥
离片42的上表面。由此，形成密封树脂组合物的涂膜。接下来，在密封树脂
为热固性树脂的情况下，使密封树脂组合物的涂膜实现B阶段化。具体而言，
对涂膜进行加热。由此，制备了密封层43。
密封层43的80℃的剪切储能弹性模量G’例如是3Pa以上，优选是12Pa
以上，另外，例如是140Pa以下，优选是70Pa以下。密封层43的80℃的剪切
储能弹性模量G’是通过在频率1Hz、升温速度20℃/分钟、温度范围20℃～
150℃的条件下进行动态粘弹性测量而得到的。
密封层43的尺寸被设定为，密封层43的容积V0与从第1空间10的容积减
去可收容在第1空间10的剥离片42的容积以及光半导体元件46的容积而得到
的容积V1相同或大于容积V1。具体而言，V0为V1的例如100％以上，优选
是V1的102％以上，更优选是V1的105％以上，另外，例如是V1的120％以下。
具体而言，密封层43的厚度被设定为与框构件1的厚度相同或厚于框构
件1的厚度，详细而言，是框构件1的厚度的例如100％以上，优选是框构件1
的厚度的102％以上，更优选是框构件1的厚度的105％以上，另外，例如是
框构件1的厚度的150％以下。密封层43的厚度例如是50μm以上，优选是
200μm以上，另外，例如是2000μm以下。
如图3所示，密封层43的尺寸被设定为密封层43使剥离片42的周端部的
上表面暴露。也就是说，密封层43的尺寸设定为小于剥离片42的尺寸。具体
而言，密封层43的前后方向长度以及左右方向长度设定得分别短于剥离片42
的前后方向长度以及左右方向长度。
另外，密封层43的体积被设定为第1空间10的开口容积的例如100体积％
以上，优选为102体积％以上，另外，例如是第1空间10的开口容积的110体
积％以下，优选为107体积％以下。另外，密封层43的体积被设定为，自第1
空间10剩余的密封材料α的体积(掩埋第1空间10，进而流到外面的密封材料
α的体积)超过第3空间25的开口容积(前空间55的开口容积以及后空间56的
开口容积的总容积)的例如0体积％，优选是第3空间25的开口容积的40体
积％以上，另外，例如是第3空间25的开口容积100体积％以下，优选是80体
积％以下。
只要密封层43的体积相对于第3空间25的开口容积填充超过上述的下
限，就能够抑制在第1空间10产生空隙和/或凹凸。只要密封层43的体积相
对于第3空间25的开口容积填充低于上述的上限，就能够抑制密封材料向框
构件1外的漏出(流出)，使密封层43的厚度稳定，进而，能够防止因上述的
漏出(流出)引起的对周围的夹具的污染。
密封片41的厚度例如是51μm以上，优选是201μm以上，另外，例如是
3000μm以下，优选是1000μm以下。
元件构件片49包括光半导体元件46和配置于光半导体元件46的下表面
的支承板45。优选的是，元件构件片49仅由光半导体元件46和支承板45构成。
光半导体元件46例如是LED或LD等光学元件。光半导体元件46形成为
沿着前后方向以及左右方向的大致平板形状。另外，光半导体元件46呈俯视
大致矩形状，沿着上下方向以及前后方向的截面形状以及沿着上下方向以及
左右方向的截面形状形成为大致矩形形状。光半导体元件46的厚度(上下方
向长度)例如是0.1μm以上，优选是0.2μm以上，另外，例如是500μm以下，
优选是200μm以下。光半导体元件46沿着前后方向以及左右方向彼此隔开间
隔地配置有多个。多个光半导体元件46各自的前后方向长度以及左右方向长
度被适当设定。相邻的光半导体元件46间的间隔被适当设定。
支承板45是为了在利用密封片41覆盖并密封光半导体元件46、获得了密
封光半导体元件47之后、直到剥离密封光半导体元件47为止的期间保护密封
光半导体元件47的光半导体元件46(参照图6A)而以能够剥离的方式粘贴于
密封光半导体元件47中的光半导体元件46的背面(图6A中的下表面)。也就
是说，支承板45以覆盖光半导体元件46的背面(图6A中的下表面)的方式层
叠于光半导体元件46的背面。
支承板45由与上述的剥离片42同样的材料形成。另外，支承板45能够由
通过加热而密封光半导体元件47能够容易剥离的热剥离片形成。进而，能够
在支承板45的表面配置压敏粘接剂层。
如图3以及图4B所示，支承板45的尺寸被设定为例如在俯视时包括第1
空间10以及第2空间11的大小。也就是说，支承板45被设定为例如支承板45
的周端缘包含于第2框部3的大小。或者、支承板45也能够设定为包含框构件
1的周缘部在内的大小。另外，支承板45也能够设定为例如包含于下夹具61
以及上夹具71的大小。
支承板45的厚度例如是10μm以上，优选是50μm以上，另外，例如是
1000μm以下、优选是100μm以下。
接下来，在该方法中，将框构件1配置于下夹具61的上表面(将框构件
相对于下板的上表面配置于上侧的工序的一个例子)。
接下来，在该方法中，如图4B所示，将密封片41配置于框构件1的上表
面(将密封层相对于下板的上表面配置于上侧的工序的一个例子)。
具体而言，以剥离片42覆盖(封闭)第1空间10、第2空间11以及第1槽8
的同时、在沿着上下方向进行投影时密封层43位于第1空间10内的方式将密
封片41配置于框构件1的上表面。具体而言，参照图3，以剥离片42在沿着厚
度方向进行投影时剥离片42的4个角部与4个定位标记64重叠的方式将密封
片41配置于框构件1的上表面。此外，密封层43以朝向上侧的方式配置于剥
离片42。
密封层43以在沿着上下方向进行投影时配置于第1空间10的中央部且不
与第1空间10的周端部重叠的方式配置。另一方面，剥离片42以封闭第1空间
10以及第2空间11这两者的上端部的方式配置。
接下来，在该方法中，将元件构件片49配置于上夹具71的下表面(将光
半导体元件相对于上板的下表面配置于下侧的工序的一个例子)。
具体而言，将支承板45固定(粘贴)于上夹具71的下表面。光半导体元
件46以朝向下侧的方式配置于支承板45。
之后，在该方法中，将上夹具71相对于下夹具61相对配置。
具体而言，将第1销62的上端部插入上定位孔72。于是，上夹具71的位
于上定位孔72的周围的部分被弹簧63支承。
此时，下定位孔65的内端缘和右凹部35以及左凹部36以在上下方向上重
叠的方式配置。
由此，在光半导体元件46、支承板45以及密封片41夹在下夹具61和上夹
具71之间的状态下，并且在光半导体元件46和密封层43并未接触而相对配置
的状态下，将它们安放于下夹具61以及上夹具71。另外，以光半导体元件46
在沿着上下方向进行投影时包含于密封层43的方式将上夹具71相对于下夹
具61安放。
之后，在该方法中，将下夹具61以及上夹具71安放于压力机90。
压力机90是平行平板压力机，具有下加压板91和配置于下加压板91的上
侧并构成为可相对于下加压板91向下侧加压的上加压板92。
为了将下夹具61以及上夹具71安放于压力机90，具体而言，将下夹具61
的下表面设置于压力机90的下加压板91的上表面。由此，下夹具61以及上夹
具71配置于下加压板91和上加压板92之间。
之后，如图5A以及图5B所示，通过对上加压板92相对于下加压板91加
压，对密封层43加压，利用密封层43覆盖并密封光半导体元件46(对密封层
加压而利用密封层密封光半导体元件的工序的一个例子)。
此时，支承板45的周端部的下表面一边受到来自上加压板92的压力、一
边将密封层43向下侧压入，直到与配置于框构件1的上表面的剥离片42接触。
这样一来，密封层43在第1空间10内覆盖光半导体元件46的下表面以及
侧面而密封光半导体元件46。与此相伴，密封层43以及配置于密封层43的下
侧的剥离片42落入第1空间10内。
接下来，密封层43的相对于第1空间10而言剩余的密封材料α优先通过第
1槽8而向第2空间11移动，收纳在第2空间11中。剩余的密封材料α在通过第1
槽8时使剥离片42落入(下推)第1槽8内，并且通过第1槽8后，收纳于前空
间55以及后空间56。
进一步加压，剩余的密封材料α越过第1框部2而收纳于4个第2空间11。
也就是说，剩余的密封材料α分别越过第1前部21、第1后部22、第1右部23和
第1左部24而分别收纳于前空间55、后空间56、右空间57和左空间58。
之后，将上加压板92相对于下加压板91上拉。由此，解除压力机90的加
压。
由此，以被剥离片42以及支承板45沿着上下方向夹着的状态可获得具有
密封层43和被密封层43密封了的多个光半导体元件46的密封光半导体元件
47。
之后，将密封光半导体元件47、剥离片42以及支承板45从下夹具61、上
夹具71以及框构件1回收，在密封层43含有热固型树脂的情况下，对密封光
半导体元件47进行加热而使密封层43完全固化(C阶段化)。
之后，将剥离片42从密封光半导体元件47剥离，之后，去除剩余的密封
材料α。与此同时，如图6A所示，以密封光半导体元件47支承于支承板45的
状态并以与多个光半导体元件46分别相对应的方式将密封光半导体元件47
单片化。
之后，如图6B所示，将单片化后的密封光半导体元件47安装于基板50。
具体而言，如图6A的箭头所示，将密封光半导体元件47从支承板45剥下，接
下来，将密封光半导体元件47安装于基板50。详细而言，将光半导体元件46
相对于基板50进行倒装安装。
基板50呈沿着前后方向以及左右方向延伸的大致矩形平板形状，例如是
绝缘基板。另外，基板50具有配置于上表面的端子(未图示)。
由此，可获得包括基板50和安装于基板50的密封光半导体元件47的光半
导体装置48。优选的是，光半导体装置48仅由基板50、安装于基板50的光半
导体元件46、覆盖并密封光半导体元件46的密封层43构成。
3.第1实施方式的作用效果
采用该框构件1，在第1空间10内中配置密封层43以及光半导体元件46，
之后，在对它们加压时，能够利用第2空间11收纳密封材料中的形成密封层
43的部分之外的剩余的密封材料α。
因此，能够防止第2空间11的周围的构件、具体而言，压力机90的下加
压板91以及上加压板92的污染。
在该框构件1中，在第1空间10被密封材料填充了的情况下，能够使第1
空间10中的剩余的密封材料α通过第1槽8而收纳在第2空间11中。因此，能够
利用第1槽8将剩余的密封材料α顺畅地收纳在第2空间11中。
另外，在该框构件1中，能够利用第2空间11的被划分成多个的每一个空
间即、前空间55、后空间56、右空间57、左空间58分别收纳剩余的密封材料
α，与此，能够可靠地防止框构件1的周围的构件的污染。
在该框构件1中，在第1空间10被密封材料填充了的情况下，能够使第1
空间10中的剩余的密封材料α首先通过第1槽8而优先地收纳在第3空间25中。
进而，剩余的密封材料α可越过第1框部2而收纳在第3空间25和第4空间26中。
采用上述的密封光半导体元件47的制造方法，在利用密封层43密封光半
导体元件46的工序中，利用第2空间11收纳剩余的密封材料α，因此，能够防
止框构件1的周围的构件、具体而言压力机90的下加压板91以及上加压板92
的污染。
4.变形例
在变形例中，对与上述的第1实施方式同样的构件以及工序标注相同的
参照附图标记而省略其详细说明。
在该变形例中，如图7、图8A以及图8B所示，上夹具71具有卡定部73、
对准第1凸部76和孔77。卡定部73、对准第1凸部76和孔77设于片配置区域70
的周围。
如图7A以及图10A所示，卡定部73在上夹具71的下表面的左右两端部的
各个端部各设有1个。两个卡定部73在沿着左右方向进行投影时配置于相同
的位置。两个卡定部73分别具有在仰视时前后方向较长的大致矩形板形状。
如图10A所示，两个卡定部73分别具有缺口部74以及爪部75。
缺口部74是将卡定部73的内端部的上端部切除而成的部分。由此，卡定
部73具有正剖视大致L形状。
爪部75由缺口部74形成，是在卡定部73中朝向上夹具71的中央突出的突
出部。另外，爪部75由缺口部74形成，因此，与上夹具71的下表面隔开间隔
地形成。
在卡定部73中，将支承板45的左右两端缘收容在缺口部74内的同时利用
爪部75支承支承板45的左右两端缘，防止支承板45向下方脱落。
如图7A以及图9A所示，对准第1凸部76在上夹具71的下表面的后端部设
有多个(多个)。多个对准第1凸部76沿着左右方向彼此隔开间隔地相对配置。
多个对准第1凸部76分别具有俯视时左右方向较长的大致矩形板形状。多个
对准第1凸部76分别具有从上夹具71的下表面朝向下方突出的形状。多个对
准第1凸部76的前端面对齐，具体而言，多个对准第1凸部76的前端面以在沿
着左右方向进行投影时处于相同的位置的方式配置。
孔77在上夹具71的前端部设有多个(两个)。多个(两个)孔77沿着左
右方向彼此隔开间隔地相对配置。多个孔77与对准第1凸部76相对应地设置。
具体而言，两个孔77分别设置于在沿着前后方向进行投影时与分别位于左右
两端部的对准第1凸部76重叠的位置。多个孔77分别具有俯视大致圆形状。
多个孔77分别具有沿着上夹具71的厚度方向贯穿上夹具71的形状。多个孔77
分别具有上孔79和下孔80。
上孔79设于孔77的上部。上孔79具有沿着厚度方向延伸的圆孔形状。上
孔79具有可收容第2销78的头部67(后述)的尺寸。
下孔80设于孔77的下部，具体而言，下孔80与上孔79连续地设于上孔79
的下侧。下孔80沿着厚度方向延伸，具有相对于上孔79缩径而成的圆孔形状。
下孔80具有可收容第2销78的杆部66(后述)的尺寸。
在该变形例中的方法中，将元件构件片49配置于上夹具71的下表面的工
序如以下那样实施。
即、首先，如图9A以及图10A所示，将支承板45配置于上夹具71的前方。
接下来，如图9A的箭头、图9B以及图10B所示，使支承板45相对于上夹
具71的下表面向后侧滑动。具体而言，使支承板45的上表面相对于上夹具71
的下表面滑动。
支承板45的尺寸被设定为与卡定部73、对准第1凸部76以及孔77的配置
相对应。具体而言，如图7以及图9A所示，支承板45的前后方向长度L6被设
定为与对准第1凸部76的前端面和下孔80的后端缘之间的距离即距离L5相
同。如图7以及图10B所示，支承板45的左右方向长度L8被设定为与相对的两
个卡定部73中的面临缺口部74的侧面之间的长度L7相同或者稍小于该长度
L7、并且设定为大于两个卡定部73中的爪部75之间的长度L9。
而且，以支承板45的左右两端缘收容在缺口部74内的方式使支承板45向
后侧滑动。由此，爪部75防止支承板45向下方脱落。
接下来，如图9B所示，使支承板45滑动直到支承板45的后端缘与多个对
准第1凸部76的前端面接触为止。在支承板45的后端缘与多个对准第1凸部76
的前端面接触之后，如图9C所示，将第2销78插入孔77中。
第2销78具有截面呈大致T字的形状。第2销78具有沿着上下方向延伸的
杆部66和与杆部66的上端部连接而沿着面方向(前后方向以及左右方向)延
伸的头部67。头部67具有大致圆板形状。
将头部67收容在上孔79内的同时，杆部66贯穿下孔80，进而，杆部66的
下端部从下孔80向下方突出。杆部66的下端部构成对准第2凸部68。利用对
准第2凸部68防止支承板45朝向前方移动。
也就是说，在该上夹具71中，如图10B所示，利用卡定部73防止支承板
45脱落并防止支承板45的左右方向上的错位。如图9C所示，利用对准第1凸
部76以及对准第2凸部68防止支承板45的前后方向上的错位而对支承板45的
前后方向上的位置进行对准。
在该变形例中，在将元件构件片49配置于上夹具71时，一边利用卡定部
73对元件构件片49的左右方向位置进行对准、一边能够利用卡定部73的爪部
75防止元件构件片49脱落。另外，能够利用对准第1凸部76以及对准第2凸部
68对元件构件片49的前后方向位置进行对准。由此，能够将元件构件片49相
对于上夹具71准确地固定。
在第1实施方式中，在将框构件1配置于上夹具71的工序中，如图3所示，
针对1个上夹具71配置有1个元件构件片49。不过，在另一变形例中，如图11
所示，针对1个上夹具71配置有多个、具体而言4个元件构件片49。
如图11以及图12所示，上夹具71具有4个片配置区域70。4个片配置区域
70以前后2列、左右2列排列配置。上夹具71具有分别与4个片配置区域70相
对应的卡定部73、对准第1凸部76以及孔77。
在位于前列的片配置区域70的后侧配置有对准第1凸部76，在该片配置
区域70的前侧配置有孔77。另一方面，在位于后列的片配置区域70的前侧配
置有对准第1凸部76，在该片配置区域70的后侧配置有孔77。与位于前列的
片配置区域70相对应的对准第1凸部76和与位于后列的片配置区域70相对应
的对准第1凸部76沿着前后方向彼此相对地配置在上夹具71的前后方向中央
部。另一方面，与位于前列的片配置区域70相对应的孔77和与位于后列的片
配置区域70相对应的孔77分别配置于上夹具71的前后两端部的各个端部。
在4个片配置区域70各自的左右两侧配置有卡定部73。在位于右列的片
配置区域70的左侧配置的卡定部73和在位于左列的片配置区域70的右侧配
置的卡定部73沿着左右方向彼此相对地配置在上夹具71的左右方向中央部。
另一方面，在位于右列的片配置区域70的右侧配置的卡定部73和在位于左列
的片配置区域70的左侧配置的卡定部73分别配置于上夹具71的左右两端部
的各个端部。
在该变形例中，在将元件构件片49配置于上夹具71的工序中，如图11所
示，将4个元件构件片49的每一个相对于4个片配置区域70的每一个进行配
置。
另外，在将框构件1配置于下夹具61的工序中，以将4个框构件1与4个元
件构件片49以及4个支承板45相对应的方式将4个框构件1配置于下夹具61的
上表面。
另外，在将密封片41配置于框构件1的工序中，将4个密封片41以与4个
框构件1相对应的方式配置于4个框构件1的上表面。
采用该变形例，利用1个下夹具61和1个上夹具71夹着多个(4个)元件
构件片49、多个(4个)框构件1以及多个(4个)密封片41来密封光半导体
元件46，因此(即使是元件构件片49、框构件1、和/或密封片41比较小型，
也)能够高效地密封很多光半导体元件46，高效地制造多个密封光半导体元
件47。
另外，在上述的变形例中，如图11以及图12所示，在上夹具71上以前后
2列、左右2列配置有4个片配置区域70，但其数量并没有特别限定，例如，
能够以前后2列、左右n列(n是整数)配置2×n个片配置区域70，但对此并
未图示。
在第1实施方式中，如图2所示，第1框部2具有第1槽8。不过，如图13所
示，也能够不具有第1槽8地构成第1框部2。
第1空间10以及第2空间11被第1框部2划分而将第1空间10以及第2空间
11之间的连通阻断。
在相对于下加压板91对上加压板92加压时，剩余的密封材料α从第1空间
10越过第1框部2，进入第2空间11而收纳于第2空间11中。
另外，如图14所示，第1槽8除了设置于第1前部21以及第1后部22之外，
还可以设置于第1右部23以及第1左部24。也就是说，第1前部21、第1后部22、
第1右部23和第1左部24分别具有两个第1槽8。
第1右部23中的两个第1槽8是右槽83。
右槽83设于第1右部23的前后两端部的上部。两个右槽83分别是从第1右
部23的上表面开始切除到厚度方向(上下方向)中途而成的切槽(凹槽)。
多个右槽83分别具有侧剖视大致矩形形状。两个右槽83分别在俯视时沿着左
右方向跨着第1右部23，其右端部到达右空间57，其左端部到达第1空间10。
另外，两个右槽83各自的底面在沿着前后方向进行投影时位于比第1右部23
的前后方向中央部、右前连结部51以及右后连结部53这三者的上表面低的位
置。
第1左部24中的两个第1槽8是左槽84。
左槽84相对于沿着前后方向通过框构件1的重心(第2空间11的中心)的
假想线LB与右槽83呈线对称地配置以及形成。
图14所示的框构件1的情况下，能够使剩余的密封材料α从第2空间11通
过右槽83以及左槽84，分别进入右空间57以及左空间58而收纳于右空间57以
及左空间58。
如图2所示，在第1实施方式中，将第1槽8设于第1前部21的左右两端部、
以及第1后部22的左右两端部。不过，如图15所示，也能够将第1槽8设于第1
前部21的左右方向中央部以及第1后部22的左右方向中央部。
也就是说，第1槽8具有1个前槽81和1个后槽82。
前槽81针对第1前部21设有1个。
后槽82针对第1后部22设有1个。
另外，前槽81以及后槽82各自的数量没有特别限定，虽未图示，但例如
也可以分别为3个以上。
另外，如图2所示，在第1实施方式中，将第3空间25的宽度、具体而言
前空间55的宽度W1以及后空间56的宽度W2设定为与第4空间26的宽度、具
体而言右空间57的宽度W3以及左空间58的宽度W4相同。不过，如图16所示，
能够将第4空间26的宽度(右空间57的宽度W3以及左空间58的宽度W4)设
定得比第3空间25的宽度(前空间55的宽度W1以及后空间56的宽度W2)窄。
右空间57的左右方向长度(宽度)W3以及左空间58的左右方向长度(宽
度)W4不足W1以及W2的例如100％，优选是75％以下、更优选是50％以下，
另外，例如是10％以上，详细而言，例如是20mm以下，优选是10mm以下，
更优选是2mm以下，另外，例如是0.5mm以上。
另外，第4空间26(右空间57以及左空间58)的开口面积被设定得比第3
空间25(前空间55以及后空间56)的开口面积小。
而且，在图16所示的框构件1中，多个第2空间11具有开口面积较大的第
3空间25和开口面积较小的第4空间26，因此，与具有开口面积相同的第3空
间25以及第4空间26的框构件(第1实施方式、参照图2)相比，能够谋求框
构件1的小型化。
进而，第3空间25的开口面积大于第4空间26的开口面积，因此，即使优
先地收纳剩余的密封材料α，也能够容许充分的收纳。
另外，准备了例如B阶段的密封树脂组合物作为密封层43，但也能够例
如不对涂膜进行加热，直接将A阶段的密封树脂组合物的涂膜作为密封层43。
在该情况下，A阶段的密封树脂组合物的粘度例如是1，000mPa·s以上，优
选是3，000mPa·s以上，更优选是5，000mPa·s以上，另外，例如是1，000，
000mPa·s以下，优选是500，000mPa·s以下，更优选是200，000mPa·s
以下。此外，A阶段的密封树脂组合物的粘度是将A阶段的密封树脂组合物
的温度调节为25℃、使用E型锥形粘度计进行测量的。
另外，在第1实施方式中，首先，如图3、图4A以及图4B所示，准备具
有支承板45、被支承板45支承的光半导体元件46的元件构件片49，接下来，
如图5A以及图5B所示，使用框构件1、下夹具61以及上夹具71，利用密封层
43覆盖并密封光半导体元件46，如图6A所示，获得密封光半导体元件47，之
后，如图6B所示，将密封光半导体元件47安装于基板50，获得了光半导体装
置48。不过，如参照图3以及图4B那样，也能够是，预先将光半导体元件46
安装于基板95，之后，使用框构件1、下夹具61以及上夹具71，利用密封层
43覆盖并密封光半导体元件46，从而获得光半导体装置48。
在第1实施方式中，如图4B所示，将元件构件片49配置于上夹具71的下
表面，但只要是在上夹具71的下表面的下侧即可，没有特别限定，例如，也
能够以多个光半导体元件46的下表面与密封层43的上表面接触的方式将元
件构件片49载置于密封片41之上，将元件构件片49以与上夹具71的下表面隔
开间隔的方式安放，但对此并未图示。
＜第2实施方式＞
在第2实施方式中，对与上述的第1实施方式同样的构件以及工序标注相
同的参照附图标记而省略其详细说明。
在第1实施方式中，如图2所示，设有将第1空间10以及第3空间25连通的
第1槽8。不过，在第2实施方式中，如图17所示，替代第1槽8而设有将彼此
相邻的两个第2空间11连通的第2槽85。
在图17中，第2槽85设置于连结部4。具体而言，第2槽85具有设置于右
前连结部51的右前槽86、设置于左前连结部52的左前槽87、设置于右后连结
部53的右后槽88以及设置于左后连结部54的左后槽89。
右前槽86是从右前连结部51的上表面开始切除到上下方向中途而成的
切槽(凹槽)。右前槽86随着从前空间55的右端部朝向右侧去而向后侧延伸，
到达右空间57的前端部。由此，右前槽86将前空间55(第3空间25)以及右
空间57(第4空间26)连通。
左前槽87是从左前连结部52的上表面开始切除到上下方向中途而成的
切槽(凹槽)。左前槽87随着从前空间55的左端部朝向左去而向后侧延伸，
到达左空间58的前端部。由此，左前槽87将前空间55(第3空间25)以及左
空间58(第4空间26)连通。
右后槽88是从右后连结部53的上表面开始切除到上下方向中途而成的
切槽(凹槽)。右后槽88随着从后空间56的右端部朝向右去而向前侧延伸，
到达右空间57的后端部。由此，右前槽86将后空间56(第3空间25)以及右
空间57(第4空间26)连通。
左后槽89是从左后连结部54的上表面开始切除到上下方向中途而成的
切槽(凹槽)。左后槽89随着从后空间56的左端部朝向左去而向前侧延伸，
到达左空间58的后端部。由此，左后槽89将后空间56(第3空间25)以及左
空间58(第4空间26)连通。
因而，多个第2空间11经由多个第2槽85彼此连通。
在使用该框构件1来制造密封光半导体元件47的方法中，如图18B所示，
将元件构件片49以及密封片41安放于下夹具61以及上夹具71，并将它们安放
于压力机90。
之后，如图18B所示，通过相对于下加压板91对上加压板92加压，对密
封层43加压，利用密封层43覆盖并密封光半导体元件46。
于是，剩余的密封材料α从第1空间10越过第1框部2而收纳于第2空间11。
具体而言，剩余的密封材料α越过第1前部21、第1后部22、第1右部23以及第
1左部24而分别收纳于前空间55、后空间56、右空间57以及左空间58。
另外，第3空间25以及第4空间26中的任一者的剩余的密封材料α通过第2
槽85，向另一者移动，而被收纳于另一者中。
＜第3实施方式＞
在第3实施方式中，对与上述的第1实施方式以及第2实施方式同样的构
件以及工序标注相同的参照附图标记，省略其详细说明。
在第1实施方式中，如图2所示，在框构件1设有第1槽8。另外，在第2实
施方式中，如图17所示，在框构件1设有第2槽85。不过，在第3实施方式中，
如图19所示，在框构件1设有第1槽8和第2槽85这两者。
如图19所示，右前槽86从前空间55的右端部向后侧延伸，而到达右空间
57的前端部。左前槽87从前空间55的左端部向后侧延伸，而到达左空间58的
前端部。
右后槽88从后空间56的右端部向前侧延伸，而到达右空间57的后端部。
左后槽89从后空间56的左端部向前侧延伸而到达左空间58的后端部。
由此，第1空间10经由第3空间25与第4空间26连通。详细而言，第1空间
10经由两个前槽81、前空间55、右前槽86以及左前槽87与两个第4空间26连
通。另外，第1空间10经由两个后槽82、后空间56、右后槽88以及左后槽89
与两个第4空间26连通。
在该第3实施方式中，将密封层43以及光半导体元件46配置在第1空间10
内，之后，在对它们加压时使剩余的密封材料α(参照图5A以及图12B)首
先通过前槽81以及后槽82，由第3空间25收纳。之后，在第3空间25被剩余的
密封材料α填充了时，剩余的密封材料α通过右前槽86、左前槽87、右后槽88
以及左后槽89，由开口面积小于第3空间25的开口面积的第4空间26收纳。
因此，在该第3实施方式中，能够将剩余的密封材料α按照第3空间25和
第4空间26的顺序阶段性地收纳。
＜变形例＞
也能够将第1实施方式～第3实施方式适当组合。
此外，作为本发明的例示的实施方式提供了上述说明，但这些仅是例示，
并不进行限定性解释。对本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包
含在所述权利要求书的范围中。