技术特征：
技术总结
本发明提供一种针对栅极开路电阻进行晶圆可接受度测试的样品处理方法，所述方法包括：将待测样品的正面与支撑样品粘合到一起；研磨待测样品的背面，直至待测样品的基底的厚度为1微米左右；使用硅腐蚀液处理待测样品直至露出形成于所述基底中的隔离结构。根据本发明，不会破坏栅极中的失效部位，可以更为有效地获取和分析关于栅极中的失效部位的信息。
技术研发人员：庞凌华;郭志蓉;侯衍伟;潘敏
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.01.25
技术公布日：2017.08.01