技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供衬底结构，包括：半导体衬底，包括沿第一方向延伸的有源区和与有源区邻接的隔离区，以及在有源区上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的电荷存储层、在电荷存储层上的栅间电介质层和在栅间电介质层上的第二栅极层；在衬底结构上形成图案化的金属栅极层并作为掩模刻蚀第二栅极层、栅间电介质层和电荷存储层，从而形成多个在第一方向上分离的栅极结构；在多个栅极结构顶部处形成层间电介质层，以覆盖多个栅极结构之间的使其在第一方向分离的空间，从而在多个栅极结构之间的空间中形成空气间隙。本发明在多个栅极之间的空间中形成空气间隙，降低了耦合电容，改善了器件性能。
技术研发人员：宋长庚
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.02.02
技术公布日：2017.08.11