1.一种半导体装置，其特征在于具备：
半导体衬底；
元件层，位于所述半导体衬底的上表面；
绝缘层，位于所述元件层上；以及
贯通电极，包含主体部及头部，且经由所述绝缘层的贯通孔而与所述元件层中的配线电连接，该主体部位于设置在所述绝缘层的所述贯通孔内，该头部位于所述主体部上及所述绝缘层上；且
所述头部的下表面侧的轮廓的尺寸小于所述头部的上表面侧的轮廓的尺寸。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于进而具备：
第1金属层，从所述绝缘层上经过所述贯通孔内侧面而与所述元件层中的所述配线接触；以及
第2金属层，位于所述第1金属层上；且
所述贯通电极位于所述第2金属层上。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：构成所述贯通电极的金属材料的离子化倾向大于构成所述第2金属层的金属材料的离子化倾向。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：构成所述贯通电极的所述金属材料含有镍，且
构成所述第2金属层的所述金属材料含有铜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：在所述头部，从侧面到所述下表面形成有凹处。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述凹处的内表面形状包含曲面或弯折面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述头部为轮廓的尺寸从上表面侧到下表面侧逐渐变小的倒锥形状。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
在半导体衬底的上表面形成包含配线的元件层；
在所述元件层上形成包含贯通孔的绝缘层；
使所述元件层的所述配线露出在所述绝缘层的所述贯通孔底部；
形成从所述绝缘层上经过所述贯通孔内侧面而与所述元件层中的所述配线接触的第1金属层；
在所述第1金属层上形成第2金属层；
在所述第2金属层上形成贯通电极，该贯通电极包含主体部及头部，且经由所述绝缘层的所述贯通孔而与所述元件层中的所述配线电连接，该主体部位于设置在所述绝缘层的所述贯通孔内，该头部位于所述主体部及所述绝缘层上；以及
将位于所述绝缘层上的所述第1金属层与所述第2金属层中的至少一部分去除，并且从所述贯通电极的所述头部的侧面到下表面形成凹处。