技术总结
本发明的实施方式提供一种能够提高晶片的上表面与支撑衬底的接合强度的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置(1)具备：半导体衬底(11)；元件层(12)，位于半导体衬底(11)的上表面；绝缘层(13)，位于元件层(12)上；以及贯通电极(143)，包含主体部(143b)及头部(143c)，且经由绝缘层(13)的贯通孔而与元件层(12)中的上层配线(121)电连接，该主体部(143b)位于设置在绝缘层(13)的贯通孔内，该头部(143c)位于绝缘层(13)上，且相比于主体部(143b)直径扩大；而且头部(143c)的下表面侧的轮廓(143e)的尺寸可小于头部(143c)的上表面侧的轮廓(143d)的尺寸。
技术研发人员：内田健悟
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610121743
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2016.12.07