技术特征：
技术总结
本发明提供半导体装置结构，其包含半导体基底，内金属层设置于半导体基底上，顶部金属层设置于内金属层上，顶部金属层具有第一部分及第二部分，其中第一部分完全覆盖内金属层，第二部分围绕第一部分，且第一部分与第二部分隔开，以及钝化层设置于顶部金属层上，其中钝化层具有挖空图案，以露出顶部金属层。本发明半导体装置结构的钝化层具有各种挖空图案的布局方式，这些布局方式减少钝化层所带来的压力，且顶部金属层设置于钝化层的挖空图案区的下方，能达到保护下方元件的效果。此外，以条状、片状或环状来设计顶部金属层的布局来作为钝化层与半导体基底间的缓冲结构，亦可减少在后段工艺中产生不等向的压力，避免下层的元件产生压阻效应。
技术研发人员：林庭佑;涂祈吏
受保护的技术使用者：世界先进积体电路股份有限公司
技术研发日：2016.03.09
技术公布日：2017.09.19