技术特征：
技术总结
本发明提供了一种沟槽隔离结构的制造方法，其包含提供基底，在基底上形成图案化遮罩层，利用图案化遮罩层对基底实施第一蚀刻步骤，以在基底中形成沟槽，在沟槽中与图案化遮罩层上形成介电材料，其中在图案化遮罩层上的介电材料具有第一高度，实施回蚀刻步骤，使在图案化遮罩层上的介电材料由第一高度缩减为第二高度，以及实施平坦化工艺，以去除图案化遮罩层上的介电材料，其中平坦化工艺使用研磨垫，并且在研磨垫的中心部分施加第一压力，在研磨垫的边缘部分施加第二压力，其中第二压力大于第一压力。
技术研发人员：刘士豪;廖志成;许静宜;魏云洲
受保护的技术使用者：世界先进积体电路股份有限公司
技术研发日：2016.03.22
技术公布日：2017.09.29