技术特征：
技术总结
本发明提供一种氮化镓场效应晶体管及其制造方法，其中方法包括：在第一N型GaN层上生长第二N型GaN层和P型GaN层，以形成外延层；对所述外延层进行刻蚀，在所述P型GaN层上形成沟道孔；在所述外延层上继续生长第二N型GaN层，并在所述第二N型GaN层上生长AlGaN层；在所述AlGaN层上形成源极和栅极，在所述外延层的底部形成漏极。本发明提供的氮化镓场效应晶体管及其制造方法，可以增大耗尽区面积，从而提高器件的耐压性能，且通电后器件能够形成纵向沟道，避免出现电流崩塌的问题，有效提高了氮化镓场效应晶体管的整体性能。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03