1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
制备半导体裸片，其具有顶部裸片表面、底部裸片表面和侧裸片表面，且包括所述顶部裸片表面上的导电凸块；
将所述底部裸片表面附接到金属板；
使用囊封剂将所述半导体裸片囊封在所述金属板上；以及
切割所述金属板和所述囊封剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述囊封包括囊封所述顶部裸片表面和所述侧裸片表面。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述囊封包括囊封所述导电凸块的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述制备所述半导体裸片包括：
在晶片的顶部表面上形成再分布结构，其中所述再分布结构包括至少一个导电层和至少一个电介质层；
在所述再分布结构的顶部表面上形成所述导电凸块；
研磨所述晶片的底部表面；以及
切割所述晶片。
5.根据权利要求4所述的方法，其包括在所述研磨所述晶片的所述底部表面之后且在所述切割所述晶片之前，在所述晶片的经研磨的所述底部表面上形成粘合剂层。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述囊封包括囊封所述至少一个电介质层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述底部裸片表面附接到所述金属板包括用粘合带将所述底部裸片表面附接到所述金属板。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述底部裸片表面附接到所述金属板包括：
在所述金属板上形成粘合剂层；以及
将所述底部裸片表面放置在所述粘合剂层上。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属板包括不锈钢。
10.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
在晶片的顶部表面上形成再分布结构，其中所述再分布结构包括至少一个导电层和至少一个电介质层；
研磨所述晶片的底部表面；
在所述晶片的经研磨的所述底部表面上形成粘合剂层；
切割所述晶片、再分布层和粘合剂层从而形成具有顶部裸片表面、底部裸片表面和侧裸片表面的裸片；
将所述底部裸片表面附接到金属板；
使用囊封剂将所述半导体裸片囊封在所述金属板上；以及
切割所述金属板和所述囊封剂。
11.根据权利要求10所述的方法，其包括在所述切割所述晶片之前，在所述再分布结构的顶部表面上形成导电凸块。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述囊封包括囊封所述导电凸块的至少一部分。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述囊封包括囊封所述顶部裸片表面和所述侧裸片表面。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述形成粘合剂层包括将粘合带施加到所述晶片的经研磨的所述底部表面。
15.一种半导体封装，其包括：
半导体裸片，其具有顶部裸片表面、底部裸片表面和侧裸片表面，且包括所述顶部裸片表面上的导电凸块；
金属板，其附接到所述底部裸片表面；以及
囊封剂，其囊封所述半导体裸片和所述金属板的顶部表面。
16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述囊封剂囊封所述裸片顶部表面和所述侧裸片表面。
17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述囊封剂囊封所述导电凸块的一部分。
18.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述金属板包括不锈钢。
19.根据权利要求15所述的半导体封装，其包括所述半导体裸片与所述金属板之间的粘合剂层。
20.根据权利要求19所述的半导体封装，其中所述金属板与所述囊封剂之间不存在粘合剂层。